【UMF21N电源管理（双晶体管）描述硅外延平面晶体管特点2SA2018和DTC114E独立装在一个包】,IC型号UMF21N,UMF21N PDF资料,UMF21N经销商,ic,电子元器件-51电子网

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UMF21N

电源管理（双晶体管）

描述

硅外延平面晶体管

特点

2SA2018和DTC114E独立装

在一个包中。

功率转换电路在单个封装中。

安装成本和面积可减少一半。

应用

电源管理电路，手机颤动电路

对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，

DVD-ROM ，笔记本电脑等）

SOT-363

1

等效电路

(3)

(2)

(1)

标记： F21

DTr2

R

2

(4)

R

1

Tr1

F21

(5)

(6)

TR1

最大额定值牛逼

a

= 25° ，除非另有说明

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极耗散

结温

储存温度

价值

-15

-12

-6

-0.5

单位

V

V

V

A

0.15

150

-55-150

W

℃

℃

DTR2绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

参数

电源电压

输入电压

输出电流

功耗

结温

储存温度

符号

V

CC

V

IN

I

O

I

C（最大值）

Pd

Tj

TSTG

范围

50

-10~40

50

100

150

150

-55~150

单位

V

V

mA

mW

℃

℃

1

金隅

半导体

www.htsemi.com

日期：2011年/ 05

EMF23

TR1电气特性（除非另有说明，TA = 25 ℃ ）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

TEST

条件

民

-15

-12

-6

-0.1

-0.1

270

680

-0.25

260

6.5

V

兆赫

pF

典型值

最大

单位

V

V

V

I

C

=-10

μ

A，I

E

=0

I

C

= -1mA ，我

B

=0

I

E

=-10

μ

A，I

C

=0

V

CB

= -15 V，I

E

=0

V

EB

= - 6V ，我

C

=0

V

CE

= -2V ，我

C

=-10mA

I

C

=-200mA,I

B

=-10mA

V

CE

=-2V,I

C

= -10mA ， F =

100

兆赫

V

CB

=-

10

V，I

E

=0,f=

1

兆赫

μ

A

μ

A

f

T

C

ob

DTR2

电气特性（ TA = 25

℃

)

符号

参数

分钟。

典型值

马克斯。

0.5

单位

V

V

mA

μA

条件

V

CC

= 5V ，我

O

=100μA

V

O

= 0.3V时，我

O

= 10毫安

I

O

/I

I

=10mA/0.5mA

V

I

=5V

V

CC

=50V, V

I

=0

V

O

= 5V ，我

O

=5mA

V

我（关闭）

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

输入阻抗

电阻率

跃迁频率

V

我（上）

V

O（上）

I

I

I

O（关）

G

I

R

1

R

2

/R

1

f

T

30

7

0.8

10

1

250

3

0.3

0.88

0.5

13

1.2

K

兆赫

V

CE

= 10V ，我

E

=-5mA,f=100MHz

2

金隅

半导体

www.htsemi.com

日期：2011年/ 05

EMF21 / UMF21N

晶体管

电源管理（双晶体管）

EMF21 / UMF21N

2SA2018和DTC114E都在EMT6或UMT6包单独安置。

应用

电源管理电路

外形尺寸

（单位：毫米）

EMF21

0.22

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

特点

1）电源开关电路在单个封装中。

2 ）安装成本和面积可减少一半。

ROHM ： EMT6

1.2

1.6

(1)

0.13

每根导线具有相同的尺寸

缩写符号： F21

结构

硅外延平面晶体管

UMF21N

(4)

0.65

1.3

0.65

0.7

0.9

(3)

0.5

0.5 0.5

1.0

1.6

0.2

1.25

(3)

(2)

(1)

2.1

0.15

DTr2

R

2

(4)

R

1

Tr1

0.1Min.

0-0.1

(5)

R

1

=10k

R

2

=10k

(6)

ROHM ： UMT6

EIAJ ： SC -88

缩写符号： F21

包装，标志和包装规格

TYPE

包

记号

CODE

基本订购单位（件）

EMF21

EMT6

F21

T2R

8000

UMF21N

UMT6

F21

TR

3000

(1)

等效电路

(6)

每根导线具有相同的尺寸

2.0

(5)

(2)

1/4

EMF21 / UMF21N

晶体管

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

Tr1

符号

范围

V

CBO

15

V

首席执行官

12

V

EBO

6

I

C

500

集电极电流

I

CP

1.0

P

C

150(TOTAL)

功耗

Tj

150

结温

TSTG

55~+150

储存温度范围

1

单脉冲P

W

=1ms

2

每个元素120MW不得超过。

每个端子安装在一个推荐的土地。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

单位

V

V

V

mA

A

mW

°C

°C

1

2

DTr2

参数

电源电压

输入电压

集电极电流

输出电流

功耗

结温

储存温度范围

范围

符号

50

V

CC

10~+40

V

IN

100

I

C

50

I

O

150(TOTAL)

P

C

Tj

150

TSTG

55~+150

单位

V

V

mA

mA

mW

°C

°C

1

2

1

内置晶体管的特性。

2

每个端子安装在一个推荐的土地。

电气特性

(Ta=25°C)

Tr1

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

符号

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

f

T

COB

分钟。

12

15

6

270

典型值。

100

260

6.5

马克斯。

100

100

250

680

单位

V

V

V

nA

nA

mV

兆赫

pF

条件

I

C

=1mA

I

C

=10A

I

E

=10A

V

CB

=15V

V

EB

=6V

I

C

=200mA,

I

B

=10mA

V

CE

=2V,

I

C

=10mA

V

CE

=2V,

I

E

=10mA,

f=100MHz

V

CB

=10V,

I

E

=0mA,

f=1MHz

DTr2

参数

符号

V

我（关闭）

V

我（上）

V

O（上）

I

I

I

O（关）

G

I

R

1

R

2

/R

1

f

T

分钟。

3

30

7

0.8

典型值。

0.1

10

1

250

马克斯。

0.5

0.3

0.88

0.5

13

1.2

V

V

mA

A

k

兆赫

单位

条件

V

CC

=5V,

I

O

=100A

V

O

=0.3V,

I

O

=10mA

I

O

/I

I

=10mA/0.5mA

V

I

=5V

V

CC

=50V,

V

I

=0V

V

O

=5V,

I

O

=5mA

V

CE

=10V,

I

E

=5mA,

f=100MHz

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

输入阻抗

电阻率

跃迁频率

该设备的跃迁频率

2/4

EMF21 / UMF21N

晶体管

电气特性曲线

Tr1

1000

集电极电流：我

C

（MA ）

V

CE

=2V

脉冲

直流电流增益：H

FE

1000

Ta=125°C

Ta=25°C

Ta=40°C

集电极饱和电压： V

CE （ SAT ）

（毫伏）

V

CE

=2V

脉冲

1000

Ta=25°C

脉冲

100

100

100

I

C

/I

B

=50

I

C

/I

B

=20

5

°

C

Ta=25

°C

TA

4

0°

Ta=12

C

10

10

10

I

C

/I

B

=10

1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1

1

10

100

1000

1

1

10

100

1000

基地发射极电压： V

BE

(V)

集电极电流：我

C

（MA ）

集电极电流：我

C

（MA ）

图1发射极接地传播

特征

Fig.2

直流电流增益主场迎战

Fig.3

集电极 - 发射极饱和电压

集电极电流

- 集电极电流（

Ι

)

集电极饱和电压： V

CE （SAT）

(V)

BASER饱和电压： V

BE （SAT）

（毫伏）

1000

100

Ta=25°C

Ta=125°C

1000

Ta=25°C

Ta=40°C

跃迁频率：F

T

（兆赫）

I

C

/I

B

=20

脉冲

10000

I

C

/I

B

=20

脉冲

1000

V

CE

=2V

Ta=25°C

脉冲

100

Ta=125°C

Ta=40°C

10

100

10

1

1

10

100

1000

10

1

10

100

1000

1

1

10

100

1000

集电极电流：我

C

（MA ）

集电极电流：我

C

（MA ）

发射极电流：我

E

（MA ）

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压

- 集电极电流（

ΙΙ

)

Fig.5

基射极饱和电压

Fig.6

增益带宽积

与集电极电流

与发射极电流

发射极输入电容： CIB （PF ）

集电极输出电容：玉米棒（PF ）

1000

I

E

=

0A

f

=

1MHz

Ta

=

25°C

100

兴业银行

10

COB

1

0.1

1

10

100

集电极 - 基极电压： V

CB

(V)

Fig.7

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

发射极输入电容

与发射极 - 基极电压

3/4

EMF21 / UMF21N

晶体管

DTr2

100

50

输出电流：木卫一

(A)

输入电压： V

我（上）

(V)

V

O

=0.3V

10m

5m

2m

1m

500

200

100

50

20

10

5

2

1

0

Ta=100°C

25°C

40°C

V

CC

=5V

1k

500

直流电流增益：摹

I

V

O

=5V

Ta=100°C

25°C

40°C

20

10

5

2

1

500m

200m

100m

100 200

500 1m

2m

5m 10m 20m 50m 100m

Ta=40°C

25°C

100°C

200

100

50

20

10

5

2

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

1

100 200 5001m 2m

5m 10m 20m 50m100m

输出电流：我

O

(A)

输入电压： V

我（关闭）

(V)

输出电流：我

O

(A)

图1输入电压与输出电流

（ON特性）

图2输出电流与输入电压

（关特征）

图3直流电流增益与输出

当前

1

500m

输出电压： V

O（上）

(V)

l

O

/l

I

=20

Ta=100°C

25°C

40°C

200m

100m

50m

20m

10m

5m

2m

1m

100 200

500 1m

2m

5m 10m 20m 50m 100m

输出电流：我

O

(A)

图4输出电压和输出

当前

4/4

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