【小信号晶体管阵列UN227晶体管阵列来驱动小型电动机s特点qqqq体积小重量轻低功耗低电压驱动有8个】,IC型号UN227,UN227 PDF资料,UN227经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管阵列

UN227

晶体管阵列来驱动小型电动机

特点

体积小重量轻

低功耗

低电压驱动

有8个元素结合

6.5±0.3

10–0.4±0.1

单位：mm

5.5±0.3

1.5±0.1

0.8

应用

对于电机驱动器

一般小型电机驱动电路

12°

6°

0-0.1

0.5

45°

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

(Ta=25±3C)

评级

±10

±7

±1.5

±2

0.5

150

-55到+150

单位

6°

0.5±0.2

7.7±0.3

内部连接

注意：

+ ：上面使用的商标NPN部分， - ： PNP一部分

* T

= 25℃时，只有当该元件是有源

0.2

–0.05

12°

+0.1

8–0.9±0.1

SO- 10C封装

小信号晶体管阵列

UN227

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

首席执行官

CE （ SAT ）

条件

（ NPN ）I

= 10μA ，我

= 0

（ PNP ）I

= -10μA ，我

= 0

（ NPN ）I

= 1mA时，我

= 0

（ PNP ）I

= -1mA ，我

= 0

（ NPN ）I

= 10μA ，我

= 0

（ PNP ）I

= -10μA ，我

= 0

（ NPN ）V

= 7V ，我

= 0

（ PNP ）V

= -7V ，我

= 0

（ NPN ）V

= 10V ，我

= 0

（ PNP ）V

= -10V ，我

= 0

（ NPN ）V

= 1V ，我

= 400毫安*

（ PNP ）V

= -1V ，我

= -400mA *

（ NPN ）I

= 1A ，我

= 25毫安*

（ PNP ）I

= -1A ，我

= -25mA *

（ NPN ）V

= 6V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

（ PNP ）V

= -6V ，我

= 50mA时F = 200MHz的

（ NPN ）V

= 6V ，我

= 0中，f = 1MHz的

（ NPN ）V

= -6V ，我

= 0中，f = 1MHz的

（ NPN ）I

= 0.5A

（ PNP ）I

= – 0.5A

120

1.3

–1.3

200

民

–10

–7

–1

–2

700

0.25

– 0.35

典型值

最大

单位

集电极到发射极电压

发射器基极电压

收藏家Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

兆赫

集电极输出电容

正向电压

*脉冲测量

小信号晶体管阵列

UNA0227

(UN227)

晶体管阵列来驱动小型电动机

特点

体积小重量轻

低功耗

低电压驱动

有8个元素结合

单位：mm

0.4

±0.1

4 3 2 1

0.2

+0.1

–0.0

(0.5)

5.5

±0.3

7.7

±0.3

对于电机驱动器

一般小型电机驱动电路

8 9 10

0.9

±0.1

6.5

±0.3

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

(Ta=25±3C)

评级

±10

±7

±1.5

±2

0.5

150

-55到+150

单位

(0.8)

1.5

±0.1

1.5

+0.2

–0.1

内部连接

注意：

+ ：上面使用的商标NPN部分， - ： PNP一部分

* T

= 25℃时，只有当该元件是有源

注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。

应用

SO10 -G1封装

0.5

±0.2

小信号晶体管阵列

UNA0227

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

首席执行官

CE （ SAT ）

条件

（ NPN ）I

= 10μA ，我

= 0

（ PNP ）I

= -10μA ，我

= 0

（ NPN ）I

= 1mA时，我

= 0

（ PNP ）I

= -1mA ，我

= 0

（ NPN ）I

= 10μA ，我

= 0

（ PNP ）I

= -10μA ，我

= 0

（ NPN ）V

= 7V ，我

= 0

（ PNP ）V

= -7V ，我

= 0

（ NPN ）V

= 10V ，我

= 0

（ PNP ）V

= -10V ，我

= 0

（ NPN ）V

= 1V ，我

= 400毫安*

（ PNP ）V

= -1V ，我

= -400mA *

（ NPN ）I

= 1A ，我

= 25毫安*

（ PNP ）I

= -1A ，我

= -25mA *

（ NPN ）V

= 6V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

（ PNP ）V

= -6V ，我

= 50mA时F = 200MHz的

（ NPN ）V

= 6V ，我

= 0中，f = 1MHz的

（ NPN ）V

= -6V ，我

= 0中，f = 1MHz的

（ NPN ）I

= 0.5A

（ PNP ）I

= – 0.5A

120

1.3

–1.3

200

民

–10

–7

–1

–2

700

0.25

– 0.35

典型值

最大

单位

集电极到发射极电压

发射器基极电压

收藏家Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

兆赫

集电极输出电容

正向电压

*脉冲测量

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段

从我们公司。

使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项

A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择

半导体产品最适合他们的应用程序。

由于变形或其他原因，本资料中的任何信息，如可用的

产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。

建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。

B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任

梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

销售或分发该材料给第三方，通过互联网或以任何其他方式，是禁止的。

2001年MAR

小信号晶体管阵列

UN227

晶体管阵列来驱动小型电动机

特点

体积小重量轻

低功耗

低电压驱动

有8个元素结合

6.5±0.3

10–0.4±0.1

单位：mm

5.5±0.3

1.5±0.1

0.8

应用

对于电机驱动器

一般小型电机驱动电路

12°

6°

0-0.1

0.5

45°

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

(Ta=25±3C)

评级

±10

±7

±1.5

±2

0.5

150

-55到+150

单位

6°

0.5±0.2

7.7±0.3

内部连接

注意：

+ ：上面使用的商标NPN部分， - ： PNP一部分

* T

= 25℃时，只有当该元件是有源

0.2

–0.05

12°

+0.1

8–0.9±0.1

SO- 10C封装

小信号晶体管阵列

UN227

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

首席执行官

CE （ SAT ）

条件

（ NPN ）I

= 10μA ，我

= 0

（ PNP ）I

= -10μA ，我

= 0

（ NPN ）I

= 1mA时，我

= 0

（ PNP ）I

= -1mA ，我

= 0

（ NPN ）I

= 10μA ，我

= 0

（ PNP ）I

= -10μA ，我

= 0

（ NPN ）V

= 7V ，我

= 0

（ PNP ）V

= -7V ，我

= 0

（ NPN ）V

= 10V ，我

= 0

（ PNP ）V

= -10V ，我

= 0

（ NPN ）V

= 1V ，我

= 400毫安*

（ PNP ）V

= -1V ，我

= -400mA *

（ NPN ）I

= 1A ，我

= 25毫安*

（ PNP ）I

= -1A ，我

= -25mA *

（ NPN ）V

= 6V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

（ PNP ）V

= -6V ，我

= 50mA时F = 200MHz的

（ NPN ）V

= 6V ，我

= 0中，f = 1MHz的

（ NPN ）V

= -6V ，我

= 0中，f = 1MHz的

（ NPN ）I

= 0.5A

（ PNP ）I

= – 0.5A

120

1.3

–1.3

200

民

–10

–7

–1

–2

700

0.25

– 0.35

典型值

最大

单位

集电极到发射极电压

发射器基极电压

收藏家Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

兆赫

集电极输出电容

正向电压

*脉冲测量