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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第52页 > UMG4N
EMG4 / UMG4N / FMG4A
晶体管
通用(双数字晶体管)
EMG4 / UMG4N / FMG4A
特点
1 )两个DTC114T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMG4
0.22
(4)
(3)
(2)
等效电路
EMG4 / UMG4N
(3)
(2)
(1)
(5)
(3)
(4)
(5)
R
1
R
1
R
1
R
1
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
(4)
(5)
(2)
(1)
R
1
=
10k
R
1
=
10k
(4)
(3)
0.65 0.65
UMG4N
0.2
1.3
0.9
0.5
FMG4A
0.13
1.2
1.6
(1)
TYPE
记号
CODE
基本订购单位(件)
EMG4
EMT5
G4
T2R
8000
UMG4N
UMT5
G4
TR
3000
FMG4A
SMT5
G4
T148
3000
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
0.15
(5)
1.25
2.1
0.7
0.1Min.
0~0.1
(1)
包装,标志和包装规格
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
EMG4 / UMG4N
FMG4A
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
2.9
FMG4A
0.95 0.95
1.9
(2)
V
0.3
2
Tj
TSTG
°C
°C
0.15
(1)
1.6
2.8
0.8
1.1
0.3Min.
0~0.1
(5)
Pd
mW
1
(4)
(3)
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
Rev.A的
2.0
(2)
0.5 0.5
1.0
1.6
1/2
EMG4 / UMG4N / FMG4A
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
= -5mA ,
f=100MHz
电气特性曲线
V
CE
=
5V
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
1k
500
直流电流增益:H
FE
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
l
C
/l
B
=10
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=100°C
25°C
40°C
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m
50m 100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMG4 / UMG4N / FMG4A
晶体管
通用(双数字晶体管)
EMG4 / UMG4N / FMG4A
特点
1 )两个DTC114T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMG4
0.22
(4)
(3)
(2)
等效电路
EMG4 / UMG4N
(3)
(2)
(1)
(5)
(3)
(4)
(5)
R
1
R
1
R
1
R
1
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
(4)
(5)
(2)
(1)
R
1
=
10k
R
1
=
10k
(4)
(3)
0.65 0.65
UMG4N
0.2
1.3
0.9
0.5
FMG4A
0.13
1.2
1.6
(1)
TYPE
记号
CODE
基本订购单位(件)
EMG4
EMT5
G4
T2R
8000
UMG4N
UMT5
G4
TR
3000
FMG4A
SMT5
G4
T148
3000
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
0.15
(5)
1.25
2.1
0.7
0.1Min.
0~0.1
(1)
包装,标志和包装规格
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
EMG4 / UMG4N
FMG4A
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
2.9
FMG4A
0.95 0.95
1.9
(2)
V
0.3
2
Tj
TSTG
°C
°C
0.15
(1)
1.6
2.8
0.8
1.1
0.3Min.
0~0.1
(5)
Pd
mW
1
(4)
(3)
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
Rev.A的
2.0
(2)
0.5 0.5
1.0
1.6
1/2
EMG4 / UMG4N / FMG4A
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
= -5mA ,
f=100MHz
电气特性曲线
V
CE
=
5V
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
1k
500
直流电流增益:H
FE
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
l
C
/l
B
=10
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=100°C
25°C
40°C
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m
50m 100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UMG4N
双NPN预偏置晶体管
特点
外延平面片建设
表面贴装封装适用于自动化大会
简化电路设计和电路板空间减少
无铅/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
SOT-353
3
2
1
(3)
R1
(2)
(1)
R1
新产品
机械数据
案例: SOT- 353
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息:请参阅第2页
订购信息:见第2页
重量: 0.006克(近似值)
4
5
(4)
(5)
顶视图
原理图和引脚配置
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
价值
50
50
5
100
单位
V
V
V
mA
特征
热特性
特征
功耗@T
A
= 25 ° C(注3 )
热阻,结到环境空气@T
A
= 25 ° C(注3 )
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
增益带宽积(注4 )
输入阻抗
注意事项:
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
R
1
50
50
5.0
100
7
典型值
330
250
10
最大
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
测试条件
I
C
= 50μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 50μA ,我
C
= 0
V
CB
= 50V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= -5mA中,f = 100MHz的
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR- 4印刷电路板;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ,它可以在我们的网站上找到:
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
4.特点晶体管。仅供参考。
DS31207修订版3 - 2
1第3
www.diodes.com
UMG4N
Diodes公司
600
500
400
新产品
300
200
100
0
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 1典型的DC电流增益与集电极电流
0.1
1
10
100
订购信息
(注5 )
设备
UMG4N-7
注意事项:
包装
SOT-353
航运
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NN1 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: U = 2007
M =月前: 9 =九月
NN1
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
DS31207修订版3 - 2
JAN
1
2007
U
FEB
2
MAR
3
2008
V
APR
4
YM
2009
W
五月
5
2 3
www.diodes.com
JUN
6
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
UMG4N
Diodes公司
包装外形尺寸
A
SOT-353
暗淡
A
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
顶视图
B C
B
C
D
F
新产品
0.65标称
H
K
M
H
J
K
L
M
D
F
L
J
α
尺寸:mm
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS31207修订版3 - 2
3 3
www.diodes.com
UMG4N
Diodes公司
EMG4 / UMG4N / FMG4A
晶体管
通用(双数字晶体管)
EMG4 / UMG4N / FMG4A
特点
1 )两个DTC114T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMG4
0.22
(4)
(3)
(2)
等效电路
EMG4 / UMG4N
(3)
(2)
(1)
(5)
(3)
(4)
(5)
R
1
R
1
R
1
R
1
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
(4)
(5)
(2)
(1)
R
1
=
10k
R
1
=
10k
(4)
(3)
0.65 0.65
UMG4N
0.2
1.3
0.9
0.5
FMG4A
0.13
1.2
1.6
(1)
TYPE
记号
CODE
基本订购单位(件)
EMG4
EMT5
G4
T2R
8000
UMG4N
UMT5
G4
TR
3000
FMG4A
SMT5
G4
T148
3000
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
0.15
(5)
1.25
2.1
0.7
0.1Min.
0~0.1
(1)
包装,标志和包装规格
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
EMG4 / UMG4N
FMG4A
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
2.9
FMG4A
0.95 0.95
1.9
(2)
V
0.3
2
Tj
TSTG
°C
°C
0.15
(1)
1.6
2.8
0.8
1.1
0.3Min.
0~0.1
(5)
Pd
mW
1
(4)
(3)
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
Rev.A的
2.0
(2)
0.5 0.5
1.0
1.6
1/2
EMG4 / UMG4N / FMG4A
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
= -5mA ,
f=100MHz
电气特性曲线
V
CE
=
5V
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
1k
500
直流电流增益:H
FE
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
l
C
/l
B
=10
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=100°C
25°C
40°C
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m
50m 100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
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指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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