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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第145页 > UMA4NT1
UMA4NT1 ， UMA6NT1
首选设备
双共发射极偏置
电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
http://onsemi.com
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在UMC2NT1系列，二
BRT设备都装在SOT - 353封装，非常适合
低功率表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
特点
3
2
1
R1
R1
Q1
4
Q2
5
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
无铅包可用
记号
图
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SC88A/SOT353
CASE 419A
风格7
UX M
G
G
热特性
热阻，结到环境
（表面贴装）
工作和存储温度范围
总包耗散@ T
A
= 25°C
（注1 ）
R
qJA
T
J
, T
英镑
P
D
833
-65到+150
*150
° C / W
°C
mW
UX =器件代码
X = 0或1
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
UMA4NT1
UMA4NT1G
UMA6NT1
包
SOT353
SOT353
（无铅）
SOT353
SOT353
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
器件的电阻值
设备
UMA4NT1
UMA6NT1
R1 （ K）
10
47
R2 （ K）
∞
∞
UMA6NT1G
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年5月 - 第4版
出版订单号：
UMA4NT1/D
UMA4NT1 ， UMA6NT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0, I
C
= 5.0 mA）的
基本特征
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
UMA4NT1
UMA6NT1
UMA4NT1
UMA6NT1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
50
50
160
160
4.9
7.0
33
250
250
10
47
0.25
0.2
13
61
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
UMA4NT1
UMA6NT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.9
0.2
NADC
NADC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
PD ，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
R
qJA
= 833 ° C / W
0
50
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
UMA4NT1 ， UMA6NT1
典型电气特性 - UMA4NT1
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
10
I
C
/I
B
= 10
25°C
1000
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
1
T
A
= 75°C
25°C
h
FE
，直流电流增益
0.1
10
V
CE
= 10 V
1
0.01
0
10
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（毫安）
70
80
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
12
10
8
6
4
2
0
I
C
，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
图3.直流电流增益
C
ob
，电容（pF ）
10
75°C
T
A
= 25°C
25°C
0.1
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
V
IN
，输入电压（伏）
5
6
1
0
5
10
15
20
25
30
40
35
V
R
，反向偏置电压（伏）
45
0.01
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
http://onsemi.com
3
UMA4NT1 ， UMA6NT1
典型电气特性 - UMA6NT1
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
10
I
C
/I
B
= 10
25°C
1
25°C
T
A
= 75°C
0.1
1000
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 75°C
25°C
100
25°C
V
CE
= 10 V
0.01
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
60
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图6. V
CE （ SAT ）
与我
C
12
10
8
6
4
2
0
I
C
，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
图7.直流电流增益
75°C
10
T
A
= 25°C
25°C
C
ob
，电容（pF ）
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
V
IN
，输入电压（伏）
5
0
5
10
15
20
25
30
40
35
V
R
，反向偏置电压（伏）
45
0.001
图8.输出电容
图9.输出电流与输入电压
http://onsemi.com
4
UMA4NT1 ， UMA6NT1
包装尺寸
SC - 88A / SOT - 353 / SC- 70
CASE 419A -02
ISSUE
A
G
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419A -01过时。新标准
419A02.
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边，突出物，或门
毛刺。
5
4
S
1
2
3
B
D
5 PL
0.2 (0.008)
M
B
M
N
J
C
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026 BSC
0.004
0.004
0.010
0.004
0.012
0.008 REF
0.079
0.087
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
风格7 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3. BASE
4.收集
5.集热器
H
K
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
UMA4NT1/D
UMA4NT1 ， UMA6NT1
首选设备
双共发射极偏置
电阻晶体管
PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在UMC2NT1系列，二
BRT设备都装在SOT - 353封装，非常适合
低功率表面贴装应用中的电路板空间是一个
溢价。
http://onsemi.com
3
2
1
R1
R1
Q1
4
Q2
5
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
记号
图
5
4
UX
SC88A/SOT353
CASE 419A
风格7
1
2
3
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
- 减号为Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
UX =器件标识
X = 0或1
D =日期代码
热特性
热电阻 - 结到环境
（表面贴装）
工作和存储温度
范围
总包耗散
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
R
θJA
T
J
, T
英镑
P
D
833
-65
+150
*150
° C / W
°C
mW
订购信息
设备
UMA4NT1
UMA6NT1
包
SOT323
SOT323
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
器件标识和电阻值
设备
UMA4NT1
UMA6NT1
记号
U0
U1
R1 （ K）
10
47
R2 （ K）
∞
∞
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第2版
出版订单号：
UMA4NT1/D
UMA4NT1 ， UMA6NT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CB
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0, I
C
= 5.0 mA）的
UMA4NT1
UMA6NT1
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
100
500
0.9
0.2
NADC
NADC
MADC
基本特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
A,
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
直流电流增益
(V
CE
= 10 V，I
C
= 5.0 mA）的
UMA4NT1
UMA6NT1
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OL
V
OH
R1
50
50
160
160
4.9
7.0
33
250
250
10
47
0.25
0.2
13
61
VDC
VDC
VDC
kW
VDC
VDC
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
UMA4NT1
UMA6NT1
PD ，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
R
θJA
= 833 ° C / W
0
50
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
2
UMA4NT1 ， UMA6NT1
典型电气特性 - UMA4NT1
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
10
I
C
/I
B
= 10
25°C
1000
T
A
= 75°C
100
25°C
25°C
1
T
A
= 75°C
25°C
h
FE
，直流电流增益
0.1
10
V
CE
= 10 V
1
0.01
0
10
20
30
40
50
60
I
C
，集电极电流（毫安）
70
80
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
12
10
8
6
4
2
0
I
C
，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
图3.直流电流增益
C
ob
，电容（pF ）
10
75°C
T
A
= 25°C
25°C
0.1
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
V
IN
，输入电压（伏）
5
6
1
0
5
10
15
20
25
30
40
35
V
R
，反向偏置电压（伏）
45
0.01
图4.输出电容
图5.输出电流与输入电压
http://onsemi.com
3
UMA4NT1 ， UMA6NT1
典型电气特性 - UMA6NT1
V
CE （ SAT ）
最大集电极电压（伏）
10
I
C
/I
B
= 10
25°C
1
25°C
T
A
= 75°C
0.1
1000
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 75°C
25°C
100
25°C
V
CE
= 10 V
0.01
0
10
20
30
40
50
I
C
，集电极电流（毫安）
60
10
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图6. V
CE （ SAT ）
与我
C
12
10
8
6
4
2
0
I
C
，集电极电流（毫安）
F = 1 MHz的
I
E
= 0毫安
T
A
= 25°C
100
图7.直流电流增益
75°C
10
T
A
= 25°C
25°C
C
ob
，电容（pF ）
1
0.1
0.01
V
O
= 5 V
0
1
2
3
4
V
IN
，输入电压（伏）
5
0
5
10
15
20
25
30
40
35
V
R
，反向偏置电压（伏）
45
0.001
图8.输出电容
图9.输出电流与输入电压
http://onsemi.com
4
UMA4NT1 ， UMA6NT1
包装尺寸
SC88A/SOT353
5引脚封装
CASE 419A -02
ISSUE摹
G
A
5
4
注意事项：
1.尺寸和公差
符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 419A -01过时。新标准
419A02.
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边，突出物，或门
毛刺。
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026 BSC
0.004
0.004
0.010
0.004
0.012
0.008 REF
0.079
0.087
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65 BSC
0.10
0.10
0.25
0.10
0.30
0.20 REF
2.00
2.20
S
1
2
3
B
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
N
S
D
5 PL
0.2 (0.008)
M
B
M
N
J
C
H
K
风格7 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3. BASE
4.收集
5.集热器
焊接足迹*
0.50
0.0197
0.65
0.025
0.65
0.025
0.40
0.0157
1.9
0.0748
尺度20:1
mm
英寸
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