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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第158页 > UMF24N
EMF24 / UMF24N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMF24 / UMF24N
2SC4617和DTC114E都在EMT6或UMT6包单独安置。
外形尺寸
（单位：毫米）
应用
电源管理电路
EMF24
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
特点
1）电源开关电路在单个封装中。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
1.2
1.6
(1)
0.13
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F24
结构
硅外延平面晶体管
UMF24N
(4)
(3)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.2
2.0
(5)
(2)
(6)
等效电路
(3)
(2)
(1)
1.25
2.1
0.15
DTr2
R
2
(4)
R
1
Tr1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
00.1
0.1Min.
(1)
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F24
(5)
R
1
=10k
R
2
=10k
(6)
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMF24
EMT6
F24
T2R
8000
UMF24N
UMT6
F24
TR
3000
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
Rev.A的
1/4
EMF24 / UMF24N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150 （ TOTAL ）
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
每个元素120MW不得超过。
DTr2
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
输出电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
范围
V
CC
50
V
IN
10~+40
I
C
100
50
I
O
P
C
150(TOTAL)
Tj
150
TSTG
55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
1
2
1
内置晶体管的特性。
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
60
50
7
180
180
0.1
0.1
0.4
390
V
V
V
A
A
V
兆赫V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
COB
2
3.5
PF
V
CB
=12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
DTr2
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
7
0.8
典型值。
0.1
10
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.88
0.5
13
1.2
V
V
mA
A
k
兆赫
单位
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
Rev.A的
2/4
EMF24 / UMF24N
晶体管
电气特性曲线
Tr1
50
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=6V
集电极电流：我
C
（MA ）
100
Ta=25C
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
m
0.40
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25C
30A
27A
8
24A
21A
Ta=100C
25C
5
5C
60
0.25mA
0.20mA
6
18A
15A
2
1
40
0.15mA
0.10mA
4
12A
9A
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
20
0.05mA
2
6A
3A
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0A
2.0
0
0
I
B
=0A
4
8
12
16
20
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
Ta=25C
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(
V)
500
500
Ta=100C
V
CE
=5V
0.5
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
200
直流电流增益：H
FE
V
CE
=5V
3V
1V
200
25C
55C
0.2
100
100
0.1
I
C
/I
B
=50
0.05
50
50
20
10
20
20
0.02
0.01
0.2
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与集电极
电流（I）
图5直流电流增益与集电极
电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
0.5
Ta=25C
0.5
I
C
/I
B
=10
0.5
I
C
/I
B
=50
0.2
0.2
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
I
C
/I
B
=50
20
10
0.1
0.05
Ta=100C
25C
55C
Ta=100C
25C
55C
0.02
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
0.01
0.2
0.01
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（III）的
Rev.A的
3/4
EMF24 / UMF24N
晶体管
20
基地集热器时间常数：抄送
bb'
（ ps的）
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
500
Ta=25C
V
CE
=6V
10
兴业银行
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
Ta=25C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
100
200
5
50
100
2
Co
b
20
50
0.5
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
1
2
5
10
20
50 100
0.2
0.5
1
2
5
10
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
发射极电流：我
E
（MA ）
图10增益带宽积主场迎战
发射极电流
图11集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
图12中相应集电极时间常数与
发射极电流
DTr2
100
50
输出电流：木卫一
(A)
输入电压： V
我（上）
(V)
V
O
=0.3V
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 5001m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMF24 / UMF24N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMF24 / UMF24N
2SC4617和DTC114E都在EMT6或UMT6包单独安置。
外形尺寸
（单位：毫米）
应用
电源管理电路
EMF24
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
特点
1）电源开关电路在单个封装中。
2 ）安装成本和面积可减少一半。
1.2
1.6
(1)
0.13
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F24
结构
硅外延平面晶体管
UMF24N
(4)
(3)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.2
2.0
(5)
(2)
(6)
等效电路
(3)
(2)
(1)
1.25
2.1
0.15
DTr2
R
2
(4)
R
1
Tr1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
00.1
0.1Min.
(1)
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： F24
(5)
R
1
=10k
R
2
=10k
(6)
包装规格
TYPE
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMF24
EMT6
F24
T2R
8000
UMF24N
UMT6
F24
TR
3000
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
Rev.A的
1/4
EMF24 / UMF24N
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
60
50
7
150
150 （ TOTAL ）
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
每个元素120MW不得超过。
DTr2
参数
电源电压
输入电压
集电极电流
输出电流
功耗
结温
储存温度范围
符号
范围
V
CC
50
V
IN
10~+40
I
C
100
50
I
O
P
C
150(TOTAL)
Tj
150
TSTG
55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
1
2
1
内置晶体管的特性。
2
每个元素120MW不得超过。
每个端子安装在一个推荐的土地。
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
h
FE
f
T
条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=60V
V
EB
=7V
I
C
/I
B
=50mA/5mA
V
CE
=6V,
I
C
=1mA
60
50
7
180
180
0.1
0.1
0.4
390
V
V
V
A
A
V
兆赫V
CE
=12V,
I
E
=2mA,
f=100MHz
COB
2
3.5
PF
V
CB
=12V,
I
E
=0A,
f=1MHz
DTr2
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
7
0.8
典型值。
0.1
10
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.88
0.5
13
1.2
V
V
mA
A
k
兆赫
单位
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
Rev.A的
2/4
EMF24 / UMF24N
晶体管
电气特性曲线
Tr1
50
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=6V
集电极电流：我
C
（MA ）
100
Ta=25C
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
80
0.50mA
mA
0.45
A
m
0.40
0.35mA
0.30mA
10
Ta=25C
30A
27A
8
24A
21A
Ta=100C
25C
5
5C
60
0.25mA
0.20mA
6
18A
15A
2
1
40
0.15mA
0.10mA
4
12A
9A
0.5
0.2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
20
0.05mA
2
6A
3A
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I
B
=0A
2.0
0
0
I
B
=0A
4
8
12
16
20
基地发射极电压： V
BE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特性（I）的
图3接地发射极输出
特性（II）的
Ta=25C
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(
V)
500
500
Ta=100C
V
CE
=5V
0.5
Ta=25C
直流电流增益：H
FE
200
直流电流增益：H
FE
V
CE
=5V
3V
1V
200
25C
55C
0.2
100
100
0.1
I
C
/I
B
=50
0.05
50
50
20
10
20
20
0.02
0.01
0.2
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
10
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与集电极
电流（I）
图5直流电流增益与集电极
电流（II）的
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
集电极饱和电压： V
CE （SAT）
(V)
0.5
Ta=25C
0.5
I
C
/I
B
=10
0.5
I
C
/I
B
=50
0.2
0.2
0.2
0.1
0.05
0.1
0.05
I
C
/I
B
=50
20
10
0.1
0.05
Ta=100C
25C
55C
Ta=100C
25C
55C
0.02
0.02
0.02
0.01
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100
0.01
0.2
0.01
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（I）
图8集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（II）的
图9集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（III）的
Rev.A的
3/4
EMF24 / UMF24N
晶体管
20
基地集热器时间常数：抄送
bb'
（ ps的）
集电极输出电容：玉米棒
（PF ）
发射极输入电容
： CIB
（PF ）
跃迁频率：F
T
（兆赫）
500
Ta=25C
V
CE
=6V
10
兴业银行
Ta=25C
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
Ta=25C
f=32MH
Z
V
CB
=6V
100
200
5
50
100
2
Co
b
20
50
0.5
1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
10
1
2
5
10
20
50 100
0.2
0.5
1
2
5
10
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
发射极电流：我
E
（MA ）
图10增益带宽积主场迎战
发射极电流
图11集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
图12中相应集电极时间常数与
发射极电流
DTr2
100
50
输出电流：木卫一
(A)
输入电压： V
我（上）
(V)
V
O
=0.3V
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 5001m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
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关于出口管制令日本
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订单在日本。
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