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EMB3 / UMB3N / IMB3A
晶体管
通用(双数字晶体管)
EMB3 / UMB3N / IMB3A
特点
1 )两个DTA143T芯片在EMT6或UMT6或SMT6
封装。
2 )安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMB3
1.6
0.5
1.0
0.5 0.5
(6) (5) (4)
1.6
1.2
1PIN MARK
(1) (2) (3)
0.22
0.13
ROHM : EMT6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: B3
结构
双PNP晶体管数字
(每单建于电阻)
以下特性适用于DTR
1
和DTR
2
.
UMB3N
2.0
1.3
0.65
(5)
(6)
(4)
0.9
0.65
0.7
等效电路
EMB3 , UMB3N
(3) (2)
R
1
(1)
1PIN MARK
(1)
(2)
(3)
1.25
2.1
0.2
IMB3A
(4) (5)
R
1
(6)
0.15
DTR
1
DTR
2
R
1
(5)
DTR
2
R
1
(2)
DTR
1
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: B3
(4)
(6)
(3)
(1)
IMB3A
2.9
1.9
0.95
0.95
1.1
0.8
R
1
=4.7k
R
1
=4.7k
(4)
(5)
(6)
1.6
2.8
包装规格
CODE
TYPE
EMB3
UMB3N
IMB3N
基本订购单位(件)
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T110
3000
1PIN MARK
(3)
(2)
(1)
0.3
0.15
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: B3
REV.B
0.3Min.
0.1Min.
1/2
EMB3 / UMB3N / IMB3A
晶体管
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
EMB3,UMB3N
IMB3A
Tj
TSTG
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
范围
50
50
5
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1
2
结温
储存温度
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
电气特性
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT)
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
3.29
典型值。
250
250
4.7
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
6.11
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=5mA/2.5mA
V
CE
= -5V ,我
C
=1mA
V
CE
= 10毫安,我
E
= -5mA中,f = 100MHz的
条件
该设备的跃迁频率
电气特性曲线
1k
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
V
CE
=5V
500
1
l
C
/l
B
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
500m
200m
直流电流增益:H
FE
200
100
50
Ta=100°C
25°C
40°C
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
20
10
5
2
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
REV.B
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
UMB3N
通用晶体管(双晶体管)
SOT-363
特点
两DTA143T芯片封装
安装可能与SOT- 363自动装配机器。
晶体管元件是独立的,从而消除干扰。
安装成本和面积可减少一半。
标记: B3
等效电路
1
绝对最大额定值( TA = 25 ℃ )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集热器
动力
结温
储存温度
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
-50
-50
-5
-100
150
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(Ta = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输入阻抗
跃迁频率
SYMB
V
( BR ) CB
V
( BR ) CE
V
( BR ), EB
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
R
1
f
T
-50
-50
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
K
兆赫
条件
I
C
=-50μA
I
C
=-1mA
I
E
=-50μA
V
CB
=-50V
V
EB
=-4V
I
C
=-5mA,I
B
=-0.25mA
V
CE
=-5V,I
C
=-1mA
V
CE
= -10V ,我
E
=5mA,f=100
100
3.29
4.7
250
-0.5
-0.5
-0.3
600
6.11
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期:2011年/ 05
EMB3 / UMB3N / IMB3A
PNP -100mA -50V复杂的数字晶体管
(偏置电阻内置晶体管)
数据表
lOutline
参数
TR1和TR2
EMT6
(6)
(1)
(5)
(4)
UMT6
I
C(最大值)。
R
1
V
首席执行官
-50V
-100mA
4.7kW
SMT6
(6)
(1)
(5)
(4)
(2)
(3)
(2)
(3)
EMB3
(SC-107C)
(4)
(5)
UMB3N
SOT- 353 ( SC -88 )
lFeatures
1 )内置偏置电阻器。
2 )两DTA143T芯片在一个封装中。
3 )内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻(请参见内部电路) 。
4)偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离,允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
5)仅在开/关的条件需要被设置
操作时,使电路设计容易。
6 )无铅/符合RoHS标准。
(3)
(2)
(1)
(6)
IMB3A
SOT- 457 ( SC- 74 )
lInner
电路
EMB3 / UMB3N
集热器
(6)
BASE
(5)
辐射源
(4)
集热器
(4)
IMB3A
BASE
(5)
辐射源
(6)
lApplication
逆变电路,接口电路,驱动电路
(1)
辐射源
(2)
BASE
(3)
集热器
(3)
辐射源
(2)
BASE
(1)
集热器
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
EMB3
UMB3N
IMB3A
EMT6
UMT6
SMT6
SIZE
(mm)
1616
2021
2928
TAPING
CODE
T2R
TR
T108
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位(pcs )
180
180
180
8
8
8
8,000
3,000
3,000
记号
B3
B3
B3
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1/6
2012.06 - Rev.C
EMB3 / UMB3N / IMB3A
lAbsolute
最大额定值
( TA = 25°C )
<For Tr1和Tr2中common>
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
EMB3 / UMB3N
IMB3A
结温
储存温度范围
lElectrical
特性(Ta
= 25°C)
<For Tr1和Tr2中common>
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
数据表
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C(MAX.)*1
P
D
*2
-50
-50
-5
-100
150 ( TOTAL )
*3
300 ( TOTAL )
*4
150
-55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
R
1
f
T *1
条件
I
C
=
-50mA
I
C
=
-1mA
I
E
=
-50mA
V
CB
=
-50V
V
EB
=
-4V
I
C
/ I
B
=
-5mA
/
-0.25mA
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
100
3.29
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
250
4.7
250
马克斯。
-
-
-
-0.5
-0.5
-0.3
600
6.11
-
单位
V
V
V
mA
mA
V
-
kW
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
V
CE
=
-5V
, I
C
=
-1mA
,
-
V
CE
=
-10V,
I
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
*每个单元3 120MW不得超过。
*每单元4 200mW的不得超过。
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2/6
2012.06 - Rev.C
EMB3 / UMB3N / IMB3A
lElectrical
特性曲线(大
= 25°C)
数据表
-10
图1发射极接地传播
特征
V
CE
=
-5V
-100
图2接地发射极输出
特征
Ta=25C
I
B
=
-500μA
-450μA
-400μA
-350μA
-300μA
-250μA
集电极电流: IC (MA )
集电极电流:我
C
(MA )
-1
-80
-60
-0.1
Ta=100C
25C
-40C
-40
-200μA
-150μA
-100μA
-50μA
-0.01
-20
-0.001
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0A
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极
电压: V
CE
(V)
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压: V
CE
( SAT ) (V )
直流电流增益: hFE参数
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
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3/6
2012.06 - Rev.C
EMB3 / UMB3N / IMB3A
lDimensions
(单位:毫米)
D
b
x
S A
L
数据表
EMT6
A
c
Lp
H
E
Lp
e
L
E
A
A1
S
S
l1
b2
e
终端位置方面的Patterm
暗淡
A1
A
b
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
最大
0.00
0.10
0.45
0.55
0.17
0.27
0.08
0.18
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
1.50
1.70
0.10
0.30
-
0.35
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
1.25
-
0.37
-
0.45
英寸
0
0.018
0.007
0.003
0.059
0.043
0.02
0.059
0.004
-
-
-
英寸
0.049
-
-
0.015
0.018
最大
0.067
0.012
0.014
0.004
0.004
最大
0.004
0.022
0.011
0.007
0.067
0.051
尺寸以毫米/英寸
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4/6
2012.06 - Rev.C
e1
EMB3 / UMB3N / IMB3A
lDimensions
(单位:毫米)
数据表
UMT6
D
e
A
Q
c
H
E
L1
b
x
S A
A3
e
A
A1
S
S
b2
终端位置方面的Patterm
暗淡
A
A1
A3
b
c
D
E
e
H
E
L1
Lp
Q
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
最大
0.80
1.00
0.00
0.10
0.25
0.15
0.30
0.10
0.20
1.90
2.10
1.15
1.35
0.65
2.00
2.20
0.20
0.50
0.25
0.55
0.10
0.30
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
1.55
-
0.40
-
0.65
英寸
-
0
0.01
0.006
0.004
0.075
0.045
0.03
0.079
0.008
0.01
0.004
-
-
英寸
0.06
-
-
0.016
0.026
最大
0.087
0.02
0.022
0.012
0.004
0.004
0.012
0.008
0.083
0.053
最大
0.039
0.004
尺寸以毫米/英寸
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5/6
l1
e1
2012.06 - Rev.C
Lp
E
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    UMB3N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    UMB3N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    UMB3N
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息

电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
UMB3N
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
UMB3N
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
UMB3N
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
UMB3N
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
UMB3N
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
UMB3N
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
UMB3N
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息
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