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EMG4 / UMG4N / FMG4A
NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管
(偏置电阻内置晶体管)
lOutline
参数
TR1和TR2
EMT5
(5)
(1)
(4)
(2)
(3)
(4)
(5)
数据表
UMT5
I
C(最大值)。
R
1
V
首席执行官
50V
100mA
10kW
SMT5
(3)
(2)
(1)
EMG4
(SC-107BB)
(1)
(2)
(5)
(4)
(3)
UMG4N
SOT- 353 ( SC- 88A )
lFeatures
1 )内置偏置电阻器。
2 )两DTC114T芯片在一个封装中。
3 )发射极常见的类型。
4 )内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻(请参见内部电路) 。
5)偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离,允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
6)仅在开/关的条件需要被设置
操作时,使电路设计容易。
7 )无铅/符合RoHS标准。
FMG4A
(SC-74A)
lInner
电路
EMG4 / UMG4N
BASE
(3)
辐射源
(2)
BASE
(1)
BASE
(3)
FMG4A
辐射源
(4)
BASE
(5)
lApplication
逆变电路,接口电路,驱动电路
(4)
集热器
(5)
集热器
(2)
集热器
(1)
集热器
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
EMG4
UMG4N
FMG4A
EMT5
UMT5
SMT5
SIZE
(mm)
1616
2021
2928
TAPING
CODE
T2R
TR
T148
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位(pcs )
180
180
180
8
8
8
8,000
3,000
3,000
记号
G4
G4
G4
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1/6
2012.06 - Rev.B的
EMG4 / UMG4N / FMG4A
lAbsolute
最大额定值
( TA = 25°C )
<For Tr1和Tr2中common>
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
EMG4 / UMG4N
FMG4A
结温
储存温度范围
lElectrical
特性(Ta
= 25°C)
<For Tr1和Tr2中common>
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
数据表
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C(MAX.)*1
P
D
*2
50
50
5
100
150 ( TOTAL )
*3
300 ( TOTAL )
*4
150
-55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
R
1
f
T *1
条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
/ I
B
= 10毫安/ 1毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 1mA时,
-
V
CE
= 10V ,我
E
=
-5mA,
F = 100MHz的
分钟。
50
50
5
-
-
-
100
7
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
250
10
250
马克斯。
-
-
-
0.5
0.5
0.3
600
13
-
单位
V
V
V
mA
mA
V
-
kW
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
*每个单元3 120MW不得超过。
*每单元4 200mW的不得超过。
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2012.06 - Rev.B的
EMG4 / UMG4N / FMG4A
lElectrical
特性曲线(大
= 25°C)
数据表
图1发射极接地传播
特征
10
V
CE
=5V
100
图2接地发射极输出
特征
I = 500μA
B
Ta=25C
450μA
400μA
350μA
300μA
集电极电流: IC (MA )
集电极电流:我
C
(MA )
1
80
60
250μA
200μA
0.1
Ta=100C
25C
-40C
40
150μA
100μA
0.01
20
50μA
0A
0.001
0
0.5
1
1.5
2
0
0
5
10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极
电压: V
CE
(V)
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压: V
CE
( SAT ) (V )
直流电流增益: hFE参数
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
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2012.06 - Rev.B的
EMG4 / UMG4N / FMG4A
lDimensions
(单位:毫米)
D
数据表
EMT5
A
x
S A
c
b
L
H
E
E
e
L
Lp
Lp
A
A1
S
S
l1
b2
e
终端位置方面的Patterm
暗淡
A1
A
b
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
最大
0.00
0.10
0.45
0.55
0.17
0.27
0.08
0.18
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
1.50
1.70
0.10
0.30
-
0.35
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
1.25
-
0.37
-
0.45
英寸
0
0.018
0.007
0.003
0.059
0.043
0.02
0.059
0.004
-
-
-
英寸
0.049
-
-
0.015
0.018
最大
0.067
0.012
0.014
0.004
0.004
最大
0.004
0.022
0.011
0.007
0.067
0.051
尺寸以毫米/英寸
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2012.06 - Rev.B的
e1
EMG4 / UMG4N / FMG4A
lDimensions
(单位:毫米)
数据表
UMT5
D
e
A
Q
c
H
E
L1
b
x
S A
A3
e
A
A1
S
S
b2
终端位置方面的Patterm
暗淡
A
A1
A3
b
c
D
E
e
H
E
L1
Lp
Q
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
最大
0.80
1.00
0.00
0.10
0.25
0.15
0.30
0.10
0.20
1.90
2.10
1.15
1.35
0.65
2.00
2.20
0.20
0.50
0.25
0.55
0.10
0.30
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
1.55
-
0.40
-
0.65
英寸
0.031
0
0.01
0.006
0.004
0.075
0.045
0.03
0.079
0.008
0.01
0.004
-
-
英寸
0.06
-
-
0.016
0.026
最大
0.087
0.02
0.022
0.012
0.004
0.004
0.012
0.008
0.083
0.053
最大
0.039
0.004
尺寸以毫米/英寸
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5/6
l1
e1
Lp
E
2012.06 - Rev.B的
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
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