添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第68页 > UML12N
EML12 / UML12N
晶体管
通用晶体管
（隔离的晶体管和二极管）
EML12 / UML12N
2SC4617and RB521S -30在一个EMT5或UMT5包独立地收纳。
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
外形尺寸
（单位：毫米）
EMT5
1.6
0.5
1PIN MARK
特点
1 ）创业：低V
CE （ SAT ）
迪：低V
F
2 ）小型封装
1.0
0.5 0.5
(5) (4)
1.6
1.2
(1) (2) (3)
0.22
0.13
结构
NPN硅外延平面晶体管
肖特基二极管
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： L12
ROHM ： EMT5
下面的特点，适用于DI1和Tr2的。
UMT5
2.0
1.3
0.65 0.65
0.9
0.7
等效电路（ EML12 / UML12N ）
(5)
(4)
(5) (4)
1.25
Di1
Tr2
0.2
0.15
每根导线具有相同的尺寸
(1)
(2)
(3)
缩写符号： L12
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EML12
EMT5
L12
T2R
8000
UML12N
UMT5
L12
TR
3000
Rev.A的
0.1Min.
1PIN MARK
(1) (2) (3)
2.1
1/4
EML12 / UML12N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Di1
参数
符号
I
O
平均revtified正向电流
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹， 1∞ ）I
FSM
V
R
反向电压（DC）的
Tj
结温
范围
200
1
30
125
单位
mA
A
V
°C
Tr2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
Tj
范围
60
50
7
150
120
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
每个端子安装在一个推荐的。
DI1 / DTr2
参数
功耗
储存温度
符号
P
d
TSTG
范围
150
55
+125
单位
mW
°C
每个端子安装在一个推荐的。
电气特性
(Ta=25°C)
Di1
参数
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
0.40
4.0
马克斯。
0.50
30
单位
V
A
条件
I
F
=200mA
V
R
=10V
Tr2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
COB
60
50
7
180
180
2
0.1
0.1
0.4
390
3.5
V
V
V
A
A
V
兆赫
PF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
Rev.A的
2/4
EML12 / UML12N
晶体管
电气特性曲线
Di1
1
000
100000
100
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ UA）
10
Ta=75℃
1
0.1
0.01
1000
100
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
Ta=25℃
0.001
0
100
200
300
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
500
之间的电容
端子的CT （PF ）
100
Ta=125℃
10000
10
0
10
20
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
30
1
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
Tr2
50
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=6V
集电极电流：我
C
（MA ）
100
Ta=25C
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
0m
0.4
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25C
30A
27A
8
24A
21A
6
Ta=100C
25C
5
5C
60
0.25mA
0.20mA
18A
2
1
15A
4
40
0.15mA
12A
9A
2
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.10mA
20
6A
0.05mA
3A
0
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0A
2.0
I
B
=0A
4
8
12
16
20
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
500
500
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(
V)
Ta=25C
Ta=100C
V
CE
=5V
0.5
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
200
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
25C
55C
0.2
100
100
0.1
I
C
/I
B
=50
0.05
50
50
20
10
20
20
0.02
0.01
0.2
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与集电极
电流（I）
图5直流电流增益与集电极
电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
3/4
EML12 / UML12N
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
0.5
0.5
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
0.5
I
C
/I
B
=50
0.2
0.2
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
I
C
/I
B
=50
20
10
0.1
0.05
Ta=100C
25C
55C
Ta=100C
25C
55C
0.02
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
0.01
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（III）的
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
500
Ta=25C
V
CE
=6V
20
基地集热器时间常数：抄送
bb'
（ ps的）
10
兴业银行
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
Ta=25C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
100
200
5
50
100
2
Co
20
b
50
0.5
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
1
2
5
10
20
50 100
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
发射极电流：我
E
（MA ）
图10增益带宽积主场迎战
发射极电流
图11集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
图12中相应集电极时间常数与
发射极电流
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EML12 / UML12N
晶体管
通用晶体管
（隔离的晶体管和二极管）
EML12 / UML12N
2SC4617and RB521S -30在一个EMT5或UMT5包独立地收纳。
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
外形尺寸
（单位：毫米）
EMT5
1.6
0.5
1PIN MARK
特点
1 ）创业：低V
CE （ SAT ）
迪：低V
F
2 ）小型封装
1.0
0.5 0.5
(5) (4)
1.6
1.2
(1) (2) (3)
0.22
0.13
结构
NPN硅外延平面晶体管
肖特基二极管
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： L12
ROHM ： EMT5
下面的特点，适用于DI1和Tr2的。
UMT5
2.0
1.3
0.65 0.65
0.9
0.7
等效电路（ EML12 / UML12N ）
(5)
(4)
(5) (4)
1.25
Di1
Tr2
0.2
0.15
每根导线具有相同的尺寸
(1)
(2)
(3)
缩写符号： L12
ROHM ： UMT5
EIAJ ： SC- 88A
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EML12
EMT5
L12
T2R
8000
UML12N
UMT5
L12
TR
3000
Rev.A的
0.1Min.
1PIN MARK
(1) (2) (3)
2.1
1/4
EML12 / UML12N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Di1
参数
符号
I
O
平均revtified正向电流
正向电流浪涌峰值（ 60赫兹， 1∞ ）I
FSM
V
R
反向电压（DC）的
Tj
结温
范围
200
1
30
125
单位
mA
A
V
°C
Tr2
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
Tj
范围
60
50
7
150
120
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
每个端子安装在一个推荐的。
DI1 / DTr2
参数
功耗
储存温度
符号
P
d
TSTG
范围
150
55
+125
单位
mW
°C
每个端子安装在一个推荐的。
电气特性
(Ta=25°C)
Di1
参数
正向电压
反向电流
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
0.40
4.0
马克斯。
0.50
30
单位
V
A
条件
I
F
=200mA
V
R
=10V
Tr2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
COB
60
50
7
180
180
2
0.1
0.1
0.4
390
3.5
V
V
V
A
A
V
兆赫
PF
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
V
CB
=12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
条件
Rev.A的
2/4
EML12 / UML12N
晶体管
电气特性曲线
Di1
1
000
100000
100
Ta=125℃
Ta=75℃
Ta=25℃
Ta=-25℃
f=1MHz
正向电流IF （MA ）
反向电流： IR （ UA）
10
Ta=75℃
1
0.1
0.01
1000
100
10
1
0.1
0.01
Ta=-25℃
Ta=25℃
0.001
0
100
200
300
400
正向电压VF （MV ）
VF- IF特性
500
之间的电容
端子的CT （PF ）
100
Ta=125℃
10000
10
0
10
20
反向电压VR （ V）
VR -IR特性
30
1
0
5
10
15
反向电压VR （ V）
VR -CT特征
20
Tr2
50
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=6V
集电极电流：我
C
（MA ）
100
Ta=25C
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
0m
0.4
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25C
30A
27A
8
24A
21A
6
Ta=100C
25C
5
5C
60
0.25mA
0.20mA
18A
2
1
15A
4
40
0.15mA
12A
9A
2
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.10mA
20
6A
0.05mA
3A
0
0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0A
2.0
I
B
=0A
4
8
12
16
20
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
500
500
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(
V)
Ta=25C
Ta=100C
V
CE
=5V
0.5
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
200
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
25C
55C
0.2
100
100
0.1
I
C
/I
B
=50
0.05
50
50
20
10
20
20
0.02
0.01
0.2
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与集电极
电流（I）
图5直流电流增益与集电极
电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
3/4
EML12 / UML12N
晶体管
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
0.5
0.5
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
0.5
I
C
/I
B
=50
0.2
0.2
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
I
C
/I
B
=50
20
10
0.1
0.05
Ta=100C
25C
55C
Ta=100C
25C
55C
0.02
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
0.01
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（III）的
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
500
Ta=25C
V
CE
=6V
20
基地集热器时间常数：抄送
bb'
（ ps的）
10
兴业银行
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
Ta=25C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
100
200
5
50
100
2
Co
20
b
50
0.5
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
1
2
5
10
20
50 100
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
发射极电流：我
E
（MA ）
图10增益带宽积主场迎战
发射极电流
图11集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
图12中相应集电极时间常数与
发射极电流
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
查看更多UML12NPDF信息
推荐型号
UPD120N33T1B-E1-A
UEP1N330MDD
UCC2921D
USB0405C-T7
U2538B-MFPG3
UPD161602A
UPD703201
UPA1706
UGS3113LL
UA24H80FC
UPD42S4800V-70
UPW1A221MPD
UCC3911DP-3G4
UC2863QTR
UCC28500DWTR
UM66T08L
UPD17145GT
UPD424260G5-60
UH6PJ-M3/87A
UZS0J101MCL1GB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UML12N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
UML12N
ROHM
21+
16200
SOT-353
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
UML12N
ROHM
21+
16200
SOT-353
全新原装正品/质量有保证
查询更多UML12N供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！