EMZ7 / UMZ7N
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMZ7 / UMZ7N
特点
1 )兼具2SA2018芯片和2SC5585芯片的EMT或
UMT包。
2 )安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
5 )低V
CE ( SAT )
外形尺寸
(单位:毫米)
EMZ7
UMZ7N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.22
0.2
(5)
(6)
(2)
(6)
1.2
1.6
0.13
1.25
0.5
2.1
0.15
每根导线具有相同的尺寸
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
结构
NPN / PNP外延平面硅晶体管
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号
: Z7
缩写符号
: Z7
等效电路
EMZ7 / UMZ7N
(3)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(4)
(5)
(6)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
6
500
1
Tr
2
15
12
6
500
1
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
150(TOTAL)
150
55
to
+150
1
每个单元1 120MW不得超过。
Rev.A的
(1)
(1)
1/4
2.0
(5)
(2)
(4)
(3)
0.5 0.5
1.0
1.6
(3)
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMZ7 / UMZ7N
!
特点
1 )兼具2SA2018芯片和2SC5585芯片的EMT或
UMT包。
2 )安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
5 )低V
CE ( SAT )
!
外形尺寸
(单位:毫米)
EMZ7
UMZ7N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.22
0.2
(5)
(6)
(2)
(6)
1.2
1.6
0.13
1.25
0.5
2.1
0.15
每根导线具有相同的尺寸
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
!
结构
NPN / PNP外延平面硅晶体管
ROHM : EMT6
缩写符号
: Z7
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号
: Z7
!
等效电路
EMZ7 / UMZ7N
(3)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(4)
(5)
(6)
!
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
6
500
Tr
2
15
12
6
500
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
150(TOTAL)
150
55+150
1
每个单元1 120MW不得超过。
(1)
(1)
2.0
(5)
(2)
(4)
(3)
0.5 0.5
1.0
1.6
(3)
EMZ7 / UMZ7N
晶体管
通用晶体管
(双晶体管)
EMZ7/UMZ7N
特点
1 )兼具2SA2018芯片和2SC5585芯片的EMT或
UMT包。
2 )安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
5 )低V
CE ( SAT )
外形尺寸
(单位:毫米)
EMZ7
UMZ7N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.22
0.2
(5)
(6)
(2)
(6)
1.2
1.6
0.13
1.25
0.5
2.1
0.15
每根导线具有相同的尺寸
0.1Min.
0to0.1
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
结构
NPN / PNP外延平面硅晶体管
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号
: Z7
缩写符号
: Z7
等效电路
EMZ7 / UMZ7N
(3)
(2)
(1)
Tr
1
Tr
2
(4)
(5)
(6)
绝对最大额定值
( TA = 25℃ )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
6
500
1
Tr
2
15
12
6
500
1
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
150(TOTAL)
150
55
to
+150
1
每个单元1 120MW不得超过。
Rev.A的
(1)
(1)
1/4
2.0
(5)
(2)
(4)
(3)
0.5 0.5
1.0
1.6
(3)
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1