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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第166页 > UMF5N
UMF5N
晶体管
电源管理（双晶体管）
UMF5N
2SA2018和DTC144EE都在UMT包独立安置。
!
应用
电源管理电路
!
外形尺寸
（单位：毫米）
1.25
2.1
!
等效电路
(3)
(2)
(1)
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
DTr2
R
2
(4)
R
1
Tr1
(5)
R1=47k
R2=47k
(6)
!
包装规格
TYPE
UMF5N
包
UMT6
记号
F5
CODE
TR
基本订购单位（件） 3000
0
~
0.1
!
结构
硅外延平面晶体管
0.15
0.65
!
特点
1）电源开关电路在单个封装中。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
(4)
0.65
1.3
0.7
0.9
(3)
0.2
(6)
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
(1)
2.0
(5)
(2)
1/4
UMF5N
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
范围
符号
15
V
CBO
12
V
首席执行官
6
V
EBO
500
I
C
集电极电流
1.0
I
CP
150(TOTAL)
P
C
功耗
Tj
150
结温
TSTG
55~+150
储存温度范围
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
1
单脉冲P
W
=1ms
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
1
2
DTr2
范围
参数
符号
50
V
CC
电源电压
10~+40
V
IN
输入电压
100
I
C
集电极电流
30
I
O
输出电流
150(TOTAL)
P
C
功耗
Tj
150
结温
TSTG
55~+150
储存温度范围
1
内置晶体管的特性。
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1
2
!
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
12
15
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
100
100
250
680
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
条件
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
I
C
=200mA,
I
B
=10mA
V
CE
=2V,
I
C
=10mA
V
CE
=2V,
I
E
=10mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
DTr2
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*特点
内置的晶体管。
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
3.0
68
32.9
0.8
典型值。
100
250
47
1.0
马克斯。
0.5
300
180
500
61.1
1.2
单位
V
V
mV
A
nA
兆赫
k
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=2mA
V
O
=10mA,
I
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
2/4
UMF5N
晶体管
!
电气特性曲线
Tr1
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=2V
脉冲
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=125°C
Ta=25°C
Ta=40°C
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
V
CE
=2V
脉冲
1000
Ta=25°C
脉冲
100
100
100
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
5
°
C
Ta=25
°C
TA
4
0°
Ta=12
C
10
10
10
I
C
/I
B
=10
1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与
集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
100
Ta=25°C
Ta=125°C
1000
Ta=25°C
Ta=40°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
I
C
/I
B
=20
脉冲
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
1000
10000
I
C
/I
B
=20
脉冲
1000
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=40°C
10
100
10
1
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
图4集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流（
ΙΙ
)
图5基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6增益带宽积
与发射极电流
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
跃迁频率：我
C
(A)
I
E
=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
10
Ta=25°C
单脉冲
1
10ms
100ms
DC
1ms
100
兴业银行
10
COB
0.1
0.01
1
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
发射极电流： V
CE
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
图8安全作业区
3/4
UMF5N
晶体管
DTr2
100
50
输出电流：木卫一
(A)
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
2米TA = 100℃
25°C
1m
40°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图9输入电压与输出电流
（ON特性）
图10输出电流与输入电压
（关特征）
图11直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图12输出电压和输出
当前
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
UMF5N
晶体管
电源管理（双晶体管）
UMF5N
2SA2018和DTC144EE都在UMT包独立安置。
!
应用
电源管理电路
!
外形尺寸
（单位：毫米）
1.25
2.1
!
等效电路
(3)
(2)
(1)
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
DTr2
R
2
(4)
R
1
Tr1
(5)
R1=47k
R2=47k
(6)
!
包装规格
TYPE
UMF5N
包
UMT6
记号
F5
CODE
TR
基本订购单位（件） 3000
0
~
0.1
!
结构
硅外延平面晶体管
0.15
0.65
!
特点
1）电源开关电路在单个封装中。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
(4)
0.65
1.3
0.7
0.9
(3)
0.2
(6)
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
(1)
2.0
(5)
(2)
1/4
UMF5N
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
范围
符号
15
V
CBO
12
V
首席执行官
6
V
EBO
500
I
C
集电极电流
1.0
I
CP
150(TOTAL)
P
C
功耗
Tj
150
结温
TSTG
55~+150
储存温度范围
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
1
单脉冲P
W
=1ms
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
1
2
DTr2
范围
参数
符号
50
V
CC
电源电压
10~+40
V
IN
输入电压
100
I
C
集电极电流
30
I
O
输出电流
150(TOTAL)
P
C
功耗
Tj
150
结温
TSTG
55~+150
储存温度范围
1
内置晶体管的特性。
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1
2
!
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
12
15
6
270
典型值。
100
260
6.5
马克斯。
100
100
250
680
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
条件
I
C
=1mA
I
C
=10A
I
E
=10A
V
CB
=15V
V
EB
=6V
I
C
=200mA,
I
B
=10mA
V
CE
=2V,
I
C
=10mA
V
CE
=2V,
I
E
=10mA,
f=100MHz
V
CB
=10V,
I
E
=0mA,
f=1MHz
DTr2
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
*特点
内置的晶体管。
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
f
T
R
1
R
2
/R
1
分钟。
3.0
68
32.9
0.8
典型值。
100
250
47
1.0
马克斯。
0.5
300
180
500
61.1
1.2
单位
V
V
mV
A
nA
兆赫
k
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=2mA
V
O
=10mA,
I
I
=0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
2/4
UMF5N
晶体管
!
电气特性曲线
Tr1
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=2V
脉冲
直流电流增益：H
FE
1000
Ta=125°C
Ta=25°C
Ta=40°C
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
（毫伏）
V
CE
=2V
脉冲
1000
Ta=25°C
脉冲
100
100
100
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=20
5
°
C
Ta=25
°C
TA
4
0°
Ta=12
C
10
10
10
I
C
/I
B
=10
1
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2直流电流增益与
集电极电流
图3集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
100
Ta=25°C
Ta=125°C
1000
Ta=25°C
Ta=40°C
跃迁频率：F
T
（兆赫）
I
C
/I
B
=20
脉冲
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
1000
10000
I
C
/I
B
=20
脉冲
1000
V
CE
=2V
Ta=25°C
脉冲
100
Ta=125°C
Ta=40°C
10
100
10
1
1
10
100
1000
10
1
10
100
1000
1
1
10
100
1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
图4集电极 - 发射极饱和电压
- 集电极电流（
ΙΙ
)
图5基极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
图6增益带宽积
与发射极电流
发射极输入电容： CIB （PF ）
集电极输出电容：玉米棒（PF ）
1000
跃迁频率：我
C
(A)
I
E
=
0A
f
=
1MHz
Ta
=
25°C
10
Ta=25°C
单脉冲
1
10ms
100ms
DC
1ms
100
兴业银行
10
COB
0.1
0.01
1
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
发射极电流： V
CE
(V)
图7集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容
与发射极 - 基极电压
图8安全作业区
3/4
UMF5N
晶体管
DTr2
100
50
输出电流：木卫一
(A)
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
2米TA = 100℃
25°C
1m
40°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图9输入电压与输出电流
（ON特性）
图10输出电流与输入电压
（关特征）
图11直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
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100 200
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50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图12输出电压和输出
当前
4/4
附录
笔记
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指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
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任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
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