UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
Q1三极管： PNP
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0, I
C
= 0 mA时）
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.2
0.5
1.0
NADC
NADC
MADC
基本特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
50
50
60
35
20
4.9
15.4
7.0
3.3
0.8
0.8
0.38
100
60
35
22
10
4.7
1.0
1.0
0.47
0.25
0.2
28.6
13
6.1
1.2
1.2
0.56
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
电阻率
R1/R2
Q2三极管： NPN
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0, I
C
= 0 mA时）
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.2
0.5
0.1
NADC
NADC
MADC
基本特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
UMC2NT1
UMC3NT1
UMC5NT1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
50
50
60
35
80
4.9
15.4
7.0
33
0.8
0.8
0.8
100
60
140
22
10
47
1.0
1.0
1.0
0.25
0.2
28.6
13
61
1.2
1.2
1.2
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
电阻率
R1/R2
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2
UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1
订购信息
设备
UMC2NT1
UMC2NT1G
UMC3NT1
UMC3NT1G
UMC3NT2
UMC3NT2G
UMC5NT1
UMC5NT1G
UMC5NT2
UMC5NT2G
包
SC88A/SOT353
SC88A/SOT353
（无铅）
SC88A/SOT353
SC88A/SOT353
（无铅）
SC88A/SOT353
SC88A/SOT353
（无铅）
SC88A/SOT353
SC88A/SOT353
（无铅）
SC88A/SOT353
SC88A/SOT353
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
器件标识和电阻值
晶体管1 - PNP
设备
UMC2NT1 ，G
UMC3NT1 ，G
UMC3NT2 ，G
UMC5NT1 ，G
UMC5NT2 ，G
记号
U2
U3
U3
U5
U5
R1 （ K）
22
10
10
4.7
4.7
R2 （ K）
22
10
10
10
10
晶体管2 - NPN
R1 （ K）
22
10
10
47
47
R2 （ K）
22
10
10
47
47
250
PD ，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
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3
UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1
电气特性 - UMC2NT1 PNP晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏
10
I
C
/I
B
= 10
的hFE ， DC电流增益
1000
V
CE
= 10 V
1
T
A
= 25°C
25°C
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
75°C
0.1
0.01
0
20
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
图3.直流电流增益
4
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
l
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
75°C
10
25°C
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
2
1
0.1
1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
8
V
O
= 5 V
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（V）的
50
0.001
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
100
V在，输入电压（伏）
V
O
= 0.2 V
T
A
= 25°C
10
75°C
25°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图6.输入电压与输出电流
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4
UMC2NT1 ， UMC3NT1 ， UMC5NT1
电气特性 - UMC2NT1 NPN晶体管
VCE （SAT） ，集电极最大电压（伏）
1
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
的hFE ， DC电流增益
25°C
0.1
75°C
1000
V
CE
= 10 V
T
A
= 75°C
25°C
25°C
100
0.01
0.001
0
20
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图7. V
CE （ SAT ）
与我
C
图8.直流电流增益
4
IC ，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
75°C
10
1
0.1
0.01
25°C
T
A
= 25°C
OB ，电容（pF ）
3
2
1
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
V
in
，输入电压（ V）
8
9
10
0
0
10
20
30
40
V
R
，反向偏置电压（V）的
50
0.001
图9.输出电容
图10.输出电流与输入电压
10
V
O
= 0.2 V
V在，输入电压（伏）
T
A
= 25°C
25°C
75°C
1
0.1
0
10
20
30
I
C
，集电极电流（毫安）
40
50
图11.输入电压与输出
当前
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