UMZ1NT1
典型电气特性： PNP晶体管
200
I
C
，集电极电流（毫安）
= 2.0毫安
160
= 1.5毫安
= 1.0毫安
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 100°C
1000
120
-0.5毫安
80
I
B
= -0.2毫安
40
T
A
= 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
25°C
100
25°C
10
1
V
CE
= 1.0 V
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
图1.集电极饱和区
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（ V）
图2.直流电流增益
1000
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 100°C
25°C
0.1
25°C
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 100°C
25°C
100
25°C
10
1
V
CE
= 6.0 V
10
100
1000
0.01
1
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.直流电流增益
图4. V
CE （ SAT ）
与我
C
10
基射极饱和
电压（V）的
10,000
共发射极
V
CE
= 6 V
I
B
，基极电流（毫安）
1000
25°C
T
A
= 100°C
25°C
100
1
10
T
A
= 25°C
I
C
/I
B
= 10
10
100
1000
1
0.1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
V
BE
，基极发射极电压（V）的
1
0.1
1
I
C
，集电极电流（毫安）
图5. V
BE （ SAT ）
与我
C
图6.基射极电压
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3
UMZ1NT1
包装尺寸
SC88/SC706/SOT363
CASE 419B -02
ISSUE W
D
e
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419B -01已过时，新标准419B -02 。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.80
0.95
1.10
0.00
0.05
0.10
0.20 REF
0.10
0.21
0.30
0.10
0.14
0.25
1.80
2.00
2.20
1.15
1.25
1.35
0.65 BSC
0.10
0.20
0.30
2.00
2.10
2.20
英寸
喃最大
0.037 0.043
0.002 0.004
0.008 REF
0.004 0.008 0.012
0.004 0.005 0.010
0.070 0.078 0.086
0.045 0.049 0.053
0.026 BSC
0.004 0.008 0.012
0.078 0.082 0.086
民
0.031
0.000
6
5
4
H
E
1
2
3
E
b
6 PL
0.2 (0.008)
M
E
M
暗淡
A
A1
A3
b
C
D
E
e
L
H
E
A3
C
A
A1
L
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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