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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第339页 > UMA4N
EMA4 / UMA4N / FMA4A
晶体管
通用(双数字晶体管)
EMA4 / UMA4N / FMA4A
特征
1 )两个DTA114T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMA4
0.22
(4)
(3)
(2)
等效电路
EMA4 / UMA4N
(3)
(2)
(1)
(5)
0.13
(3)
(4)
(5)
R
1
R
1
R
1
R
1
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
(4)
(5)
(2)
(1)
(4)
(3)
0.65 0.65
UMA4N
0.2
0.5
FMA4A
1.2
1.6
(1)
0.5 0.5
1.0
1.6
1.3
0.9
TYPE
记号
CODE
基本订购单位(件)
EMA4
EMT5
A4
T2R
8000
UMA4N
UMT5
A4
TR
3000
FMA4A
SMT5
A4
T148
3000
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
0.15
(5)
1.25
2.1
0.7
0.1Min.
0to0.1
(1)
包装,标志和包装规格
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
动力
耗散
EMA4 / UMA4N
FMA4A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pd
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
FMA4A
0.95 0.95
1.9
(2)
0.3
(3)
1
2
0.15
(1)
1.6
2.8
0.8
1.1
结温
储存温度
°C
°C
0.3to0.6
0to0.1
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
(5)
(4)
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
2.9
Rev.A的
2.0
(2)
1/2
EMA4 / UMA4N / FMA4A
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
电气特性曲线
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
1k
500
直流电流增益:H
FE
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m 2m
l
C
/l
B
=20
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=100°C
25°C
40°C
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m 50m100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
晶体管
EMA4 / UMA4N / EMB4 / UMB4N / UMB8N /
FMA4A / IMB4A / IMB8A
通用(双数字晶体管)
EMA4 / UMA4N / EMB4 / UMB4N / UMB8N /
FMA4A / IMB4A / IMB8A
!
特点
1 )两个DTA114T芯片在EMT或UMT或SMT封装。
!
等效电路
EMA4 / UMA4N
(3)
(2)
(1)
FMA4A
(3)
(4)
(5)
EMB4 / UMB4N
(3)
(2)
(1)
IMB4A
(4)
(5)
(6)
UMB8N
(3)
(2)
(1)
IMB8A
(4)
(5)
(6)
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
R
1
(4)
(5)
(2)
(1)
(4)
(5)
(6)
(3)
R
1
(2)
(1)
R
1
(4) (5)
(6)
R
1
(3) (2)
(1)
!
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
动力
耗散
EMA4 / UMA4N / EMB4 / UMB4N / UMB8N
FMA4A / IMB4A / IMB8A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pd
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
~
+150
单位
V
V
V
mA
mW
1
2
结温
储存温度
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
°C
°C
!
电气特性
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
!
包装,标志和包装规格
TYPE
记号
CODE
基本订购单位(件)
EMA4
EMT5
A4
T2R
8000
UMA4N
UMT5
A4
TR
3000
EMB4
EMT6
B4
T2R
8000
UMB4N
UMT6
B4
TN
3000
UMB8N
UMT6
B8
TR
3000
FMA4A
SMT5
A4
T148
3000
IMB4A
SMT6
B4
T110
3000
IMB8A
SMT6
B8
T108
3000
晶体管
!
外形尺寸
(单位:毫米)
EMA4 / UMA4N / EMB4 / UMB4N / UMB8N /
FMA4A / IMB4A / IMB8A
(4)
(3)
0.65 0.65
EMA4
UMA4N
0.2
1.3
0.65
0.9
0.65
0.7
1.1
0.22
(5)
(2)
(5)
0.13
1.2
1.6
(1)
1.25
2.1
0.15
0.5
(1)
(4)
(3)
0.5 0.5
1.0
1.6
0.1Min.
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
0to0.1
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
每根导线具有相同的尺寸
EMB4
(4)
(3)
UMB4N / UMB8N
0.2
0.7
1.3
0.8
0.95 0.95
1.9
2.9
0.9
2.0
2.0
(5)
(2)
(6)
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
0.5 0.5
1.0
1.6
1.25
2.1
1.2
1.6
(1)
0.13
0.5
0.15
0.1Min.
ROHM : EMT6
每根导线具有相同的尺寸
0to0.1
ROHM : UMT6
EIAJ : SC -88
EMA4A
0.95 0.95
1.9
(2)
IMB4A / IMB8A
(6)
0.3
2.9
0.3
(3)
(5)
(4)
(4)
(1)
(5)
1.6
2.8
1.6
2.8
0.15
0.8
1.1
0.15
0.3to0.6
0to0.1
0.3to0.6
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
0to0.1
ROHM : SMT6
EIAJ : SC- 74
(3)
(2)
(1)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
每根导线具有相同的尺寸
(2)
EMA4 / UMA4N / FMA4A
晶体管
通用(双数字晶体管)
EMA4 / UMA4N / FMA4A
特征
1 )两个DTA114T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMA4
0.22
(4)
(3)
(2)
等效电路
EMA4 / UMA4N
(3)
(2)
(1)
(5)
0.13
(3)
(4)
(5)
R
1
R
1
R
1
R
1
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
(4)
(5)
(2)
(1)
(4)
(3)
0.65 0.65
UMA4N
0.2
0.5
FMA4A
1.2
1.6
(1)
0.5 0.5
1.0
1.6
1.3
0.9
TYPE
记号
CODE
基本订购单位(件)
EMA4
EMT5
A4
T2R
8000
UMA4N
UMT5
A4
TR
3000
FMA4A
SMT5
A4
T148
3000
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
0.15
(5)
1.25
2.1
0.7
0.1Min.
0to0.1
(1)
包装,标志和包装规格
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
动力
耗散
EMA4 / UMA4N
FMA4A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pd
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150(TOTAL)
300(TOTAL)
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
FMA4A
0.95 0.95
1.9
(2)
0.3
(3)
1
2
0.15
(1)
1.6
2.8
0.8
1.1
结温
储存温度
°C
°C
0.3to0.6
0to0.1
1
每个元素120MW不得超过。
2
每个元素为200mW不得超过。
(5)
(4)
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
每根导线具有相同的尺寸
2.9
Rev.A的
2.0
(2)
1/2
EMA4 / UMA4N / FMA4A
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
*转换
频设备。
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
R
1
分钟。
50
50
5
100
7
典型值。
250
250
10
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
13
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
k
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=10mA/1mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
电气特性曲线
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(V)
1k
500
直流电流增益:H
FE
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m 2m
l
C
/l
B
=20
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=100°C
25°C
40°C
Ta=100°C
25°C
40°C
5m 10m 20m 50m100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMA4 / UMA4N / FMA4A
PNP -100mA -50V复杂的数字晶体管
(偏置电阻内置晶体管)
数据表
lOutline
参数
TR1和TR2
EMT5
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
(5)
(4)
UMT5
(3)
(2)
(1)
V
首席执行官
I
C(最大值)。
R
1
-50V
-100mA
10kW
SMT5
EMA4
(SC-107BB)
(1)
(2)
(5)
(4)
(3)
UMA4N
SOT- 353 ( SC- 88A )
lFeatures
1 )内置偏置电阻器。
2 )两DTA114T芯片在一个封装中。
3 )发射极常见的类型。
4 )内置偏置电阻实现的配置
没有连接外部的逆变器电路
输入电阻(请参见内部电路) 。
5)偏置电阻组成的薄膜电阻
完全隔离,允许负偏置
输入的。它们还具有的优点
完全消除了寄生效应。
6)仅在开/关的条件需要被设置
操作时,使电路设计容易。
7 )无铅/符合RoHS标准。
FMA4A
(SC-74A)
lInner
电路
EMA4 / UMA4N
BASE
(3)
辐射源
(2)
BASE
(1)
BASE
(3)
FMA4A
辐射源
(4)
BASE
(5)
lApplication
接口电路,驱动电路
(4)
集热器
(5)
集热器
(2)
集热器
(1)
集热器
lPackaging
特定网络阳离子
产品型号
EMA4
UMA4N
FMA4A
EMT5
UMT5
SMT5
SIZE
(mm)
1616
2021
2928
TAPING
CODE
T2R
TR
T148
BASIC
大小盘磁带宽度
订购
(mm)
(mm)
单位(pcs )
180
180
180
8
8
8
8,000
3,000
3,000
记号
A4
A4
A4
www.rohm.com
2012 ROHM有限公司保留所有权利。
1/6
2012.06 - Rev.B的
EMA4 / UMA4N / FMA4A
lAbsolute
最大额定值
( TA = 25°C )
<For Tr1和Tr2中common>
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
EMA4 / UMA4N
FMA4A
结温
储存温度范围
P
C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C(最大值) * 1
*2
数据表
-50
-50
-5
-100
150 ( TOTAL )
*3
300 ( TOTAL )
*4
150
-55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
lElectrical
特性(Ta
= 25°C)
<For Tr1和Tr2中common>
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
R
1
f
T *1
条件
I
C
=
-50mA
I
C
=
-1mA
I
E
=
-50mA
V
CB
=
-50V
V
EB
=
-4V
I
C
/ I
B
=
-10mA
/
-1mA
V
CE
=
-5V
, I
C
=
-1mA
,
分钟。
-50
-50
-5
-
-
-
100
7
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
250
10
250
马克斯。
-
-
-
-0.5
-0.5
-0.3
600
13
-
单位
V
V
V
mA
mA
V
-
kW
兆赫
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
输入阻抗
跃迁频率
-
V
CE
=
-10V,
I
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
*内置晶体管的特性1
* 2每个终端安装在参考足迹
*每个单元3 120MW不得超过。
*每单元4 200mW的不得超过。
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2012.06 - Rev.B的
EMA4 / UMA4N / FMA4A
lElectrical
特性曲线(大
= 25°C)
数据表
图1发射极接地传播
特征
-10
V
CE
=
-5V
图2接地发射极输出
特征
-100
Ta=25C
I
B
=
-500μA
-450μA
-400μA
-350μA
-300μA
集电极电流: IC (MA )
集电极电流:我
C
(MA )
-80
-1
-60
-250μA
-200μA
-0.1
Ta=100C
25C
-40C
-40
-150μA
-100μA
-0.01
-20
-50μA
-0.001
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
0
-5
0A
-10
基地发射极电压: V
BE
(V)
集电极到发射极
电压: V
CE
(V)
图3直流电流增益
与集电极电流
图4集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
集电极饱和
电压: V
CE
( SAT ) (V )
直流电流增益: hFE参数
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流:我
C
(MA )
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2012.06 - Rev.B的
EMA4 / UMA4N / FMA4A
lDimensions
(单位:毫米)
D
数据表
EMT5
A
x
S A
c
b
L
H
E
E
e
L
Lp
Lp
A
A1
S
S
l1
b2
e
终端位置方面的Patterm
暗淡
A1
A
b
c
D
E
e
H
E
L
Lp
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
最大
0.00
0.10
0.45
0.55
0.17
0.27
0.08
0.18
1.50
1.70
1.10
1.30
0.50
1.50
1.70
0.10
0.30
-
0.35
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
1.25
-
0.37
-
0.45
英寸
0
0.018
0.007
0.003
0.059
0.043
0.02
0.059
0.004
-
-
-
英寸
0.049
-
-
0.015
0.018
最大
0.067
0.012
0.014
0.004
0.004
最大
0.004
0.022
0.011
0.007
0.067
0.051
尺寸以毫米/英寸
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2012.06 - Rev.B的
e1
EMA4 / UMA4N / FMA4A
lDimensions
(单位:毫米)
数据表
UMT5
D
e
A
Q
c
H
E
L1
b
x
S A
A3
e
A
A1
S
S
b2
终端位置方面的Patterm
暗淡
A
A1
A3
b
c
D
E
e
H
E
L1
Lp
Q
x
y
暗淡
e1
b2
l1
地壳板块
最大
0.80
1.00
0.00
0.10
0.25
0.15
0.30
0.10
0.20
1.90
2.10
1.15
1.35
0.65
2.00
2.20
0.20
0.50
0.25
0.55
0.10
0.30
-
0.10
-
0.10
地壳板块
最大
1.55
-
0.40
-
0.65
英寸
0.031
0
0.01
0.006
0.004
0.075
0.045
0.03
0.079
0.008
0.01
0.004
-
-
英寸
0.06
-
-
0.016
0.026
最大
0.087
0.02
0.022
0.012
0.004
0.004
0.012
0.008
0.083
0.053
最大
0.039
0.004
尺寸以毫米/英寸
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l1
e1
Lp
E
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    -
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