晶体管具有内置电阻
UNR412x系列
（ UN412x系列）
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
新的S型封装，使电源与径向编带
4.0
±0.2
2.0
±0.2
(0.8)
3.0
±0.2
■
电阻产品型号
UNR4121
UNR4122
UNR4123
UNR4124
UNR412X
UNR412Y
(UN4121)
(UN4122)
(UN4123)
(UN4124)
(UN412X)
(UN412Y)
(R
1
)
2.2 k
4.7 k
10 k
2.2 k
0.27 k
3.1 k
(R
2
)
2.2 k
4.7 k
10 k
10 k
5 k
4.6 k
0.45
+0.20
–0.10
(2.5) (2.5)
0.45
+0.20
–0.10
0.7
±0.1
15.6
±0.5
(0.8)
0.75最大。
7.6
2
3
1
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
NS- B1包装
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
500
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
UNR412X
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
UNR412X
发射极 - 基
UNR4121
I
EBO
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
I
首席执行官
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
民
50
50
1
0.1
1
0.5
5
2
1
mA
A
典型值
最大
单位
V
V
A
截止目前UNR4122 / 412X / 412Y
（集电极开路） UNR4123 / 4124
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00019BED
1
UNR412x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
正向电流UNR4121
传输比
UNR4122/412Y
UNR4123/4124
UNR412X
集电极 - 发射极饱和电压
UNR412X
UNR412Y
输出电压高级别
输出电压低级别
跃迁频率
输入阻抗UNR4121 / 4124
UNR4122
UNR4123
UNR412X
UNR412Y
电阻率
UNR4124
UNR412X
UNR412Y
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.043
V
OH
V
OL
f
T
R
1
V
CE （ SAT ）
I
C
= 100
妈，我
B
= 5
mA
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
I
C
= 50
妈，我
B
= 5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
500
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
500
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
30%
200
2.2
4.7
10
0.27
3.1
1.0
0.22
0.054
0.67
1.2
0.27
0.065
+30%
4.9
0.2
符号
h
FE
条件
V
CE
= 10
V，I
C
= 100
mA
民
40
50
60
20
0.25
0.25
0.15
V
V
兆赫
k
V
典型值
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
400
总功耗P
T
（ mW）的
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(°C)
2
SJH00019BED
晶体管具有内置电阻
UNR412x系列
（ UN412x系列）
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
新的S型封装，使电源与径向编带
4.0
±0.2
2.0
±0.2
(0.8)
3.0
±0.2
■
电阻产品型号
UNR4121
UNR4122
UNR4123
UNR4124
UNR412X
UNR412Y
(UN4121)
(UN4122)
(UN4123)
(UN4124)
(UN412X)
(UN412Y)
(R
1
)
2.2 k
4.7 k
10 k
2.2 k
0.27 k
3.1 k
(R
2
)
2.2 k
4.7 k
10 k
10 k
5 k
4.6 k
0.45
+0.20
–0.10
(2.5) (2.5)
0.45
+0.20
–0.10
0.7
±0.1
15.6
±0.5
(0.8)
0.75最大。
7.6
2
3
1
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
NS- B1包装
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
500
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
UNR412X
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
UNR412X
发射极 - 基
UNR4121
I
EBO
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
I
首席执行官
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
民
50
50
1
0.1
1
0.5
5
2
1
mA
A
典型值
最大
单位
V
V
A
截止目前UNR4122 / 412X / 412Y
（集电极开路） UNR4123 / 4124
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00019BED
1
UNR412x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
正向电流UNR4121
传输比
UNR4122/412Y
UNR4123/4124
UNR412X
集电极 - 发射极饱和电压
UNR412X
UNR412Y
输出电压高级别
输出电压低级别
跃迁频率
输入阻抗UNR4121 / 4124
UNR4122
UNR4123
UNR412X
UNR412Y
电阻率
UNR4124
UNR412X
UNR412Y
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.043
V
OH
V
OL
f
T
R
1
V
CE （ SAT ）
I
C
= 100
妈，我
B
= 5
mA
I
C
= 10
妈，我
B
=
0.3毫安
I
C
= 50
妈，我
B
= 5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
500
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
500
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
30%
200
2.2
4.7
10
0.27
3.1
1.0
0.22
0.054
0.67
1.2
0.27
0.065
+30%
4.9
0.2
符号
h
FE
条件
V
CE
= 10
V，I
C
= 100
mA
民
40
50
60
20
0.25
0.25
0.15
V
V
兆赫
k
V
典型值
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
400
总功耗P
T
（ mW）的
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(°C)
2
SJH00019BED
晶体管具有内置电阻
UN4121/4122/4123/4124/412X/412Y
PNP硅外延平面晶体管
对于数字电路
q
q
s
电阻产品型号
q
q
q
q
q
q
UN4121
UN4122
UN4123
UN4124
UN412X
UN412Y
(R
1
)
2.2k
4.7k
10k
2.2k
0.27k
3.1k
(R
2
)
2.2k
4.7k
10k
10k
5.0k
4.6k
0.7±0.1
1
2
3
1.27 1.27
2.54±0.15
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
新的S型套餐
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–500
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
R1
内部连接
2.0±0.2
记号
+0.2
0.45–0.1
15.6±0.5
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
新的S型封装，使电源与径向录音。
3.0±0.2
s
特点
4.0±0.2
单位：mm
C
B
R2
E
1
晶体管具有内置电阻
UN4121/4122/4123/4124/412X/412Y
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN412X
收藏家Cuto FF电流
UN412X
辐射源
截止
当前
UN4121
UN4122/412X/412Y
UN4123/4124
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
V
CBO
V
首席执行官
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
–50
–50
40
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -100mA
50
60
20
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 500
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 500
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
80
2.2
4.7
R
1
(–30%)
10
0.27
3.1
0.8
R
1
/R
2
0.17
0.043
1.0
0.22
0.054
0.67
1.2
0.27
0.065
(+30%)
k
–4.9
– 0.2
– 0.25
– 0.25
– 0.15
V
V
兆赫
V
民
典型值
最大
–1
– 0.1
–1
– 0.5
–5
–2
–1
V
V
mA
单位
A
A
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
前锋
当前
转让
比
UN4121
UN4122/412Y
UN4123/4124
UN412X
集电极到发射极饱和电压
UN412X
UN412Y
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
UN4121/4124
输入
电阻
tance
UN4122
UN4123
UN412X
UN412Y
电阻率
UN4124
UN412X
UN412Y
共同的特征图
P
T
- TA
400
总功耗P
T
（ mW）的
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
2
晶体管具有内置电阻
UN4121的特性图
I
C
— V
CE
–240
–100
UN4121/4122/4123/4124/412X/412Y
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
= –10V
–200
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–120
200
–80
100
25C
–40
–0.2mA
–0.1mA
–25C
–25C
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
12
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
–10000
–3000
集电极输出电容C
ob
（PF ）
10
输出电流I
O
(
A
)
8
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
6
4
2
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN4122的特性图
I
C
— V
CE
–300
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
= –10V
Ta=75C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–250
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
–25C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.0mA
–200
–0.9mA
–0.8mA
–150
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–100
–0.4mA
–0.3mA
–50
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
120
25C
Ta=75C
80
–25C
40
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
晶体管具有内置电阻
C
ob
— V
CB
24
UN4121/4122/4123/4124/412X/412Y
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
输出电流I
O
(
A
)
16
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN4123的特性图
I
C
— V
CE
–240
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–25C
–0.01
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
I
C
/I
B
=10
200
V
CE
= –10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
25C
150
–200
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–120
100
–25C
–80
–0.4mA
–0.3mA
50
–40
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
–10000
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
O
=–5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
–3000
20
输出电流I
O
(
A
)
16
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
晶体管具有内置电阻
UN4124的特性图
I
C
— V
CE
–300
UN4121/4122/4123/4124/412X/412Y
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=–10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–250
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–1
–25C
25C
正向电流传输比H
FE
350
300
250
Ta=75C
200
150
100
50
0
–1
25C
–25C
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.0mA
–200
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–100
–0.4mA
–0.3mA
–50
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–150
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
–10000
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–3000
I
O
— V
IN
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
IN
— I
O
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
输出电流I
O
(
A
)
16
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN412X的特性图
I
C
— V
CE
–240
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
240
V
CE
=–10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–200
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
正向电流传输比H
FE
200
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.6mA
–160
–1.4mA
–1.2mA
–120
–1.0mA
–0.8mA
–80
–0.6mA
–40
–0.4mA
–0.2mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
160
Ta=75C
25C
80
–25C
40
120
Ta=75C
–25C
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
5
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