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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第310页 > UMB10N
EMB10 / UMB10N / IMB10A
晶体管
通用
(双数字晶体管)
EMB10 / UMB10N / IMB10A
特点
1 )两个DTA123J芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMB10
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
缩写符号: B10
结构
外延平面型
PNP硅晶体管(内置电阻型)
UMB10N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.2
(6)
1.25
以下特性适用于DTR
1
DTR
2
.
2.1
0.15
0.1Min.
0to0.1
等效电路
EMB10 / UMB10N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=2.2k
R
2
=47k
DTR
2
R
2
R
1
(4) (5)
DTR
2
R
2
R
1
(3) (2)
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号: B10
IMB10A
(4) (5) (6)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=2.2k
R
2
=47k
(1)
IMB10A
(6)
0.3
(5)
(4)
(6)
1.6
2.8
0.15
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
12
5
输出电流
EMB10 , UMB10N
动力
散热IMB10A
结温
储存温度
100
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
C
C
单位
V
V
0.3to0.6
0to0.1
(3)
(2)
(1)
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
缩写符号: B10
mA
1
2
mW
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(1)
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
Rev.A的
2.0
(5)
(2)
1/2
EMB10 / UMB10N / IMB10A
晶体管
电气特性
( TA = 25°C )
参数
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
分钟。
1.1
80
典型值。
0.1
马克斯。
0.5
0.3
3.6
0.5
单位
V
V
mA
A
条件
V
CC
=
5V,
I
O
=
100A
V
O
=
0.3V,
I
O
=
5mA
I
O
/I
I
=
5mA/0.25mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V,
V
I
=0V
V
O
=
5V,
I
O
=
10mA
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
f
T
R
1
R
2
/ R
1
1.54
17
250
2.2
21
2.86
26
兆赫
k
V
CE
=
10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
包装规格
CODE
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T148
3000
TYPE
EMB10
UMB10N
IMB10A
基本订购
单位(件)
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
2m
1k
V
CC
=5V
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输出电流:木卫一
(A)
输入电压: V
我(上)
(V)
20
10
5
2
1
直流电流增益:摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=40C
25C
100C
Ta=100C
25C
40C
500m
200m
100m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
1
500m
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益与输出
当前
l
O
/l
I
=20
Ta=100C
25C
40C
输出电压: V
O(上)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
-2m
1m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMB10 / UMB10N / IMB10A
晶体管
通用
(双数字晶体管)
EMB10 / UMB10N / IMB10A
特点
1 )两个DTA123J芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMB10
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
1.2
1.6
(1)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
缩写符号: B10
结构
外延平面型
PNP硅晶体管(内置电阻型)
UMB10N
(4)
0.65
1.3
0.65
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.7
0.9
(3)
0.5
0.5 0.5
1.0
1.6
0.2
(6)
1.25
以下特性适用于DTR
1
DTR
2
.
2.1
0.15
0.1Min.
0to0.1
等效电路
EMB10 / UMB10N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=2.2k
R
2
=47k
DTR
2
R
2
R
1
(4) (5)
DTR
2
R
2
R
1
(3) (2)
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号: B10
IMB10A
(4) (5) (6)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=2.2k
R
2
=47k
(1)
IMB10A
(6)
0.3
(5)
(4)
(6)
1.6
2.8
0.15
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
12
5
输出电流
EMB10 , UMB10N
动力
散热IMB10A
结温
储存温度
100
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
C
C
单位
V
V
0.3to0.6
0to0.1
(3)
(2)
(1)
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
缩写符号: B10
mA
1
2
mW
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
(1)
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
Rev.A的
2.0
(5)
(2)
1/2
EMB10 / UMB10N / IMB10A
晶体管
电气特性
( TA = 25°C )
参数
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
分钟。
1.1
80
典型值。
0.1
马克斯。
0.5
0.3
3.6
0.5
单位
V
V
mA
A
条件
V
CC
=
5V,
I
O
=
100A
V
O
=
0.3V,
I
O
=
5mA
I
O
/I
I
=
5mA/0.25mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V,
V
I
=0V
V
O
=
5V,
I
O
=
10mA
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
f
T
R
1
R
2
/ R
1
1.54
17
250
2.2
21
2.86
26
兆赫
k
V
CE
=
10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
包装规格
CODE
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T148
3000
TYPE
EMB10
UMB10N
IMB10A
基本订购
单位(件)
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
2m
1k
V
CC
=5V
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输出电流:木卫一
(A)
输入电压: V
我(上)
(V)
20
10
5
2
1
直流电流增益:摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=40C
25C
100C
Ta=100C
25C
40C
500m
200m
100m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
1
500m
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益与输出
当前
l
O
/l
I
=20
Ta=100C
25C
40C
输出电压: V
O(上)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
-2m
1m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMB10 / UMB10N / IMB10A
晶体管
通用
(双数字晶体管)
EMB10 / UMB10N / IMB10A
特点
1 )两个DTA123J芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装可能与EMT3或UMT3或SMT3
自动装配机等。
3 )晶体管元件是独立的,从而消除
干扰。
4 )安装成本和面积可减少一半。
尺寸
(单位:毫米)
EMB10
(6) (5) (4)
(1) (2) (3)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : EMT6
缩写符号: B10
结构
外延平面型
PNP硅晶体管(内置电阻型)
UMB10N
(6) (5) (4)
以下特性适用于DTR
1
DTR
2
.
(1) (2) (3)
每根导线具有相同的尺寸
等效电路
EMB10 / UMB10N
(3) (2) (1)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=2.2k
R
2
=47k
DTR
2
R
2
R
1
(4) (5)
DTR
2
R
2
R
1
(3) (2)
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
缩写符号: B10
IMB10A
(4) (5) (6)
R
1
R
2
DTR
1
R
1
=2.2k
R
2
=47k
(1)
(4)
(5)
(6)
IMB10A
(6)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
电源电压
输入电压
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)。
Pd
Tj
TSTG
范围
50
12
5
输出电流
EMB10 , UMB10N
动力
散热IMB10A
结温
储存温度
100
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
C
C
单位
V
V
(3)
(2)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
缩写符号: B10
mA
1
2
mW
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
REV.C
1/2
EMB10 / UMB10N / IMB10A
晶体管
电气特性
( TA = 25°C )
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
跃迁频率
输入阻抗
电阻率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
f
T
R
1
R
2
/ R
1
分钟。
1.1
80
1.54
17
典型值。
0.1
250
2.2
21
马克斯。
0.5
0.3
3.6
0.5
2.86
26
单位
V
V
mA
A
兆赫
k
条件
V
CC
=
5V,
I
O
=
100A
V
O
=
0.3V,
I
O
=
5mA
I
O
/I
I
=
5mA/0.25mA
V
I
=
5V
V
CC
=
50V,
V
I
=0V
V
O
=
5V,
I
O
=
10mA
V
CE
=
10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
该设备的跃迁频率
包装规格
TYPE
CODE
基本订购
单位(件)
EMB10
UMB10N
IMB10A
T2R
8000
TAPING
TN
3000
T110
3000
电气特性曲线
100
50
V
O
=0.3V
10m
5m
2m
1k
V
CC
=5V
500
V
O
=5V
Ta=100C
25C
40C
输入电压: V
我(上)
(V)
20
10
5
2
1
输出电流:木卫一
(A)
直流电流增益:摹
I
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=40C
25C
100C
Ta=100C
25C
40C
500m
200m
100m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m 100m
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
输入电压: V
我(关闭)
(V)
输出电流:我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
(ON特性)
1
500m
图2输出电流与输入电压
(关特征)
图3直流电流增益与输出
当前
l
O
/l
I
=20
Ta=100C
25C
40C
输出电压: V
O(上)
(V)
200m
100m
50m
20m
10m
5m
-2m
1m
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流:我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
REV.C
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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