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小信号晶体管阵列
UN225
晶体管阵列来驱动小型电动机
s
特点
q
q
q
q
体积小重量轻
低功耗（低V
CE （ SAT ）
晶体管使用）
低电压驱动
有8个元素结合（ SO- 16 ）
1
单位：mm
7.7±0.3
5.5±0.3
16
0.8
1.5±0.1
6.5±0.3
s
应用
q
q
q
q
16-0.3±0.1
摄像机
相机
便携式CD播放器
在一般的小型电动机的驱动电路的电子设备。
0-0.1
0.5
8
9
14-0.75±0.1
12
6
12
0.5±0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
*
T
j
T
英镑
6
(Ta=25±2C)
评级
±10
±10
±7
±0.5
0.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
C
C
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
0.2
–0.05
+0.1
45
SO- 16封装
内部连接
注意：
±
+ ：上面使用的商标NPN部分， - ： PNP一部分
* T
C
= 25℃时，只有当该元件是有源
1
小信号晶体管阵列
UN225
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
(Ta=25±2C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)1
f
T
C
ob
V
F
条件
（ NPN ）V
CB
= 7V
（ PNP ）V
CB
= –7V
（ NPN ）I
C
= 10A
（ PNP ）I
C
= –10A
（ NPN ）I
C
= 1毫安
（ PNP ）I
C
= -1mA
（ NPN ）I
E
= 10A
（ PNP ）I
E
= –10A
（ NPN ）V
CE
= 2V ，我
C
= 0.2A*
（ PNP ）V
CE
= -2V ，我
C
= – 0.2A*
（ NPN ）I
C
= 0.2A ，我
B
= 2毫安
（ PNP ）I
C
= - 0.2A ，我
B
= -2mA
（ NPN ）V
CB
= 6V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
（ PNP ）V
CB
= -6V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
（ NPN ）V
CB
= 6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
（ PNP ）V
CB
= -6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
（ NPN ）I
F
= 0.5A
（ PNP ）I
F
= – 0.5A
120
120
25
35
1.3
–1.3
10
–10
10
–10
7
–7
200
200
800
800
0.2
– 0.2
V
民
典型值
最大
1
–1
单位
A
集电极 - 基极电压
V
集电极到发射极电压
V
发射器基极电压
V
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
兆赫
集电极输出电容
pF
正向电压（ DC）的
*脉冲测量
V
PNP晶体管块的特性图
P
T
- TA
0.6
I
C
— V
CE
–1.2
Ta=25C
–1.2
I
C
— V
BE
V
CE
=–2V
–1.0
25C
总功耗P
T
(W)
0.5
–1.0
I
B
=–6mA
–5mA
–4mA
–3mA
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
Ta=75C
–0.8
–25C
0.4
–0.8
0.3
–0.6
–2mA
–0.6
0.2
–0.4
–1mA
–0.2
–0.4
0.1
–0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
0
0
–0.4 –0.8
–1.2
–1.6
–2.0 –2.4
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
2
小信号晶体管阵列
V
CE （ SAT ）
— I
C
–10
UN225
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
120
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=100
600
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–25C
Ta=75C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=–2V
正向电流传输比H
FE
500
100
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
400
Ta=75C
25C
80
300
–25C
200
60
40
100
20
–0.003
–0.001
–0.01 –0.03 –0.1 –0.3
–1
–3
–10
0
–0.01 –0.03 –0.1 –0.3
–1
–3
–10
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
NPN晶体管块的特性图
P
T
- TA
0.6
1.2
Ta=25C
I
B
=3.0mA
I
C
— V
CE
1.2
I
C
— V
BE
V
CE
=2V
1.0
2.0mA
25C
总功耗P
T
(W)
0.5
1.0
2.5mA
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
Ta=75C
0.8
–25C
0.4
0.8
1.5mA
0.6
0.3
1.0mA
0.6
0.2
0.4
0.5mA
0.2
0.4
0.1
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
10
h
FE
— I
C
600
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
V
CE
=2V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=100
60
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
0.01 0.03
Ta=75C
25C
–25C
正向电流传输比H
FE
500
Ta=75C
25C
50
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
400
40
300
–25C
30
200
20
100
10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
0
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极基极电压V
CB
(V)
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