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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第28页 > UN2227
晶体管具有内置电阻
UNR2225
(UN2225)
, UNR2226
(UN2226)
,
UNR2227
(UN2227)
NPN硅外延平面型
静音
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
单位:mm
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
1
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
电阻产品型号
标记符号(R
1
)
UNR2225 ( UN2225 )
FZ
10 k
UNR2226 ( UN2226 )
FY
4.7 k
UNR2227 ( UN2227 )
FW
6.8 k
(R
2
)
6.8 k
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
Mini3 -G1封装
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
600
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流
传输比
UNR2227
UNR2225/2226
V
CE ( SAT )
R
1
I
C
=
50毫安,我
B
=
2.5毫安
30%
4.7
6.8
10
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
条件
I
C
=
1
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
I
E
=
1
A,
I
C
=
0
V
CB
=
30 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
百毫安
70
100
600
80
+30%
mV
k
30
20
5
1
1
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
输入阻抗
UNR2226
UNR2227
UNR2225
电阻率
UNR2227
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00040CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR2225/2226/2227
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻率
UNR2226
UNR2227
UNR2225
跃迁频率
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 50
毫安,女
=
200兆赫
符号
R
on
条件
V
I
=
7 V ,R
L
=
1 kΩ的,女
=
1千赫
典型值
0.95
1.1
1.5
200
兆赫
最大
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :请于R
on
的测算电路
R
L
R
1
V
I
R
2
V
B
V
V
V
A
f
=
1千赫
V
=
0.3 V
R
on
=
V
B
×
R
L
()
V
A
V
B
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2225的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
400
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
250
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
200
T
a
=
75°C
150
100
25°C
25°C
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
100
50
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
1
0
1
10
100
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00040CED
UNR2225/2226/2227
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
I
O
V
IN
10
5
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR2226的特性图
I
C
V
CE
400
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
500
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
400
T
a
=
75°C
300
25°C
25°C
200
集电极电流I
C
(MA )
300
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
200
0.5毫安
0.4毫安
100
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
100
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
1
1
10
100
1 000
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
f
=
1兆赫
10
5
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00040CED
3
UNR2225/2226/2227
UNR2227的特性图
I
C
V
CE
400
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
T
a
=
25°C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
300
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
75°C
200
25°C
150
25°C
100
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
100
T
a
=
75°C
100
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
10
25°C
25°C
10
1
10
100
1 000
50
0
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
20
I
O
V
IN
100
f
=
1兆赫
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
16
10
输出电流I
O
(MA )
输入电压V
IN
(V)
10
12
1
8
0.1
1
4
0.01
0
1
10
100
0.001
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJH00040CED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
晶体管具有内置电阻
UNR2225
(UN2225)
, UNR2226
(UN2226)
,
UNR2227
(UN2227)
NPN硅外延平面型
静音
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
单位:mm
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
1
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
电阻产品型号
标记符号(R
1
)
UNR2225 ( UN2225 )
FZ
10 k
UNR2226 ( UN2226 )
FY
4.7 k
UNR2227 ( UN2227 )
FW
6.8 k
(R
2
)
6.8 k
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
Mini3 -G1封装
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
600
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流
传输比
UNR2227
UNR2225/2226
V
CE ( SAT )
R
1
I
C
=
50毫安,我
B
=
2.5毫安
30%
4.7
6.8
10
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
条件
I
C
=
1
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
I
E
=
1
A,
I
C
=
0
V
CB
=
30 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
百毫安
70
100
600
80
+30%
mV
k
30
20
5
1
1
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
输入阻抗
UNR2226
UNR2227
UNR2225
电阻率
UNR2227
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00040CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR2225/2226/2227
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻率
UNR2226
UNR2227
UNR2225
跃迁频率
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 50
毫安,女
=
200兆赫
符号
R
on
条件
V
I
=
7 V ,R
L
=
1 kΩ的,女
=
1千赫
典型值
0.95
1.1
1.5
200
兆赫
最大
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :请于R
on
的测算电路
R
L
R
1
V
I
R
2
V
B
V
V
V
A
f
=
1千赫
V
=
0.3 V
R
on
=
V
B
×
R
L
()
V
A
V
B
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2225的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
400
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
250
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
200
T
a
=
75°C
150
100
25°C
25°C
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
100
50
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
1
0
1
10
100
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00040CED
UNR2225/2226/2227
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
I
O
V
IN
10
5
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR2226的特性图
I
C
V
CE
400
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
500
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
400
T
a
=
75°C
300
25°C
25°C
200
集电极电流I
C
(MA )
300
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
200
0.5毫安
0.4毫安
100
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
100
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
1
1
10
100
1 000
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
f
=
1兆赫
10
5
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00040CED
3
UNR2225/2226/2227
UNR2227的特性图
I
C
V
CE
400
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
T
a
=
25°C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
300
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
75°C
200
25°C
150
25°C
100
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
100
T
a
=
75°C
100
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
10
25°C
25°C
10
1
10
100
1 000
50
0
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
20
I
O
V
IN
100
f
=
1兆赫
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
16
10
输出电流I
O
(MA )
输入电压V
IN
(V)
10
12
1
8
0.1
1
4
0.01
0
1
10
100
0.001
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJH00040CED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
晶体管具有内置电阻
UNR2225
(UN2225)
, UNR2226
(UN2226)
,
UNR2227
(UN2227)
NPN硅外延平面型
静音
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
单位:mm
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
1
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
电阻产品型号
标记符号(R
1
)
UNR2225 ( UN2225 )
FZ
10 k
UNR2226 ( UN2226 )
FY
4.7 k
UNR2227 ( UN2227 )
FW
6.8 k
(R
2
)
6.8 k
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
Mini3 -G1封装
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
600
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流
传输比
UNR2227
UNR2225/2226
V
CE ( SAT )
R
1
I
C
=
50毫安,我
B
=
2.5毫安
30%
4.7
6.8
10
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
条件
I
C
=
1
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
I
E
=
1
A,
I
C
=
0
V
CB
=
30 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
百毫安
70
100
600
80
+30%
mV
k
30
20
5
1
1
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
输入阻抗
UNR2226
UNR2227
UNR2225
电阻率
UNR2227
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00040CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR2225/2226/2227
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻率
UNR2226
UNR2227
UNR2225
跃迁频率
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 50
毫安,女
=
200兆赫
符号
R
on
条件
V
I
=
7 V ,R
L
=
1 kΩ的,女
=
1千赫
典型值
0.95
1.1
1.5
200
兆赫
最大
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :请于R
on
的测算电路
R
L
R
1
V
I
R
2
V
B
V
V
V
A
f
=
1千赫
V
=
0.3 V
R
on
=
V
B
×
R
L
()
V
A
V
B
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2225的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
400
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
250
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
200
T
a
=
75°C
150
100
25°C
25°C
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
100
50
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
1
0
1
10
100
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00040CED
UNR2225/2226/2227
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
I
O
V
IN
10
5
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR2226的特性图
I
C
V
CE
400
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
500
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
400
T
a
=
75°C
300
25°C
25°C
200
集电极电流I
C
(MA )
300
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
200
0.5毫安
0.4毫安
100
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
100
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
1
1
10
100
1 000
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
f
=
1兆赫
10
5
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00040CED
3
UNR2225/2226/2227
UNR2227的特性图
I
C
V
CE
400
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
T
a
=
25°C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
300
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
75°C
200
25°C
150
25°C
100
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
100
T
a
=
75°C
100
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
10
25°C
25°C
10
1
10
100
1 000
50
0
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
20
I
O
V
IN
100
f
=
1兆赫
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
16
10
输出电流I
O
(MA )
输入电压V
IN
(V)
10
12
1
8
0.1
1
4
0.01
0
1
10
100
0.001
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJH00040CED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
晶体管具有内置电阻
UNR2225
(UN2225)
, UNR2226
(UN2226)
,
UNR2227
(UN2227)
NPN硅外延平面型
静音
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
单位:mm
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
1
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
电阻产品型号
标记符号(R
1
)
UNR2225 ( UN2225 )
FZ
10 k
UNR2226 ( UN2226 )
FY
4.7 k
UNR2227 ( UN2227 )
FW
6.8 k
(R
2
)
6.8 k
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
Mini3 -G1封装
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
600
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流
传输比
UNR2227
UNR2225/2226
V
CE ( SAT )
R
1
I
C
=
50毫安,我
B
=
2.5毫安
30%
4.7
6.8
10
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
条件
I
C
=
1
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
I
E
=
1
A,
I
C
=
0
V
CB
=
30 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
百毫安
70
100
600
80
+30%
mV
k
30
20
5
1
1
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
输入阻抗
UNR2226
UNR2227
UNR2225
电阻率
UNR2227
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00040CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR2225/2226/2227
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻率
UNR2226
UNR2227
UNR2225
跃迁频率
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 50
毫安,女
=
200兆赫
符号
R
on
条件
V
I
=
7 V ,R
L
=
1 kΩ的,女
=
1千赫
典型值
0.95
1.1
1.5
200
兆赫
最大
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :请于R
on
的测算电路
R
L
R
1
V
I
R
2
V
B
V
V
V
A
f
=
1千赫
V
=
0.3 V
R
on
=
V
B
×
R
L
()
V
A
V
B
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2225的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
400
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
250
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
200
T
a
=
75°C
150
100
25°C
25°C
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
100
50
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
1
0
1
10
100
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00040CED
UNR2225/2226/2227
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
I
O
V
IN
10
5
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR2226的特性图
I
C
V
CE
400
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
500
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
400
T
a
=
75°C
300
25°C
25°C
200
集电极电流I
C
(MA )
300
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
200
0.5毫安
0.4毫安
100
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
100
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
1
1
10
100
1 000
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
f
=
1兆赫
10
5
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00040CED
3
UNR2225/2226/2227
UNR2227的特性图
I
C
V
CE
400
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
T
a
=
25°C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
300
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
75°C
200
25°C
150
25°C
100
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
100
T
a
=
75°C
100
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
10
25°C
25°C
10
1
10
100
1 000
50
0
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
20
I
O
V
IN
100
f
=
1兆赫
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
16
10
输出电流I
O
(MA )
输入电压V
IN
(V)
10
12
1
8
0.1
1
4
0.01
0
1
10
100
0.001
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJH00040CED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
晶体管具有内置电阻
UNR2225
(UN2225)
, UNR2226
(UN2226)
,
UNR2227
(UN2227)
NPN硅外延平面型
静音
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
单位:mm
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
1
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
电阻产品型号
标记符号(R
1
)
UNR2225 ( UN2225 )
FZ
10 k
UNR2226 ( UN2226 )
FY
4.7 k
UNR2227 ( UN2227 )
FW
6.8 k
(R
2
)
6.8 k
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
Mini3 -G1封装
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
20
5
600
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流
传输比
UNR2227
UNR2225/2226
V
CE ( SAT )
R
1
I
C
=
50毫安,我
B
=
2.5毫安
30%
4.7
6.8
10
R
1
/R
2
0.8
1.0
1.2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
条件
I
C
=
1
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
I
E
=
1
A,
I
C
=
0
V
CB
=
30 V,I
E
=
0
V
EB
=
5 V,I
C
=
0
V
CE
=
10 V,I
C
=
百毫安
70
100
600
80
+30%
mV
k
30
20
5
1
1
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
集电极 - 发射极饱和电压
输入阻抗
UNR2226
UNR2227
UNR2225
电阻率
UNR2227
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年12月
SJH00040CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR2225/2226/2227
电气特性(续)
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻率
UNR2226
UNR2227
UNR2225
跃迁频率
f
T
V
CB
=
10 V,I
E
= 50
毫安,女
=
200兆赫
符号
R
on
条件
V
I
=
7 V ,R
L
=
1 kΩ的,女
=
1千赫
典型值
0.95
1.1
1.5
200
兆赫
最大
单位
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :请于R
on
的测算电路
R
L
R
1
V
I
R
2
V
B
V
V
V
A
f
=
1千赫
V
=
0.3 V
R
on
=
V
B
×
R
L
()
V
A
V
B
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
( mW)的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2225的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
400
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
250
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
200
T
a
=
75°C
150
100
25°C
25°C
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
100
50
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
1
0
1
10
100
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
2
SJH00040CED
UNR2225/2226/2227
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
I
O
V
IN
10
5
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR2226的特性图
I
C
V
CE
400
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
1 000
I
C
/
I
B
=
10
h
FE
I
C
500
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
400
T
a
=
75°C
300
25°C
25°C
200
集电极电流I
C
(MA )
300
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
200
0.5毫安
0.4毫安
100
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
100
T
a
=
75°C
25°C
10
25°C
100
1
1
10
100
1 000
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
14
f
=
1兆赫
10
5
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
10
4
输出电流I
O
(A)
10
输入电压V
IN
(V)
10
10
3
10
2
5
1
10
1
1
10
100
1
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00040CED
3
UNR2225/2226/2227
UNR2227的特性图
I
C
V
CE
400
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(毫伏)
T
a
=
25°C
1 000
I
C
/
I
B
=
10
300
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
正向电流传输比H
FE
250
集电极电流I
C
(MA )
300
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
75°C
200
25°C
150
25°C
100
200
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
100
T
a
=
75°C
100
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
0.1毫安
0
2
4
6
10
25°C
25°C
10
1
10
100
1 000
50
0
0
1
10
10
2
10
3
10
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
20
I
O
V
IN
100
f
=
1兆赫
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
16
10
输出电流I
O
(MA )
输入电压V
IN
(V)
10
12
1
8
0.1
1
4
0.01
0
1
10
100
0.001
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0.1
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
4
SJH00040CED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
( 1)出口许可证需要从日本政府(如果有)的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
( 2 )在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方,也没有授予任何许可的任何其他权利。
( 3 )我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
(4)在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备(如办公设备,通讯设备,测量仪器及住户
持设备) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备, combus-
化设备,生命支持系统和安全装置),其中出色的质量和可靠性
必需的,或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 5 )在本材料中描述的产品和产品规格如有变更,恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,
因此,要求最先进的最新产品标准提前,以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
( 6 )在设计你的装备,顺应保证值,尤其是最大额定的
荷兰国际集团,工作电源电压,以及热辐射特性的范围内。否则,我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到发病的代价
分解和破坏模式,可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计,阻止火灾或防止毛刺的蔓延,建议为了防止
物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用产品。
(7 )在使用的量防潮包装是必需的产品,观察的条件(包括货架寿命
和时间量,让站在密封的物品)约定,当规格表被单独
交换。
( 8 )该材料可不能转载或复制全部或部分,未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘经理
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