UMH8N / IMH8A
晶体管
通用（双数字晶体管）
UMH8N / IMH8A
特点
1 ）两个DTC114T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
（单位：毫米）
(4)
(3)
UMH8N
0.2
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(6)
等效电路
UMH8N
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
(6)
1.25
2.1
0.15
IMH8A
(1)
R
1
R
1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
(1)
0~0.1
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
R
1
(4) (5)
(6)
R
1
(3) (2)
R
1
=10k
R
1
=10k
IMH8A
(6)
0.3
(5)
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
UMH8N
UMT6
H8
TR
3000
IMH8A
SMT6
H8
T108
3000
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
0.15
(4)
1.6
2.8
0.3Min.
0~0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
UMH8N
IMH8A
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
Pd
Tj
TSTG
1
2
°C
°C
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
(3)
(2)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
= -5mA ，
f=100MHz
0.7
Rev.A的
0.9
2.0
(5)
(2)
1/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UMH8N / IMH8A
晶体管
通用（双数字晶体管）
UMH8N / IMH8A
特点
1 ）两个DTC114T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
（单位：毫米）
(4)
(3)
UMH8N
0.2
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(6)
等效电路
UMH8N
(3)
(2)
(1)
(4)
(5)
(6)
1.25
2.1
0.15
IMH8A
(1)
R
1
R
1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
(1)
0~0.1
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
R
1
(4) (5)
(6)
R
1
(3) (2)
R
1
=10k
R
1
=10k
IMH8A
(6)
0.3
(5)
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
UMH8N
UMT6
H8
TR
3000
IMH8A
SMT6
H8
T108
3000
ROHM ： SMT6
EIAJ ： SC- 74
0.15
(4)
1.6
2.8
0.3Min.
0~0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
UMH8N
IMH8A
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
Pd
Tj
TSTG
1
2
°C
°C
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
(3)
(2)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
= -5mA ，
f=100MHz
0.7
Rev.A的
0.9
2.0
(5)
(2)
1/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2880707522 复制
