EMX4 / UMX4N / IMX4
晶体管
高转换频率（双晶体管）
EMX4 / UMX4N / IMX4
!
特点
1 ）两个2SC3837K芯片在EMT或UMT或SMT封装。
2）高的过渡频率。 （F
T
=1.5GHz)
3 ）低输出电容。 （COB = 0.95pF ）
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMX4
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
!
等效电路
EMX4 / UMX4N
(3)
(2)
(1)
IMX4
(4)
(5)
(6)
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
UMX4N
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(4)
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
2.0
0.2
(5)
(6)
1.25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMX4 / UMX4N
IMX4
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
范围
30
18
3
50
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
0.15
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
2.1
0~0.1
0.1Min.
1
2
IMX4
(6)
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
0.3
(5)
(4)
1.6
2.8
!
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMX4
EMT6
X4
T2R
8000
UMX4N
UMT6
X4
TR
3000
IMX4
SMT6
X4
T108
3000
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
0.15
0.3Min.
0~0.1
每根导线具有相同的尺寸
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
h
FE
配对
跃迁频率
输出电容
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
h
FE1 /
h
FE2
f
T
COB
分钟。
30
18
3
27
0.5
600
典型值。
1
1500
0.95
马克斯。
0.5
0.5
270
0.5
2
1.6
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=10V
V
EB
=2V
条件
V
CE
/I
C
=10V/10mA
I
C
/I
B
=20mA/4mA
V
CE
/I
C
=10V/10mA
V
CE
/I
C
=10V/10mA,
f=200MHz
V
CB
/ F = 10V / 1MHz时，我
E
=0A
(3)
(2)
(1)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
(2)
EMX4 / UMX4N / IMX4
晶体管
高转换频率（双晶体管）
EMX4 / UMX4N / IMX4
特点
1 ）两个2SC3837K芯片在EMT或UMT或SMT封装。
2）高的过渡频率。 （F
T
=1.5GHz)
3 ）低输出电容。 （COB = 0.9pF ）
等效电路
EMX4 / UMX4N
(3)
(2)
(1)
尺寸
（单位：毫米）
EMX4
IMX4
(4)
(5)
(6)
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
UMX4N
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMX4 / UMX4N
IMX4
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
范围
30
20
3
50
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
IMX4
每根导线具有相同的尺寸
1
2
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMX4
EMT6
X4
T2R
8000
UMX4N
UMT6
X4
TR
3000
IMX4
SMT6
X4
T108
3000
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
集电极 - 基极时间常数
噪声系数
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
COB
RBB '抄送
NF
分钟。
30
20
3
56
600
典型值。
1500
0.95
6
4.5
马克斯。
0.5
0.5
180
0.5
1.6
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
ps
dB
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=2V
条件
V
CE
/I
C
=10V/10mA
I
C
/I
B
=20mA/4mA
V
CE
/I
E
= 10V / -10mA ，
f=200MHz
V
CB
/ F = 10V / 1MHz时，我
E
=0A
V
CB
=10V,
I
C
=10mA
， F = 31.8MHz
V
CE
=12V,
I
C
=2mA
中，f = 200MHz的， RG = 50Ω
本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路。
REV.C
1/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。
ROHM
客户支持系统
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版权所有
2008罗姆股份有限公司。
美洲
/
欧洲
/
亚洲
/
日本
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站长@ rohm.co. JP
21西院Mizosaki町，右京区615-8585 ，日本
TEL ： + 81-75-311-2121
传真： + 81-75-315-0172
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