晶体管具有内置电阻
UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y
PNP硅外延平面晶体管
对于数字电路
s
特点
q
2.9
–0.05
2.8
–0.3
0.65±0.15
+0.2
单位：mm
0.65±0.15
1.5
–0.05
+0.25
0.95
q
1.9±0.2
0.95
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
迷你型封装，设备，允许小型化，
自动插入通带包装和杂志的包装。
1
+0.2
3
1.45
0-0.1
2
s
电阻产品型号
1.1
–0.1
+0.2
q
q
q
q
q
q
UN2121
UN2122
UN2123
UN2124
UN212X
UN212Y
标记符号（R
1
)
7A
2.2k
7B
4.7k
7C
10k
7D
2.2k
7I
0.27k
7Y
3.1k
(R
2
)
2.2k
4.7k
10k
10k
5k
4.6k
为0.1 0.3
0.4±0.2
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
0.8
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–500
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
R1
内部连接
C
B
R2
E
0.16
–0.06
+0.1
0.4
–0.05
+0.1
1
晶体管具有内置电阻
UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN212X
收藏家Cuto FF电流
UN212X
辐射源
截止
当前
UN2121
UN2122/212X/212Y
UN2123/2124
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
V
CBO
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -6V ， IC = 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
–50
40
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -100mA
50
60
20
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 500
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 500
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
200
2.2
4.7
R
1
(–30%)
10
0.27
3.1
0.8
R
1
/R
2
1.0
0.22
0.054
0.67
1.2
(+30%)
k
–4.9
– 0.2
– 0.25
– 0.25
– 0.15
V
V
兆赫
V
民
典型值
最大
–1
– 0.1
–1
– 0.5
–5
–2
–1
V
mA
单位
A
A
集电极 - 基极电压
前锋
当前
转让
比
UN2121
UN2122/212Y
UN2123/2124
UN212X
集电极到发射极饱和电压
UN212X
UN212Y
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
UN2121
输入
电阻
tance
UN2122
UN2123
UN212X
UN212Y
电阻率
UN2124
UN212X
UN212Y
共同的特征图
P
T
- TA
250
总功耗P
T
（ mW）的
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta （C ）
2
晶体管具有内置电阻
UN2121的特性图
I
C
— V
CE
–240
–100
UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
= –10V
–200
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–120
200
–80
100
25C
–40
–0.2mA
–0.1mA
–25C
–25C
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
12
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
–10000
–3000
集电极输出电容C
ob
（PF ）
10
输出电流I
O
(
A
)
8
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
6
4
2
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN2122的特性图
I
C
— V
CE
–300
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
= –10V
Ta=75C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–250
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
–25C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.0mA
–200
–0.9mA
–0.8mA
–150
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–100
–0.4mA
–0.3mA
–50
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
120
25C
Ta=75C
80
–25C
40
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
晶体管具有内置电阻
C
ob
— V
CB
24
UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
输出电流I
O
(
A
)
16
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN2123的特性图
I
C
— V
CE
–240
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–25C
–0.01
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
I
C
/I
B
=10
200
V
CE
= –10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
25C
150
–200
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–120
100
–25C
–80
–0.4mA
–0.3mA
50
–40
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
–10000
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
O
=–5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
–3000
20
输出电流I
O
(
A
)
16
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
晶体管具有内置电阻
UN2124的特性图
I
C
— V
CE
–300
UN2121/2122/2123/2124/212X/212Y
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
= –10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–250
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–1
–25C
25C
正向电流传输比H
FE
350
300
250
Ta=75C
200
150
100
50
0
–1
25C
–25C
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.0mA
–200
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–100
–0.4mA
–0.3mA
–50
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–150
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
–10000
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–3000
I
O
— V
IN
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
IN
— I
O
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
输出电流I
O
(
A
)
16
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN212X的特性图
I
C
— V
CE
–240
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
240
V
CE
= –10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–200
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
正向电流传输比H
FE
200
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.6mA
–160
–1.4mA
–1.2mA
–120
–1.0mA
–0.8mA
–80
–0.6mA
–40
–0.4mA
–0.2mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
160
Ta=75C
25C
80
–25C
40
120
Ta=75C
–25C
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
5
XN04381
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ，R
L
=
1 k
30%
0.8
47
1.0
150
4.9
0.2
+30%
1.2
80
0.25
民
50
50
0.1
0.5
0.1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
Tr2
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
V
CB
= 50
V，I
E
=
0
V
CE
= 50
V，I
B
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 100
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 5
mA
V
CC
= 5
V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
500
V
CC
= 5
V, V
B
= 3.5
V ，R
L
=
500
30%
0.8
4.7
1.0
200
4.9
0.2
+30%
1.2
50
0.25
民
50
50
1
1
2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
V
V
V
k
兆赫
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
500
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
2
SJJ00068BED
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ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
QQ：2881677436 复制
