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UMX21N
晶体管
高转换频率（双晶体管）
UMX21N
特点
1 ）两个2SC4713K芯片在UMT包装。
2 ）极低的输出电阻。 （ RON）
3 ）低电容。
外形尺寸
（单位：毫米）
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
UMX21N
(4)
(3)
0.2
(6)
1.25
等效电路
UMX21N
(3)
(2)
(1)
2.1
0.15
0~0.1
0.1Min.
Tr
2
Tr
1
(4)
(5)
(6)
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
每个元素120MW不得超过。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
12
6
3
50
150
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
UMX21N
UMT6
X21
TR
3000
基本订购单位（件）
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
输出电阻
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
罗恩
分钟。
12
6
3
270
300
典型值。
800
1
2
马克斯。
0.5
0.5
0.3
560
1.7
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
=10A
I
C
=1mA
I
E
=10A
V
CB
=10V
V
EB
=2V
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
/I
C
=5V/10mA
V
CE
=5V,
I
E
= ?? 10毫安，
f=200MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0A,
f=1MHz
I
B
=3mA,
V
I
=100mVrms,
f=500kHz
条件
(1)
每根导线具有相同的尺寸
2.0
(5)
(2)
1/2
UMX21N
晶体管
电气特性曲线
10
集电极电流：我
C
（MA ）
125
°C
1.0
8
25mA
40
mA
30mA
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
0.2mA
40
6
20mA
15mA
30
0.1mA
30
4
10mA
20
20
2
5mA
10
I
B
=
0mA
0.4
0.5
10
0
0
1
2
3
I
B
=
0
A
4
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0
0
0.4
0.8
2
5
°C
25
°C
Ta
=
25°C
35mA
50
Ta
=
25°C
mA
A
0.5 0.4m
0.3mA
50
V
CE
=
5V
1.2
1.6
2.0
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
基地发射极电压： V
BE
(V)
Fig.1
接地发射极输出
Fig.2
接地发射极输出
Fig.3
发射极接地传播
特点（ ）
集气饱和电压： V
CE （ SAT ）
（MA ）
特性（
)
特征
直流电流传输比：H
FE
500
Ta=25°C
V
CE
=5V
增益带宽积：F
T
（兆赫）
1000
1000
500
2000
Ta=25°C
I
C
/I
B
=10
1000
500
Ta=25°C
V
CE
=5V
200
100
50
200
100
50
20
10
200
100
50
20
10
0.1 0.2
5
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
0.5
1
2
5
10 20
50
20
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
Fig.4
直流电流增益与集电极电流
Fig.5
集电极 - 发射极饱和
Fig.6
增益带宽积主场迎战
电压与集电极电流
集电极电流
20
20
输出电容：C
ob
（PF ）
反馈CAPACITIANCE ：C
re
（PF ）
10
5
Ta=25°C
f=1MHz
10
5
Ta=25°C
f=1MHz
50
Ta=25°C
f=500kHz
υi=100mVrms
R
L
=1k
ON RESISTANE ，R
on
()
0.5
1
2
5
10 20
50
20
10
5
2
1
0.5
2
1
0.5
2
0.2
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
0.2
0.1 0.2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
BASS电流：I
B
（MA ）
Fig.7
集电极输出电容
图8后退电容电压
Fig.9
输出导通电阻与
与电压
基极电流
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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联系人：刘经理
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