【UMC2NT1G ， UMC3NT1G ，UMC5NT1G首选设备双共基座集电极偏置电阻晶体管NPN】,IC型号UMC5NT2G,UMC5NT2G PDF资料,UMC5NT2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

UMC2NT1G ， UMC3NT1G ，

UMC5NT1G

首选设备

双共

基座集电极偏置

电阻晶体管

NPN和PNP硅表面贴装

晶体管与单片偏置

电阻网络

偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在UMC2NT1G系列，二

互补的BRT装置被收容在SOT -353包

这是理想的低功率表面贴装应用中板

空间是十分宝贵的。

特点

3

http://onsemi.com

2

R1

R2

1

R2

Q1

4

R1

Q2

5

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

记号

图

5

SC88A/SOT353

CASE 419A

类型6

1

4

UX M

G

2

3

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

,

减号Q

1

（PNP）中省略）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

Ux

=器件标识

x

= 2,3或5的

M

=日期代码

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

热特性

热阻

结到环境

（表面贴装）

工作和存储温度范围

总包耗散

@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

R

qJA

T

J

, T

英镑

P

D

833

65

to

+150

*150

° C / W

°C

mW

1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的

推荐最低足迹。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年10月

启8

1

出版订单号：

UMC2NT1/D

UMC2NT1G ， UMC3NT1G ， UMC5NT1G

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

Q1三极管： PNP

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

1.0

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

20

4.9

15.4

7.0

3.3

0.8

0.38

100

60

35

22

10

4.7

1.0

0.47

0.25

0.2

28.6

13

6.1

1.2

0.56

VDC

kW

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

Q2三极管： NPN

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

0.1

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

80

4.9

15.4

7.0

33

0.8

100

60

140

22

10

47

1.0

0.25

0.2

28.6

13

61

1.2

VDC

kW

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC5NT1G / T2G

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

http://onsemi.com

2

UMC2NT1G ， UMC3NT1G ， UMC5NT1G

订购信息

设备

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC3NT2G

UMC5NT1G

UMC5NT2G

包

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

器件标识和电阻值

晶体管1

PNP

设备

UMC2NT1G

UMC3NT1G

UMC3NT2G

UMC5NT1G

UMC5NT2G

记号

U2

U3

U5

R1 （ K）

22

10

4.7

R2 （ K）

22

10

晶体管2

NPN

R1 （ K）

22

10

47

R2 （ K）

22

10

47

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

R

qJA

= 833 ° C / W

50

0

- 50

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

3

UMC2NT1G ， UMC3NT1G ， UMC5NT1G

电气特性 - UMC2NT1G PNP晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

10

I

C

/I

B

= 10

^ h FE ， DC电流增益

1000

V

CE

= 10 V

1

T

A

= -25°C

25°C

T

A

= 75°C

25°C

100

-25°C

75°C

0.1

0.01

10

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

l

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

T

A

= -25°C

OB ，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

0.001

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（ V）

8

V

O

= 5 V

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（V）的

50

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= -25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

4

UMC2NT1G ， UMC3NT1G ， UMC5NT1G

电气特性 - UMC2NT1G NPN晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= -25°C

^ h FE ， DC电流增益

25°C

0.1

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

-25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图7. V

CE （ SAT ）

与我

C

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

25°C

T

A

= -25°C

OB ，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（ V）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（V）的

50

0.001

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= -25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图11.输入电压与输出

当前

http://onsemi.com

5

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ，

UMC5NT1

首选设备

双共

基座集电极偏置

电阻晶体管

NPN和PNP硅表面贴装

晶体管与单片偏置

电阻网络

偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在UMC2NT1系列，二

互补的BRT装置被收容在SOT -353包

这是理想的低功率表面贴装应用中板

空间是十分宝贵的。

特点

http://onsemi.com

3

R1

2

R2

1

R2

Q1

R1

4

Q2

5

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

无铅包可用

记号

图

5

SC88A/SOT353

CASE 419A

类型6

1

4

UX M

G

2

3

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

- 减号为Q

1

（PNP）中省略）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

Ux

=器件标识

x

= 2,3或5的

M

=日期代码

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

热特性

热电阻 - 结到环境

（表面贴装）

工作和存储温度范围

总包耗散

@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

R

qJA

T

J

, T

英镑

P

D

833

-65

+150

*150

° C / W

°C

mW

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的

推荐最低足迹。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

1

2006年4月 - 6牧师

出版订单号：

UMC2NT1/D

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

Q1三极管： PNP

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

1.0

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

20

4.9

15.4

7.0

3.3

0.8

0.38

100

60

35

22

10

4.7

1.0

0.47

0.25

0.2

28.6

13

6.1

1.2

0.56

VDC

kW

VDC

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

Q2三极管： NPN

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

0.1

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

毫安，

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

80

4.9

15.4

7.0

33

0.8

100

60

140

22

10

47

1.0

0.25

0.2

28.6

13

61

1.2

VDC

kW

VDC

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

http://onsemi.com

2

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

订购信息

设备

UMC2NT1

UMC2NT1G

UMC3NT1

UMC3NT1G

UMC3NT2

UMC3NT2G

UMC5NT1

UMC5NT1G

UMC5NT2

UMC5NT2G

包

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

器件标识和电阻值

晶体管1 - PNP

设备

UMC2NT1 ，G

UMC3NT1 ，G

UMC3NT2 ，G

UMC5NT1 ，G

UMC5NT2 ，G

记号

U2

U3

U5

R1 （ K）

22

10

4.7

R2 （ K）

22

10

晶体管2 - NPN

R1 （ K）

22

10

47

R2 （ K）

22

10

47

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

qJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

3

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性 - UMC2NT1 PNP晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏

10

I

C

/I

B

= 10

的hFE ， DC电流增益

1000

V

CE

= 10 V

1

T

A

= 25°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

75°C

0.1

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

IC ，集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

l

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

10

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

2

1

0.1

1

0.01

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（ V）

8

V

O

= 5 V

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（V）的

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V在，输入电压（伏）

V

O

= 0.2 V

T

A

= 25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

4

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性 - UMC2NT1 NPN晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

的hFE ， DC电流增益

25°C

0.1

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图7. V

CE （ SAT ）

与我

C

图8.直流电流增益

4

IC ，集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

I

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

OB ，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（ V）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（V）的

50

0.001

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图11.输入电压与输出

当前

http://onsemi.com

5

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ，

UMC5NT1

首选设备

双共

基座集电极偏置

电阻晶体管

NPN和PNP硅表面贴装

晶体管与单片偏置

电阻网络

偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在UMC2NT1系列，二

互补的BRT装置被收容在SOT -353包

这是理想的低功率表面贴装应用中板

空间是十分宝贵的。

特点

http://onsemi.com

3

R1

2

R2

1

R2

Q1

R1

4

Q2

5

无铅包可用

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

记号

图

5

SC88A/SOT353

CASE 419A

类型6

1

4

UX

2

3

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

- 减号为Q

1

（PNP）中省略）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

UX =器件标识

X = 2,3或5

D =日期代码

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

热特性

热电阻 - 结到环境

（表面贴装）

工作和存储温度范围

总包耗散

@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

R

θJA

T

J

, T

英镑

P

D

833

-65

+150

*150

° C / W

°C

mW

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的

推荐最低足迹。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年9月 - 修订版5

出版订单号：

UMC2NT1/D

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

Q1三极管： PNP

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

1.0

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

20

4.9

15.4

7.0

3.3

0.8

0.38

100

60

35

22

10

4.7

1.0

0.47

0.25

0.2

28.6

13

6.1

1.2

0.56

VDC

kW

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

Q2三极管： NPN

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

0.1

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

80

4.9

15.4

7.0

33

0.8

100

60

140

22

10

47

1.0

0.25

0.2

28.6

13

61

1.2

VDC

kW

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

http://onsemi.com

2

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

订购信息

设备

UMC2NT1

UMC2NT1G

UMC3NT1

UMC3NT1G

UMC3NT2

UMC5NT1

UMC5NT2

UMC5NT2G

包

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

器件标识和电阻值

晶体管1 - PNP

设备

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC3NT2

UMC5NT1

UMC5NT2

记号

U2

U3

U5

R1 （ K）

22

10

4.7

R2 （ K）

22

10

晶体管2 - NPN

R1 （ K）

22

10

47

R2 （ K）

22

10

47

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

3

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性 - UMC2NT1 PNP晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

10

I

C

/I

B

= 10

的hFE ， DC电流增益

1000

V

CE

= 10 V

1

T

A

= 25°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

75°C

0.1

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

IC ，集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

l

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

10

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

V

O

= 5 V

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V在，输入电压（伏）

V

O

= 0.2 V

T

A

= 25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

4

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性 - UMC2NT1 NPN晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

的hFE ， DC电流增益

25°C

0.1

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图7. V

CE （ SAT ）

与我

C

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图11.输入电压与输出

当前

http://onsemi.com

5

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ，

UMC5NT1

首选设备

双共

基座集电极偏置

电阻晶体管

NPN和PNP硅表面贴装

晶体管与单片偏置

电阻网络

偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管

单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础

电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管

设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置

网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件

它们集成到单个设备中。在UMC2NT1系列，二

互补的BRT装置被收容在SOT -353包

这是理想的低功率表面贴装应用中板

空间是十分宝贵的。

特点

http://onsemi.com

3

R1

2

R2

1

R2

Q1

R1

4

Q2

5

无铅包可用

简化网络连接的ES电路设计

板级空间缩小

减少了元件数量

提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴

记号

图

5

SC88A/SOT353

CASE 419A

类型6

1

4

UX

2

3

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明，常见的Q

1

和Q

2

- 减号为Q

1

（PNP）中省略）

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

价值

50

100

单位

VDC

MADC

UX =器件标识

X = 2,3或5

D =日期代码

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

热特性

热电阻 - 结到环境

（表面贴装）

工作和存储温度范围

总包耗散

@ T

A

= 25 ° C（注1 ）

R

θJA

T

J

, T

英镑

P

D

833

-65

+150

*150

° C / W

°C

mW

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的

推荐最低足迹。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

1

2004年9月 - 修订版5

出版订单号：

UMC2NT1/D

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

Q1三极管： PNP

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

1.0

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

20

4.9

15.4

7.0

3.3

0.8

0.38

100

60

35

22

10

4.7

1.0

0.47

0.25

0.2

28.6

13

6.1

1.2

0.56

VDC

kW

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

Q2三极管： NPN

开关特性

集电极 - 基极截止电流（V

CB

= 50 V，I

E

= 0)

集电极 - 发射极截止电流（V

CB

= 50 V，I

B

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= 6.0, I

C

= 0 mA时）

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

100

500

0.2

0.5

0.1

NADC

MADC

基本特征

集电极 - 基极击穿电压（I

C

= 10

A,

I

E

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压（I

C

= 2.0毫安，我

B

= 0)

直流电流增益

(V

CE

= 10 V，I

C

= 5.0 mA）的

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE

50

60

35

80

4.9

15.4

7.0

33

0.8

100

60

140

22

10

47

1.0

0.25

0.2

28.6

13

61

1.2

VDC

kW

VDC

集电极 - 发射极饱和电压（I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.3 mA）的

输出电压（上）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 2.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输出电压（关）（V

CC

= 5.0 V, V

B

= 0.5 V ，R

L

= 1.0千瓦）

输入电阻

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC5NT1

V

CE （ SAT ）

V

OL

V

OH

R1

电阻率

R1/R2

http://onsemi.com

2

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

订购信息

设备

UMC2NT1

UMC2NT1G

UMC3NT1

UMC3NT1G

UMC3NT2

UMC5NT1

UMC5NT2

UMC5NT2G

包

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

SC88A/SOT353

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

器件标识和电阻值

晶体管1 - PNP

设备

UMC2NT1

UMC3NT1

UMC3NT2

UMC5NT1

UMC5NT2

记号

U2

U3

U5

R1 （ K）

22

10

4.7

R2 （ K）

22

10

晶体管2 - NPN

R1 （ K）

22

10

47

R2 （ K）

22

10

47

250

PD ，功耗（毫瓦）

200

150

100

50

0

50

R

θJA

= 833 ° C / W

0

50

100

T

A

，环境温度（ ° C）

150

图1.降额曲线

http://onsemi.com

3

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性 - UMC2NT1 PNP晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

10

I

C

/I

B

= 10

的hFE ， DC电流增益

1000

V

CE

= 10 V

1

T

A

= 25°C

25°C

T

A

= 75°C

100

25°C

75°C

0.1

0.01

0

20

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图2. V

CE （ SAT ）

与我

C

图3.直流电流增益

4

IC ，集电极电流（毫安）

F = 1 MHz的

l

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

10

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

1

2

0.1

1

0.01

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

V

O

= 5 V

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图4.输出电容

图5.输出电流与输入电压

100

V在，输入电压（伏）

V

O

= 0.2 V

T

A

= 25°C

10

75°C

25°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图6.输入电压与输出电流

http://onsemi.com

4

UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1

电气特性 - UMC2NT1 NPN晶体管

VCE （SAT），集电极最大电压（伏）

1

I

C

/I

B

= 10

T

A

= 25°C

的hFE ， DC电流增益

25°C

0.1

75°C

1000

V

CE

= 10 V

T

A

= 75°C

25°C

100

0.01

0.001

0

20

40

I

C

，集电极电流（毫安）

50

10

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

图7. V

CE （ SAT ）

与我

C

图8.直流电流增益

4

F = 1 MHz的

I

E

= 0毫安

T

A

= 25°C

100

75°C

IC ，集电极电流（毫安）

10

1

0.1

0.01

25°C

T

A

= 25°C

COB，电容（pF ）

3

2

1

V

O

= 5 V

0

1

2

3

4

5

6

7

V

in

，输入电压（伏）

8

9

10

0

10

20

30

40

V

R

，反向偏置电压（伏）

50

0.001

图9.输出电容

图10.输出电流与输入电压

10

V

O

= 0.2 V

V在，输入电压（伏）

T

A

= 25°C

25°C

75°C

1

0.1

0

10

20

30

I

C

，集电极电流（毫安）

40

50

图11.输入电压与输出

当前

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5