晶体管具有内置电阻
UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y
PNP硅外延平面晶体管
对于数字电路
s
特点
q
q
单位：mm
6.9±0.1
1.5
2.5±0.1
1.0
1.0±0.1
R
0.
7
成本可以通过设备的小型化降低和
减少零件的数量。
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
0.4
1.5 R0.9
R0.9
3.5±0.1
1.0
2.4±0.2 2.0±0.2
0.45±0.05
2
1
2.5
0.85
s
电阻产品型号
q
q
q
q
q
q
UN1121
UN1122
UN1123
UN1124
UN112X
UN112Y
(R
1
)
2.2k
4.7k
10k
2.2k
0.27k
3.1k
(R
2
)
2.2k
4.7k
10k
10k
5k
4.6k
0.55±0.1
3
2.5
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
M型模具包
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–50
–50
–500
600
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
R1
内部连接
1.25±0.05
C
B
R2
E
4.1±0.2
4.5±0.1
1
晶体管具有内置电阻
UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
UN112X
收藏家Cuto FF电流
UN112X
辐射源
截止
当前
UN1121
UN1122/112X/112Y
UN1123/1124
(Ta=25C)
符号
I
CBO
I
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
V
CBO
条件
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
–50
40
h
FE
V
CE
= -10V ，我
C
= -100mA
50
60
20
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= - 0.3毫安
I
C
= -50mA ，我
B
= -5mA
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 500
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 500
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
200
2.2
4.7
R
1
(–30%)
10
0.27
3.1
0.8
1.0
0.22
0.054
0.67
1.2
(+30%)
k
–4.9
– 0.2
– 0.25
– 0.25
– 0.15
V
V
兆赫
V
民
典型值
最大
–1
– 0.1
–1
– 0.5
–5
–2
–1
V
mA
单位
A
A
集电极 - 基极电压
前锋
当前
转让
比
UN1121
UN1122/112Y
UN1123/1124
UN112X
集电极到发射极饱和电压
UN112X
UN112Y
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
UN1121
输入
电阻
tance
UN1122
UN1123
UN112X
UN112Y
电阻率
UN1124
UN112X
UN112Y
R
1
/R
2
共同的特征图
P
T
- TA
800
总功耗P
T
（ mW）的
600
400
200
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
2
晶体管具有内置电阻
UN1121的特性图
I
C
— V
CE
–240
–100
UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
= –10V
–200
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–120
200
–80
100
25C
–40
–0.2mA
–0.1mA
–25C
–25C
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
12
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
–10000
–3000
集电极输出电容C
ob
（PF ）
10
输出电流I
O
(
A
)
8
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
6
4
2
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN1122的特性图
I
C
— V
CE
–300
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
160
V
CE
= –10V
Ta=75C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–250
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
–25C
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.0mA
–200
–0.9mA
–0.8mA
–150
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–100
–0.4mA
–0.3mA
–50
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
120
25C
Ta=75C
80
–25C
40
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
晶体管具有内置电阻
C
ob
— V
CB
24
UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y
I
O
— V
IN
V
IN
— I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
输出电流I
O
(
A
)
16
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN1123的特性图
I
C
— V
CE
–240
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–100
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–25C
–0.01
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
I
C
/I
B
=10
200
V
CE
= –10V
h
FE
— I
C
Ta=75C
25C
150
–200
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
–120
100
–25C
–80
–0.4mA
–0.3mA
50
–40
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
–10000
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
O
=–5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
–100
–30
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
–3000
20
输出电流I
O
(
A
)
16
–300
–100
–30
–10
–3
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
晶体管具有内置电阻
UN1124的特性图
I
C
— V
CE
–300
UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
= –10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–250
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–1
–25C
25C
正向电流传输比H
FE
350
300
250
Ta=75C
200
150
100
50
0
–1
25C
–25C
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.0mA
–200
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–100
–0.4mA
–0.3mA
–50
–0.2mA
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–150
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
24
–10000
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–3000
I
O
— V
IN
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
IN
— I
O
V
O
= –0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
20
输出电流I
O
(
A
)
16
输入电压V
IN
(V)
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
12
8
4
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
UN112X的特性图
I
C
— V
CE
–240
V
CE （ SAT ）
— I
C
–100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
240
V
CE
= –10V
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
–200
–30
–10
–3
–1
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
正向电流传输比H
FE
200
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=–1.6mA
–160
–1.4mA
–1.2mA
–120
–1.0mA
–0.8mA
–80
–0.6mA
–40
–0.4mA
–0.2mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
160
Ta=75C
25C
80
–25C
40
120
Ta=75C
–25C
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
5
QQ：2880707522 复制
