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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第114页 > UN121D
晶体管具有内置电阻
UNR121x系列
( UN121x系列)
NPN硅外延平面型
单位:mm
对于数字电路
(0.4)
6.9
±0.1
(1.5)
(1.5)
3.5
±0.1
2.5
±0.1
(1.0)
(1.0)
2.0
±0.2
2.4
±0.2
1.0
±0.1
UNR1210
UNR1211
UNR1212
UNR1213
UNR1214
UNR1215
UNR1216
UNR1217
UNR1218
UNR1219
UNR121D
UNR121E
UNR121F
UNR121K
UNR121L
(UN1210)
(UN1211)
(UN1212)
(UN1213)
(UN1214)
(UN1215)
(UN1216)
(UN1217)
(UN1218)
(UN1219)
(UN121D)
(UN121E)
(UN121F)
(UN121K)
(UN121L)
(R
1
)
47 k
10 k
22 k
47 k
10 k
10 k
4.7 k
22 k
0.51 k
1 k
47 k
47 k
4.7 k
10 k
4.7 k
(R
2
)
10 k
22 k
47 k
47 k
5.1 k
10 k
10 k
22 k
10 k
4.7 k
4.7 k
3
(2.5)
2
(2.5)
1
1.25
±0.05
电阻产品型号
(0.85)
0.55
±0.1
0.45
±0.05
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
M- A1套餐
内部连接
R
1
B
R
2
E
C
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
400
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
注)括号内显示常规零件号的零件号。
出版日期: 2003年10月
SJH00003BED
4.1
±0.2
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量的
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及单独固定到所述印刷电路板
R 0.9
R 0.7
4.5
±0.1
特点
1
UNR121x系列
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
发射极 - 基
UNR1211
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安,我
B
=
0
V
CB
=
50 V,I
E
=
0
V
CE
=
50 V,I
B
=
0
V
EB
=
6 V,I
C
=
0
50
50
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
0.01
1.0
1.5
2.0
h
FE
V
CE
=
10 V,I
C
=
5毫安
35
60
80
160
30
20
V
CE ( SAT )
V
OH
V
OL
I
C
=
10毫安,我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
3.5 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
10 V ,R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
6 V ,R
L
=
1 k
f
T
R
1
V
CB
=
10 V,I
E
= 2
毫安,女
=
200兆赫
30%
80
10
22
47
4.7
0.51
1
R
1
/R
2
0.8
0.17
0.08
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
2.13
1.2
0.25
0.12
+30%
兆赫
k
4.9
0.2
0.25
V
V
V
460
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
截止目前UNR1212 / 1214 / 121D / 121E
(集电极开路) UNR1213
UNR1210/1215/1216/1217
UNR121F/121K
UNR1219
UNR1218/121L
正向电流UNR1211
传输比
UNR1212/121E
UNR1213/1214
UNR1210
*
/1215
*
/1216
*
/
1217
*
UNR1219/121D/121F
UNR1218/121K/121L
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
UNR1213/121K
UNR121D
UNR121E
跃迁频率
输入阻抗UNR1211 /一千二百一十五分之一千二百十四/ 121K
UNR1212/1217
UNR1210/1213/121D/121E
UNR1216/121F/121L
UNR1218
UNR1219
电阻比UNR1211 /一千二百一十三分之一千二百一十二/ 121L
UNR1214
UNR1218/1219
UNR121D
UNR121E
UNR121F
UNR121K
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类( UNR1110 / 1115 /一千一百一十七分之一千一百十六)
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
SJH00003BED
UNR121x系列
共同的特征图
P
T
T
a
500
总功耗P
T
( mW)的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(°C)
UNR1210的特性图
I
C
V
CE
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
60
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
100
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
I
C
/ I
B
=
10
50
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
10
300
T
a
=
75°C
25°C
200
25°C
100
40
0.4毫安
0.5毫安
0.6毫安
0.7毫安
0.1毫安
30
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
20
10
0
0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00003BED
3
UNR121x系列
UNR1211的特性图
I
C
V
CE
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
T
a
=
25°C
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
(MA )
120
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
25°C
0.1
25C
200
25°C
100
25°C
0.2毫安
40
T
a
=
75°C
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR1212的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
120
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
400
h
FE
I
C
V
CE
=
10 V
160
集电极电流I
C
(MA )
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
10
正向电流传输比H
FE
300
T
a
=
75°C
80
0.3毫安
1
T
a
=
75°C
200
25°C
25°C
25°C
0.1
25°C
40
0.2毫安
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.1
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
4
SJH00003BED
UNR121x系列
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
3
10
2
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
3
10
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UNR1213的特性图
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
0.5毫安
0.4毫安
80
0.3毫安
V
CE ( SAT )
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
100
I
C
/ I
B
=
10
h
FE
I
C
400
V
CE
=
10 V
160
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
120
10
300
T
a
=
75°C
25°C
25°C
1
200
40
0.2毫安
25°C
0.1
25°C
0.01
0.1
T
a
=
75°C
100
0.1毫安
0
0
2
4
6
8
10
12
1
10
100
0
1
10
100
1 000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
V
CB
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
6
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
I
O
V
IN
10
4
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
100
V
IN
I
O
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
5
输出电流I
O
(A)
4
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
10
2
1
2
10
0.1
1
0
0.1
1
10
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
100
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
SJH00003BED
5
晶体管具有内置电阻
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/
121D/121E/121F/121K/121L
NPN硅外延平面晶体管
对于数字电路
6.9±0.1
1.5
2.5±0.1
1.0
单位:mm
s
特点
q
q
0.4
1.5 R0.9
R0.9
2.4±0.2 2.0±0.2
0.85
0.55±0.1
0.45±0.05
s
电阻产品型号
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
UN1211
UN1212
UN1213
UN1214
UN1215
UN1216
UN1217
UN1218
UN1219
UN1210
UN121D
UN121E
UN121F
UN121K
UN121L
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
10k
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
5.1k
10k
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
3
2
1
2.5
2.5
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
M型模具包
内部连接
R1
1.25±0.05
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
400
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
4.1±0.2
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
3.5±0.1
1.0
4.5±0.1
1.0±0.1
R
0.
7
1
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN1211
UN1212/1214/121E/121D
辐射源
截止
当前
UN1213
UN1215/1216/1217/1210
UN121F/121K
UN1219
UN1218/121L
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN1211
前锋
当前
转让
UN1212/121E
UN1213/1214
UN1215*/1216*/1217*/1210*
UN121F/121D/1219
UN1218/121K/121L
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN1213/121K
UN121D
UN121E
跃迁频率
UN1211/1214/1215/121K
UN1212/1217
输入
电阻
tance
UN1213/121D/121E/1210
UN1216/121F/121L
UN1218
UN1219
UN1211/1212/1213/121L
UN1214
电阻
tance
UN1218/1219
UN121D
UN121E
UN121F
UN121K
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
I
EBO
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
0.01
1.0
1.5
2.0
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
50
50
35
60
h
FE
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
80
160
30
20
V
CE ( SAT )
V
OH
I
C
= 10毫安,我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ,R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ,R
L
= 1k
V
OL
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V ,R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 10V ,R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 6V ,R
L
= 1k
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
80
10
22
R
1
(–30%)
47
4.7
0.51
1
0.8
0.17
0.08
R
1
/R
2
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
2.13
1.2
0.25
0.12
(+30%)
k
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
兆赫
V
0.25
V
V
460
V
V
mA
单位
A
A
* h
FE
等级分类( UN1215 /一千二百十七分之一千二百十六/ 1210)
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
共同的特征图
P
T
- TA
500
总功耗P
T
( mW)的
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
UN1211的特性图
I
C
— V
CE
160
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
Ta=25C
V
CE ( SAT )
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
120
100
80
60
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.2mA
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
25C
Ta=75C
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V )
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
3
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
UN1212的特性图
I
C
— V
CE
160
V
CE ( SAT )
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
Ta=25C
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
120
100
80
0.3mA
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
Ta=75C
200
25C
–25C
25C
Ta=75C
100
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UN1213的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
400
Ta=25C
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
350
300
250
200
150
100
50
0
Ta=75C
25C
–25C
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
0.1mA
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
4
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UN1214的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
400
V
CE
=10V
30
10
3
1
0.3
Ta=75C
0.1
0.03
0.01
0.1
25C
I
B
=1.0mA
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
140
350
300
250
200
25C
150
–25C
100
50
0
Ta=75C
0.2mA
0.1mA
10
12
–25C
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
10000
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
3000
I
O
— V
IN
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
5
晶体管具有内置电阻
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/1219/1210/
121D/121E/121F/121K/121L
NPN硅外延平面晶体管
对于数字电路
6.9±0.1
1.5
2.5±0.1
1.0
单位:mm
s
特点
q
q
0.4
1.5 R0.9
R0.9
2.4±0.2 2.0±0.2
0.85
0.55±0.1
0.45±0.05
s
电阻产品型号
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
UN1211
UN1212
UN1213
UN1214
UN1215
UN1216
UN1217
UN1218
UN1219
UN1210
UN121D
UN121E
UN121F
UN121K
UN121L
(R
1
)
10k
22k
47k
10k
10k
4.7k
22k
0.51k
1k
47k
47k
47k
4.7k
10k
4.7k
(R
2
)
10k
22k
47k
47k
5.1k
10k
10k
22k
10k
4.7k
4.7k
3
2
1
2.5
2.5
1 :基本
2 :收藏家
3 :发射器
M型模具包
内部连接
R1
1.25±0.05
C
B
R2
E
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
400
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
4.1±0.2
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
3.5±0.1
1.0
4.5±0.1
1.0±0.1
R
0.
7
1
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN1211
UN1212/1214/121E/121D
辐射源
截止
当前
UN1213
UN1215/1216/1217/1210
UN121F/121K
UN1219
UN1218/121L
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
UN1211
前锋
当前
转让
UN1212/121E
UN1213/1214
UN1215*/1216*/1217*/1210*
UN121F/121D/1219
UN1218/121K/121L
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
UN1213/121K
UN121D
UN121E
跃迁频率
UN1211/1214/1215/121K
UN1212/1217
输入
电阻
tance
UN1213/121D/121E/1210
UN1216/121F/121L
UN1218
UN1219
UN1211/1212/1213/121L
UN1214
电阻
tance
UN1218/1219
UN121D
UN121E
UN121F
UN121K
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
首席执行官
条件
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
CE
= 50V ,我
B
= 0
典型值
最大
0.1
0.5
0.5
0.2
0.1
I
EBO
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
0.01
1.0
1.5
2.0
V
CBO
V
首席执行官
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
50
50
35
60
h
FE
V
CE
= 10V ,我
C
= 5毫安
80
160
30
20
V
CE ( SAT )
V
OH
I
C
= 10毫安,我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ,R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ,R
L
= 1k
V
OL
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V ,R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 10V ,R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 6V ,R
L
= 1k
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= -2mA , F = 200MHz的
80
10
22
R
1
(–30%)
47
4.7
0.51
1
0.8
0.17
0.08
R
1
/R
2
1.0
0.21
0.1
4.7
2.14
0.47
2.13
1.2
0.25
0.12
(+30%)
k
4.9
0.2
0.2
0.2
0.2
兆赫
V
0.25
V
V
460
V
V
mA
单位
A
A
* h
FE
等级分类( UN1215 /一千二百十七分之一千二百十六/ 1210)
h
FE
Q
160至260
R
210 340
S
290 460
2
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
共同的特征图
P
T
- TA
500
总功耗P
T
( mW)的
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
环境温度Ta (C )
UN1211的特性图
I
C
— V
CE
160
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
Ta=25C
V
CE ( SAT )
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
120
100
80
60
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
Ta=75C
200
25C
100
–25C
0.2mA
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
25C
Ta=75C
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
300
100
30
10
3
输入电压V
IN
(V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V )
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
3
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
UN1212的特性图
I
C
— V
CE
160
V
CE ( SAT )
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
Ta=25C
140
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
120
100
80
0.3mA
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
30
10
3
1
0.3
0.1
–25C
0.03
0.01
0.1
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
(MA )
300
Ta=75C
200
25C
–25C
25C
Ta=75C
100
0.1mA
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UN1213的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
I
C
/I
B
=10
400
Ta=25C
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
350
300
250
200
150
100
50
0
Ta=75C
25C
–25C
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
0.1mA
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
4
UN1211/1212/1213/1214/1215/1216/1217/1218/
晶体管具有内置电阻
1219/1210/121D/121E/121F/121K/121L
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
(MA )
UN1214的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE ( SAT )
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
400
V
CE
=10V
30
10
3
1
0.3
Ta=75C
0.1
0.03
0.01
0.1
25C
I
B
=1.0mA
集电极电流I
C
(MA )
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
正向电流传输比H
FE
140
350
300
250
200
25C
150
–25C
100
50
0
Ta=75C
0.2mA
0.1mA
10
12
–25C
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
C
ob
— V
CB
6
10000
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
3000
I
O
— V
IN
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
(PF )
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
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输入电压V
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输出电流I
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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