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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第188页 > UMD5N
EMD5 / UMD5N
晶体管
通用
（双数字晶体管）
EMD5 / UMD5N
特点
1）无论是DTA143X芯片和DTC144E芯片中的
EMT6或UMT6包。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
4 ）安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMD5
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： D5
结构
一个PNP和NPN数字晶体管
（每个内置电阻单）
UMD5N
(4)
(3)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.2
2.0
(5)
(2)
(6)
1.25
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
00.1
以下特性同时适用于DTR
1
和
DTR
2
然而，该“
”
签署DTR
2
对于PNP值
型已被省略。
2.1
0.15
0.1Min.
(1)
每根导线具有相同的尺寸
等效电路
EMD5 / UMD5N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
DTR
1
R
1
/R
2
=47k
/
47k
DTR
2
R
1
/R
2
=4.7k
/
10k
DTR
2
R
2
(4)
R
1
(5)
缩写符号： D5
(6)
包装规格
包
TYPE
TAPING
T2R
8000
TR
3000
CODE
基本订购
单位（件）
EMD5
UMD5N
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
Rev.A的
1/4
EMD5 / UMD5N
晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
范围
参数
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
DTr1(DTC144E)
50
10
to
+40
30
100
150(TOTAL)
150
55
to
+150
DTr2(DTC143X)
50
20
to
+7
100
100
120(1ELEMENT)
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
68
32.9
0.8
典型值。
0.1
47
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.18
0.5
61.1
1.2
V
V
mA
A
k
兆赫
单位
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=2mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
2.5
30
3.29
1.7
典型值。
0.1
4.7
2.1
250
马克斯。
0.3
0.3
1.8
0.5
6.11
2.6
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
Rev.A的
2/4
EMD5 / UMD5N
晶体管
电气特性曲线
DTR
1
（ NPN ）
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
输出电流：木卫一
(A)
2m
Ta=100°C
25°C
1m
40°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
3/4
EMD5 / UMD5N
晶体管
DTR
2
（ PNP）
100
50
输入电压： V
我（上）
(V)
V
O
=0.3V
输出电流：我
O
(A)
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
20
10
5
2
1
Ta=40°C
25°C
100°C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
500m
200m
100m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(V)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(V)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
I
O
/I
I
=20
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=100°C
25°C
40°C
输出电流：我
O
(V)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMD5 / UMD5N
晶体管
通用
（双数字晶体管）
EMD5 / UMD5N
特点
1）无论是DTA143X芯片和DTC144E芯片中的
EMT6或UMT6包。
2 ）安装可能与EMT3或UMT3自动
安装机器。
3 ）晶体管元件是独立的，从而消除
干扰。
4 ）安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMD5
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
ROHM ： EMT6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： D5
结构
一个PNP和NPN数字晶体管
（每个内置电阻单）
UMD5N
(4)
(3)
0.65
1.3
0.65
0.7
0.9
0.2
2.0
(5)
(2)
(6)
1.25
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
00.1
以下特性同时适用于DTR
1
和
DTR
2
然而，该“
”
签署DTR
2
对于PNP值
型已被省略。
2.1
0.15
0.1Min.
(1)
每根导线具有相同的尺寸
等效电路
EMD5 / UMD5N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
DTR
1
R
1
/R
2
=47k
/
47k
DTR
2
R
1
/R
2
=4.7k
/
10k
DTR
2
R
2
(4)
R
1
(5)
缩写符号： D5
(6)
包装规格
包
TYPE
TAPING
T2R
8000
TR
3000
CODE
基本订购
单位（件）
EMD5
UMD5N
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
Rev.A的
1/4
EMD5 / UMD5N
晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
范围
参数
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
DTr1(DTC144E)
50
10
to
+40
30
100
150(TOTAL)
150
55
to
+150
DTr2(DTC143X)
50
20
to
+7
100
100
120(1ELEMENT)
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
68
32.9
0.8
典型值。
0.1
47
1
250
马克斯。
0.5
0.3
0.18
0.5
61.1
1.2
V
V
mA
A
k
兆赫
单位
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=2mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=5mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
2.5
30
3.29
1.7
典型值。
0.1
4.7
2.1
250
马克斯。
0.3
0.3
1.8
0.5
6.11
2.6
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
Rev.A的
2/4
EMD5 / UMD5N
晶体管
电气特性曲线
DTR
1
（ NPN ）
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
输入电压： V
我（上）
(V)
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
输出电流：木卫一
(A)
2m
Ta=100°C
25°C
1m
40°C
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200
500 1m
2m
5m 10m 20m
50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
3/4
EMD5 / UMD5N
晶体管
DTR
2
（ PNP）
100
50
输入电压： V
我（上）
(V)
V
O
=0.3V
输出电流：我
O
(A)
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
20
10
5
2
1
Ta=40°C
25°C
100°C
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
500m
200m
100m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(V)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(V)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
I
O
/I
I
=20
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=100°C
25°C
40°C
输出电流：我
O
(V)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UMD5N
通用晶体管（双数字晶体管）
特点
两者DTA143X芯片和DTC144E芯片在封装
安装可能与SOT- 363全自动贴片机
晶体管元件是独立的，从而消除干扰
安装成本和面积减少一半
标记： D5
等效电路
SOT-363
1
DTr1
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
T
j
TSTG
范围
50
-10~+40
30
100
150
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（Ta = 25℃）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
DTr2
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
T
j
TSTG
范围
-50
-20~+7
-100
-100
150
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
68
32.9
0.8
1
250
61.1
1.2
兆赫
V
O
= 10V ，我
O
=5mA,f=100MHz
K
3
0.3
0.18
0.5
分钟。
典型值
马克斯。
0.5
单位
V
V
mA
μA
条件
V
CC
= 5V ，我
O
=100μA
V
O
= 0.3V时，我
O
=2mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
= 5V ，我
O
=5mA
1
金隅
半导体
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日期：2011年/ 05
UMD5N
电气特性（Ta = 25℃）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
30
3.29
1.7
250
6.11
2.6
兆赫
V
O
= -10V ，我
O
=-5mA,f=100MHz
K
-2.5
-0.3
-1.8
-0.5
分钟。
典型值
马克斯。
-0.3
单位
V
V
mA
μA
条件
V
CC
= -5V ，我
O
=-100μA
V
O
= -0.3V ，我
O
=-20mA
I
O
/I
I
=-10mA/-0.5mA
V
I
=-5V
V
CC
=-50V, V
I
=0
V
O
= -5V ，我
O
=-10mA
2
金隅
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UA7812CKCE3
UG3003-T
UPD43256BCZ-85X
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