添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第102页 > UMZ7N
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMZ7 / UMZ7N
特点
1 )兼具2SA2018芯片和2SC5585芯片的EMT或
UMT包。
2 )安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
5 )低V
CE ( SAT )
外形尺寸
(单位:毫米)
EMZ7
UMZ7N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.22
0.2
(5)
(6)
(2)
(6)
1.2
1.6
0.13
1.25
0.5
2.1
0.15
每根导线具有相同的尺寸
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
结构
NPN / PNP外延平面硅晶体管
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号
: Z7
缩写符号
: Z7
等效电路
EMZ7 / UMZ7N
(3)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(4)
(5)
(6)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
6
500
1
Tr
2
15
12
6
500
1
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
150(TOTAL)
150
55
to
+150
1
每个单元1 120MW不得超过。
Rev.A的
(1)
(1)
1/4
2.0
(5)
(2)
(4)
(3)
0.5 0.5
1.0
1.6
(3)
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
Tr
1
( NPN )
参数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
90
320
7.5
马克斯。
0.1
0.1
250
680
单位
V
V
V
A
A
mV
兆赫
pF
I
C
=
10A
I
C
=
1mA
I
E
=
10A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
200毫安/ 10毫安
V
CE
/I
C
=
2V/10mA
V
CE
=
2V ,我
C
=
10mA,
F = 100MHz的
V
CB
=
10V ,我
E
=
0A , F = 1MHz的
条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
Tr
2
( PNP)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
0.1
0.1
250
680
单位
V
V
V
A
A
mV
兆赫
pF
I
C
=
10A
I
C
=
1mA
I
E
=
10A
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
条件
I
C
/I
B
=
200mA/10mA
V
CE
/I
C
=
2V/10mA
V
CE
=
2V,
I
C
=
10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
=
10V,
I
E
=
0A , F = 1MHz的
包装规格
包装类型
CODE
产品型号
UMZ7N
EMZ7
TAPING
TR
3000
T2R
8000
基本订购单位(件)
Rev.A的
2/4
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
电气特性曲线
Tr
1
( NPN )
1000
集电极电流:我
C
(MA )
V
CE
=2V
1000
500
直流电流增益:H
FE
Ta=125°C
25°C
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
V
CE
=2V
1000
I
C
/I
B
=20
500
200
500
200
100
50
20
10
5
2
1
40°C
200
100
50
20
10
100
50
25
°C
25
°C
Ta=125°C
25°C
40°C
20
10
5
2
TA = 1
4
0
°C
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
1
1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与
集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
Ι
)
集电极饱和电压: V
CE
(SAT)
(V)
Ta=25°C
盐基饱和电压: V
BE
(SAT)
(毫伏)
1000
500
200
100
50
20
I
C
/I
B
=
50
10
5
2
10000
5000
Ta=40°C
25°C
125°C
I
C
/I
B
=20
1000
500
200
100
2000
1000
V
CE =
2V
Ta
=
25C
脉冲
f
T (
MH
Z)
500
200
100
50
20
10
50
20
10
5
2
1
20
10
1
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
1
2
5
10 20
50 100 200 5001000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
ΙΙ
)
图5基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6集电极输出电容
发射器的输入电容与基极电压
发射极输入电容: CIB (PF )
集电极输出电容:玉米棒(PF )
1000
500
200
100
50
I
E=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
兴业银行
20
10
5
2
1
COB
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20
50 100
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图7集电极输出电容
VS集电极 - 基极电压
发射极输入电容
VS发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/4
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
Tr
2
( PNP)
V
CE
=2V
V
CE
=2V
集电极饱和电压: V
CE
(SAT)
(V)
1000
集电极电流:我
C
(MA )
1000
500
直流电流增益:H
FE
Ta=125°C
1000
I
C
/I
B
=20
500
200
100
50
C
500
200
100
Ta=125°C
Ta=25°C
200
100
50
20
10
5
2
TA
40°C
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
Ta=25
°
C
20
10
5
2
1
0
Ta=12
5
TA = -40℃
Ta=25C
TA
40°C
0.5
1.0
1.5
1
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
20
50 100 200
500 1000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图8发射极接地传播
特征
图9直流电流增益与
集电极电流
图10集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
Ι
)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
I
C
/ I
B
=50
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=10
5000
2000
1000
500
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25°C
BASER饱和电压: V
BE
(SAT)
(毫伏)
1000
10000
I
C
/I
B
=20
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
V
CE
=2V
Ta=25°C
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
50 100 200
500 1000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
C
(MA )
图11集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图12基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图13增益带宽积主场迎战
发射极电流
发射极输入电容: CIB ( F)
集电极输出电容:玉米棒(PF )
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
COB
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
10 20
50 100
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
Fig.14
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMZ7 / UMZ7N
!
特点
1 )兼具2SA2018芯片和2SC5585芯片的EMT或
UMT包。
2 )安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
5 )低V
CE ( SAT )
!
外形尺寸
(单位:毫米)
EMZ7
UMZ7N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.22
0.2
(5)
(6)
(2)
(6)
1.2
1.6
0.13
1.25
0.5
2.1
0.15
每根导线具有相同的尺寸
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
!
结构
NPN / PNP外延平面硅晶体管
ROHM : EMT6
缩写符号
: Z7
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号
: Z7
!
等效电路
EMZ7 / UMZ7N
(3)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(4)
(5)
(6)
!
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
6
500
Tr
2
15
12
6
500
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
150(TOTAL)
150
55+150
1
每个单元1 120MW不得超过。
(1)
(1)
2.0
(5)
(2)
(4)
(3)
0.5 0.5
1.0
1.6
(3)
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
!
电气特性
( TA = 25°C )
Tr
1
( NPN )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
90
320
7.5
马克斯。
0.1
0.1
250
680
单位
V
V
V
A
A
mV
兆赫
pF
I
C=
10A
I
C=
1mA
I
E=
10A
V
CB ?
15V
V
EB =
6V
I
C
/I
B=
200mA/10mA
V
CE
/I
C=
2V/10mA
V
CE =
2V ,我
C=
10mA,
f
=
100MHz
V
CB ?
10V ,我
E=
0A ,女
=
1MHz
条件
Tr
2
( PNP)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
0.1
0.1
250
680
单位
V
V
V
A
A
mV
兆赫
pF
I
C=
10A
I
C=
1mA
I
E=
10A
V
CB ?
15V
V
EB =
6V
I
C
/I
B=
200mA/10mA
V
CE
/I
C=
2V/10mA
V
CE =
2V,
I
C=
10毫安,女
=
100MHz
V
CB ?
10V,
I
E=
0A ,女
=
1MHz
条件
!
包装规格
包装类型
CODE
产品型号
UMZ7N
EMZ7
基本订购单位(件)
TAPING
TR
3000
T2R
8000
!
电气特性曲线
Tr
1
( NPN )
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
1000
集电极电流:我
C
(MA )
V
CE
=2V
1000
500
直流电流增益:H
FE
Ta=125°C
25°C
40°C
V
CE
=2V
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=125°C
25°C
40°C
I
C
/I
B
=20
500
200
100
50
25
°C
25
°C
4
0
°C
200
100
50
20
10
5
2
20
10
5
2
1
TA = 1
0
0.5
1.0
1.5
1
1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与
集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
Ι
)
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
集电极饱和电压: V
CE
(SAT)
(V)
盐基饱和电压: V
BE
(SAT)
(毫伏)
1000
500
200
100
50
20
I
C
/I
B
=
50
10
5
2
10000
1000
Ta=25°C
I
C
/I
B
=20
Ta=40°C
25°C
125°C
5000
2000
1000
500
200
100
V
CE =
2V
Ta
=
25C
脉冲
f
T (
MH
Z)
500
200
100
50
20
10
50
20
10
5
2
1
20
10
1
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
1
2
5
10 20
50 100 200 5001000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
ΙΙ
)
图5基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6集电极输出电容
发射极输入电容
与基极电压
发射极输入电容: CIB (PF )
集电极输出电容:玉米棒(PF )
1000
500
200
100
50
兴业银行
20
10
5
2
1
COB
I
E=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20
50 100
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图7集电极输出电容
VS集电极 - 基极电压
发射极输入电容
VS发射极 - 基极电压
Tr
2
( PNP)
V
CE
=2V
V
CE
=2V
集电极饱和电压: V
CE
(SAT)
(V)
1000
1000
500
直流电流增益:H
FE
Ta=125°C
1000
I
C
/I
B
=20
500
200
100
Ta=125°C
集电极电流:我
C
(MA )
500
200
100
50
Ta=12
5C
Ta=25°C
200
100
50
20
10
5
2
TA
40°C
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
Ta=25
°
C
20
10
5
2
1
0
TA = -40℃
Ta=25C
TA
40°C
0.5
1.0
1.5
1
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
20
50 100 200
500 1000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图8发射极接地传播
特征
图9直流电流增益与
集电极电流
图10集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
Ι
)
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
I
C
/ I
B
=50
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=10
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25°C
BASER饱和电压: V
BE
(SAT)
(毫伏)
1000
10000
5000
2000
1000
500
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
I
C
/I
B
=20
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
V
CE
=2V
Ta=25°C
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
50 100 200
500 1000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
C
(MA )
图11集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图12基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图13增益带宽积主场迎战
发射极电流
发射极输入电容: CIB ( F)
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
COB
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
10 20
50 100
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
Fig.14
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMZ7/UMZ7N
特点
1 )兼具2SA2018芯片和2SC5585芯片的EMT或
UMT包。
2 )安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
5 )低V
CE ( SAT )
外形尺寸
(单位:毫米)
EMZ7
UMZ7N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.22
0.2
(5)
(6)
(2)
(6)
1.2
1.6
0.13
1.25
0.5
2.1
0.15
每根导线具有相同的尺寸
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
结构
NPN / PNP外延平面硅晶体管
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号
: Z7
缩写符号
: Z7
等效电路
EMZ7 / UMZ7N
(3)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(4)
(5)
(6)
绝对最大额定值
( TA = 25℃ )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
6
500
1
Tr
2
15
12
6
500
1
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
150(TOTAL)
150
55
to
+150
1
每个单元1 120MW不得超过。
Rev.A的
(1)
(1)
1/4
2.0
(5)
(2)
(4)
(3)
0.5 0.5
1.0
1.6
(3)
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
电气特性
( TA = 25℃ )
Tr
1
( NPN )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
90
320
7.5
马克斯。
0.1
0.1
250
680
单位
V
V
V
μA
μA
mV
兆赫
pF
I
C
=
10μA
I
C
=
1mA
I
E
=
10μA
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
200毫安/ 10毫安
V
CE
/I
C
=
2V/10mA
V
CE
=
2V ,我
C
=
10mA,
F = 100MHz的
V
CB
=
10V ,我
E
=
0A , F = 1MHz的
条件
Tr
2
( PNP)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
0.1
0.1
250
680
单位
V
V
V
μA
μA
mV
兆赫
pF
I
C
=
10μA
I
C
=
1mA
I
E
=
10μA
V
CB
=
15V
V
EB
=
6V
I
C
/I
B
=
200mA/10mA
V
CE
/I
C
=
2V/10mA
V
CE
=
2V,
I
C
=
10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
=
10V,
I
E
=
0A , F = 1MHz的
条件
包装规格
包装类型
CODE
产品型号
UMZ7N
EMZ7
TAPING
TR
3000
T2R
8000
基本订购单位(件)
Rev.A的
2/4
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
电气特性曲线
Tr
1
( NPN )
1000
集电极电流:我
C
(MA )
V
CE
=2V
1000
500
直流电流增益:H
FE
Ta=125°C
25°C
40°C
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
V
CE
=2V
1000
I
C
/I
B
=20
500
200
100
50
TA = 1
25
°C
25
°C
4
0
°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
200
100
50
20
10
5
2
Ta=125°C
25°C
40°C
20
10
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
1
1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与
集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
Ι
)
集电极饱和电压: V
CE
(SAT)
(V)
Ta=25°C
盐基饱和电压: V
BE
(SAT)
(毫伏)
1000
500
200
100
50
20
I
C
/I
B
=
50
10
5
2
10000
5000
2000
1000
Ta=40°C
25°C
125°C
I
C
/I
B
=20
1000
500
200
100
V
CE =
2V
Ta
=
25C
脉冲
f
T (
MH
Z)
500
200
100
50
20
10
50
20
10
5
2
1
20
10
1
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
1
2
5 10 20
50 100 200 5001000
1
2
5
10 20
50 100 200 5001000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
图4集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
ΙΙ
)
图5基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6集电极输出电容
发射器的输入电容与基极电压
发射极输入电容: CIB (PF )
集电极输出电容:玉米棒(PF )
1000
500
200
100
50
I
E=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
兴业银行
20
10
5
2
1
COB
0.1 0.2
0.5 1
2
5 10 20
50 100
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
图7集电极输出电容
VS集电极 - 基极电压
发射极输入电容
VS发射极 - 基极电压
Rev.A的
3/4
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
Tr
2
( PNP)
V
CE
=2V
V
CE
=2V
集电极饱和电压: V
CE
(SAT)
(V)
1000
集电极电流:我
C
(MA )
1000
500
直流电流增益:H
FE
Ta=125°C
1000
I
C
/I
B
=20
500
200
100
50
Ta=12
5C
500
200
100
Ta=125°C
Ta=25°C
200
100
50
20
10
5
2
TA
40°C
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
Ta=25
°
C
20
10
5
2
1
0
TA = -40℃
Ta=25C
TA
40°C
0.5
1.0
1.5
1
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
20
50 100 200
500 1000
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
图8发射极接地传播
特征
图9直流电流增益与
集电极电流
图10集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流(
Ι
)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
I
C
/ I
B
=50
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=10
5000
2000
1000
500
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25°C
BASER饱和电压: V
BE
(SAT)
(毫伏)
1000
10000
I
C
/I
B
=20
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
V
CE
=2V
Ta=25°C
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
50 100 200
500 1000
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
C
(MA )
图11集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图12基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图13增益带宽积主场迎战
发射极电流
发射极输入电容: CIB ( F)
集电极输出电容:玉米棒(PF )
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
COB
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
10 20
50 100
发射极 - 基极电压: V
EB
(V)
Fig.14
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
查看更多UMZ7NPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UMZ7N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
UMZ7N
ROHM/罗姆
24+
16950
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
UMZ7N
ROHM
20+
3168
NA
真实库存只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
UMZ7N
ROHM
1922+
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
UMZ7N
ROHM
20+
150000
SMDDIP
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
UMZ7N
ROHM/罗姆
15+
150000
SMDDIP
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
UMZ7N
ROHM/罗姆
22+
33000
SMDDIP
百分百进口正品原装现货 支持实单!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
UMZ7N
ROHM/罗姆
24+
21000
SMDDIP
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355507163 复制 点击这里给我发消息 QQ:2355507169 复制

电话:755-83210909 / 83616256
联系人:夏先生
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室(亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
UMZ7N
ROHM
22+
39000
SOT-363
★正规进口原厂正品★绝对优势热卖★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
UMZ7N
ROHM/罗姆
21+
16500
SMDDIP
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
UMZ7N
ROHM
20+
150000
全新原装正品/质量有保证
查询更多UMZ7N供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!