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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第83页 > UN221N
晶体管具有内置电阻
UNR221x系列
（ UN221x系列）
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
■
电阻产品型号
UNR2210
UNR2211
UNR2212
UNR2213
UNR2214
UNR2215
UNR2216
UNR2217
UNR2218
UNR2219
UNR221D
UNR221E
UNR221F
UNR221K
UNR221L
UNR221M
UNR221N
UNR221T
UNR221V
UNR221Z
标记符号（R
1
)
(UN2210)
8L
47 k
(UN2211)
8A
10 k
(UN2212)
8B
22 k
(UN2213)
8C
47 k
(UN2214)
8D
10 k
(UN2215)
8E
10 k
(UN2216)
8F
4.7 k
(UN2217)
8H
22 k
(UN2218)
8I
0.51 k
(UN2219)
8K
1 k
(UN221D)
8M
47 k
(UN221E)
8N
47 k
(UN221F)
8O
4.7 k
(UN221K)
8P
10 k
(UN221L)
8Q
4.7 k
（ UN221M ） EL
2.2 k
(UN221N)
EX
4.7 k
(UN221T)
EZ
22 k
(UN221V)
FD
2.2 k
(UN221Z)
FF
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
4.7 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00010CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR221x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR2210/2215/2216/2217
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1.5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V ，R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
30%
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
兆赫
k
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR2213
（集电极开路） UNR2212 / 2214 / 221D /
221E/221M/221N/221T
UNR221Z
UNR2211
UNR221F/221K
UNR2219
UNR2218/221L/221V
正向电流UNR221V
传输比
UNR2218/221K/221L
UNR2219/221D/221F
UNR2211
UNR2212/221E
UNR221Z
UNR2213/2214/221M
UNR221N/221T
UNR2210
*
/2215
*
/2216
*
/2217
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR221V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR2213/221K
UNR221D
UNR221E
跃迁频率
输入阻抗
UNR2218
UNR2219
UNR221M/211V
UNR2216/221F/221L/
221N/221Z
UNR2211/2214/2215/221K
UNR2212/2217/221T
UNR2210/2213/221D/221E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
2
SJH00010CED
UNR221x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻比UNR221M
UNR221N
UNR2218/2219
UNR221Z
UNR2214
UNR221T
UNR221F
UNR221V
UNR2211/2212/2213/221L
UNR221K
UNR221E
UNR221D
0.8
1.70
1.70
3.7
0.37
0.17
0.08
符号
R
1
/R
2
条件
民
典型值
0.047
0.1
0.10
0.21
0.21
0.47
0.47
1.0
1.0
2.13
2.14
4.7
1.2
2.60
2.60
5.7
0.57
0.25
0.12
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2210的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
60
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
（MA ）
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
100
40
0.4毫安
0.5毫安
0.6毫安
0.7毫安
0.1毫安
30
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
20
10
0
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
3
UNR221x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2211的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
120
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
25°C
0.1
25C
200
25°C
100
25°C
0.2毫安
40
T
a
=
75°C
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
SJH00010CED
UNR221x系列
UNR2212的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
120
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2213的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
25°C
1
200
40
0.2毫安
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
T
a
=
75°C
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
5
晶体管具有内置电阻
UNR221x系列
（ UN221x系列）
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
对于数字电路
■
特点
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装允许通过简单的磁带自动插入
包装及包装杂志
1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
■
电阻产品型号
UNR2210
UNR2211
UNR2212
UNR2213
UNR2214
UNR2215
UNR2216
UNR2217
UNR2218
UNR2219
UNR221D
UNR221E
UNR221F
UNR221K
UNR221L
UNR221M
UNR221N
UNR221T
UNR221V
UNR221Z
标记符号（R
1
)
(UN2210)
8L
47 k
(UN2211)
8A
10 k
(UN2212)
8B
22 k
(UN2213)
8C
47 k
(UN2214)
8D
10 k
(UN2215)
8E
10 k
(UN2216)
8F
4.7 k
(UN2217)
8H
22 k
(UN2218)
8I
0.51 k
(UN2219)
8K
1 k
(UN221D)
8M
47 k
(UN221E)
8N
47 k
(UN221F)
8O
4.7 k
(UN221K)
8P
10 k
(UN221L)
8Q
4.7 k
（ UN221M ） EL
2.2 k
(UN221N)
EX
4.7 k
(UN221T)
EZ
22 k
(UN221V)
FD
2.2 k
(UN221Z)
FF
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
4.7 k
4.7 k
47 k
47 k
47 k
2.2 k
22 k
10
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
Mini3 -G1封装
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
200
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注）括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期： 2003年12月
SJH00010CED
0-0.1
0.4
±0.2
5
1
UNR221x系列
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基
UNR2210/2215/2216/2217
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
民
50
50
0.1
0.5
0.01
0.1
0.2
0.4
0.5
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
6
20
30
35
60
60
80
80
160
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1.5毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V ，R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
30%
150
0.51
1.0
2.2
4.7
10
22
47
+30%
兆赫
k
4.9
0.2
V
V
400
460
0.25
V
200
20
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR2213
（集电极开路） UNR2212 / 2214 / 221D /
221E/221M/221N/221T
UNR221Z
UNR2211
UNR221F/221K
UNR2219
UNR2218/221L/221V
正向电流UNR221V
传输比
UNR2218/221K/221L
UNR2219/221D/221F
UNR2211
UNR2212/221E
UNR221Z
UNR2213/2214/221M
UNR221N/221T
UNR2210
*
/2215
*
/2216
*
/2217
*
集电极 - 发射极饱和电压
UNR221V
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR2213/221K
UNR221D
UNR221E
跃迁频率
输入阻抗
UNR2218
UNR2219
UNR221M/211V
UNR2216/221F/221L/
221N/221Z
UNR2211/2214/2215/221K
UNR2212/2217/221T
UNR2210/2213/221D/221E
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
无秩
160 460
2
SJH00010CED
UNR221x系列
■
电气特性（续）
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
电阻比UNR221M
UNR221N
UNR2218/2219
UNR221Z
UNR2214
UNR221T
UNR221F
UNR221V
UNR2211/2212/2213/221L
UNR221K
UNR221E
UNR221D
0.8
1.70
1.70
3.7
0.37
0.17
0.08
符号
R
1
/R
2
条件
民
典型值
0.047
0.1
0.10
0.21
0.21
0.47
0.47
1.0
1.0
2.13
2.14
4.7
1.2
2.60
2.60
5.7
0.57
0.25
0.12
最大
单位
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
UNR2210的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
60
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
正向电流传输比H
FE
50
集电极电流I
C
（MA ）
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
100
40
0.4毫安
0.5毫安
0.6毫安
0.7毫安
0.1毫安
30
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
20
10
0
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
3
UNR221x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2211的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
120
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
25°C
0.1
25C
200
25°C
100
25°C
0.2毫安
40
T
a
=
75°C
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
IN
I
O
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
SJH00010CED
UNR221x系列
UNR2212的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
120
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
（MA ）
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UNR2213的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
25°C
1
200
40
0.2毫安
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
T
a
=
75°C
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
SJH00010CED
5
晶体管具有内置电阻
UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
221D/221E/221F/221K/221L/221M/221N/221T/221V/221Z
NPN硅外延平面晶体管
对于数字电路
0.65±0.15
2.8
–0.3
+0.2
单位：mm
0.65±0.15
1.5
–0.05
+0.25
s
特点
0.95
q
2
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
标记符号（R
1
)
UN2211
8A
10k
UN2212
8B
22k
UN2213
8C
47k
UN2214
8D
10k
UN2215
8E
10k
UN2216
8F
4.7k
UN2217
8H
22k
UN2218
8I
0.51k
UN2219
8K
1k
UN2210
8L
47k
UN221D
8M
47k
UN221E
8N
47k
UN221F
8O
4.7k
UN221K
8P
10k
UN221L
8Q
4.7k
UN221M
EL
2.2k
UN221N
EX
4.7k
UN221T
EZ
22k
UN221V
FD
2.2k
UN221Z
FF
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
—
—
—
5.1k
10k
—
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
47k
47k
47k
2.2k
22k
1.1
–0.1
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
内部连接
R1
0-0.1
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
s
电阻产品型号
0.4
–0.05
+0.1
q
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装，设备，允许小型化，
自动插入通带包装和杂志的包装。
2.9
–0.05
1
1.9±0.2
+0.2
0.95
3
1.45
1
UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN2211
UN2212/2214/221E/221D/221M/221N/221T
UN2213
辐射源
截止
当前
UN2215/2216/2217/2210
UN221F/221K
UN2219
UN2218/221L/221V
UN221Z
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN2211
UN2212/221E
前锋
当前
转让
比
UN2213/2214/221M
UN2215*/2216*/2217*/2210*
UN221F/221D/2219
UN2218/221K/221L
UN221N/221T
UN221V
集电极到发射极饱和电压
UN221V
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN2213/221K
UN221D
UN221E
跃迁频率
UN2211/2214/2215/221K
UN2212/2217/221T
输入
电阻
tance
UN2213/221D/221E/2210
UN2216/221F/221L/221N/221Z
UN2218
UN2219
UN221M/221V
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
民
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
I
EBO
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
0.01
1.0
1.5
2.0
0.4
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
50
50
35
60
80
h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
160
30
20
80
60
V
CE （ SAT ）
V
OH
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1.5毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1k
V
OL
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 10V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 6V ，R
L
= 1k
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
150
10
22
47
R
1
(–30%)
4.7
0.51
1
2.2
(+30%)
k
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
兆赫
V
0.04
400
200
0.25
0.25
V
V
—
460
V
V
mA
单位
A
A
* h
FE
等级分类（ UN2215 / 2216 /二千二百十分之二千二百一十七）
秩
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
s
电气特性（续）
参数
UN2211/2212/2213/221L
UN2214
UN2218/2219
UN221D
电阻
tance
比
UN221E
UN221F/221T
UN221K
UN221M
UN211N
UN211V
UN211Z
R
1
/R
2
符号
(Ta=25C)
条件
民
0.8
0.17
0.08
典型值
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
2.13
0.047
0.1
1.0
0.21
最大
1.2
0.25
0.12
单位
3
UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
共同的特征图
P
T
- TA
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
UN2211的特性图
I
C
— V
CE
160
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
Ta=25C
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
120
100
80
60
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.2mA
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
25C
Ta=75C
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
UN2211/2212/2213/2214/2215/2216/2217/2218/2219/2210/
晶体管具有内置电阻221D / 221E / 221F / 221K / 221L / 221M / 221N / 221T / 221V / 221Z
UN2212的特性图
I
C
— V
CE
160
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
Ta=25C
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
120
100
80
0.3mA
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
200
25C
–25C
25C
Ta=75C
100
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN2213的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
400
Ta=25C
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
80
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
350
300
250
200
150
100
50
0
Ta=75C
25C
–25C
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
0.1mA
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
5
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