UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UML2502
N沟道功率MOSFET
描述
该
UML2502
采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作与低门
电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
功率MOSFET
特点
* R
DS （ ON）
< 45mΩ @ V
GS
= 4.5V
* R
DS （ ON）
< 80mΩ @ V
GS
= 2.5V
*超低栅极电荷（最大12NC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型66pF ）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力
符号
3.Drain
2.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅电镀
无卤
UML2502L - AE3 -R UML2502G - AE3 -R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
S
G
D
填料
带盘
记号
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2010 Unisonic技术有限公司
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QW-R502-227.B
UML2502
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
20
V
栅源电压
±12
V
连续漏电流V
GS
=4.5V
4.2
A
漏电流脉冲（注2 ）
33
A
最大功率耗散
1.25
W
P
D
线性降额因子
0.01
W/℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
结到环境
符号
θ
JA
评级
75 ~ 100
单位
℃/W
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
DSS
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
击穿电压温度系数
ΔBV
DSS
/ΔT
J
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
漏源导通电阻（注）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250μA
V
GS
=0V, V
DS
=16V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
参考25
℃
, I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4.2A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3.6A
民
20
1.0
±100
0.01
0.6
35
50
740
90
66
7.5
10
54
26
8.0
1.8
1.7
1.2
45
80
典型值
最大单位
V
A
nA
V/℃
V
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
ns
nC
动态特性
输入电容
C
国际空间站
V
GS
=0V, V
DS
=15V,
输出电容
C
OSS
f=1.0MHz
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间（注）
t
D（上）
开启上升时间
t
R
V
DS
= 10V ，R
G
=6, R
D
=10,
I
D
=1.0A
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
F
总栅极电荷（注）
Q
G
V
GS
=5.0V, V
DS
=10V,
门源电荷
Q
GS
I
D
=4.0A
闸漏极电荷
Q
GD
源 - 漏二极管额定值和特性
V
GS
= 0V时，我
S
= 1.3A ，T
J
=25℃
二极管的正向电压
V
SD
（注）
最大脉冲漏源极二极管
I
SM
正向电流
最大连续漏源二极管
I
S
正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
t
RR
Q
RR
I
F
= 1.3A ，的di / dt = 100A / μs的，
T
J
= 25 ℃ （注）
12
2.7
2.6
1.2
33
1.3
16
8.6
24
13
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QW-R502-227.B
UML2502
典型特征
漏极电流与源极到漏极电压
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
源极到漏极电压，V
SD
（毫伏）
10%
t
D（上）
t
R
功率MOSFET
开关时间波形
V
DS
90%
V
GS
t
D（关闭）
t
F
漏电流，我
D
(A)
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QW-R502-227.B
UML2502
功率MOSFET
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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