UM9926
N-CH 20V的快速开关MOSFET
概述
该UM9926是最高性能的沟
N沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UM9926符合RoHS和绿色产品
要求， 100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
S 0 - 8
1
1
2
3
4
产品综述
BV
DSS
20V
应用
R
DS （ ON）
38mΩ
ID
6.5A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
SOP8引脚配置
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S
1
G
1
S
2
G
2
绝对最大额定值
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
热数据
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
20
10
6.5
30
1.7
2
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
62.5
C / W
1
UM9926
N-CH 20V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V,V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 6.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5A
V
DS
= 5.0V ，我
D
= 6.5A
最小值典型值
C
最大单位
20
1
10
0.5
0.9
23
30
16
540
160
100
1.5
28
38
V
uA
uA
V
兆欧
兆欧
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
正向跨导
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=8V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A,
V
GE
= 4.5V,
R
L
= 10
欧姆
R
GE
= 10
欧姆
V
DS
= 10V ，我
D
=6.5A,V
GS
=4V
V
DS
= 10V ，我
D
=6.5A,V
GS
=2.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.5 A
V
GS
=4V
15
20
36
11
6.4
4.6
1.1
2.8
C
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
0.72
1.2
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
2
UM9926
典型特征
20
16
V
的s
=8V
V
的s
=3V
V
的s
=2.5V
12
V
的s
=2V
15
12
N-CH 20V的快速开关MOSFET
I
D
，排水光凭目前 （A ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
9
8
6
T J = 125℃
3
0
0.0
25 C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-55 C
4
V
的s
=1.5V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
F igure 1输出C haracteris抽动
60
1.5
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
50
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0
V
的s
=2.5V
I
D
=5A
V
的s
=4V
I
D
=6.5A
R
DS （ ON）
(m
W
)
40
V
的s
=2.5V
30
20
10
1
V
的s
=4V
1
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
1.20
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
60
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=6.5A
是，S环境允许的漏电流（ A）
50
10.0
5.0
125 C
R
DS （ ON）
(m
W
)
40
30
20
75 C
10
0
25 C
25 C
75 C
125 C
0
1
2
4
6
8
1.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
的s
，G吃-S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
3
UM9926
N-CH 20V的快速开关MOSFET
典型特征
C为S
500
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
600
5
4
3
2
1
0
V
DS
=10V
I
D
=6.5A
C，C apacitance （PF ）
400
300
OS s
200
RS s
100
0
0
2
4
6
8
10
12
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
F igure 9 apacitance
600
S魔力牛逼IME （ NS ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
Tr
TD （关闭）
Tf
TD （上）
F igure 10摹吃哈耶
50
30
10
R
DS
100
60
10
(O
L
N)
im
it
10
1s
10
ms
0m
s
1
DC
1
1
V DS = 10V ， ID = 1A
V G S = 4.5V
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
60
6 10
60 100 300 600
R G ，G吃 ES是tance （
W
)
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 11.s魔力characteris抽动
F igure 12和最大S AFE
操作摄像区
9
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
on
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
4
UM9926
N-CH 20V的快速开关MOSFET
概述
该UM9926是最高性能的沟
N沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UM9926符合RoHS和绿色产品
要求， 100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
S 0 - 8
1
1
2
3
4
产品综述
BV
DSS
20V
应用
R
DS （ ON）
38mΩ
ID
6.5A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
SOP8引脚配置
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S
1
G
1
S
2
G
2
绝对最大额定值
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前 -C ontinuous
a
@ T
J
=25 C
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度法兰
热数据
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
20
10
6.5
30
1.7
2
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
C
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
62.5
C / W
1
UM9926
N-CH 20V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
参数
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
为s
C
OS s
C
RSS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V,V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 6.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 5A
V
DS
= 5.0V ，我
D
= 6.5A
最小值典型值
C
最大单位
20
1
10
0.5
0.9
23
30
16
540
160
100
1.5
28
38
V
uA
uA
V
兆欧
兆欧
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
正向跨导
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
c
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
V
DS
=8V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 10V,
I
D
= 1A,
V
GE
= 4.5V,
R
L
= 10
欧姆
R
GE
= 10
欧姆
V
DS
= 10V ，我
D
=6.5A,V
GS
=4V
V
DS
= 10V ，我
D
=6.5A,V
GS
=2.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 6.5 A
V
GS
=4V
15
20
36
11
6.4
4.6
1.1
2.8
C
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
0.72
1.2
V
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
2
UM9926
典型特征
20
16
V
的s
=8V
V
的s
=3V
V
的s
=2.5V
12
V
的s
=2V
15
12
N-CH 20V的快速开关MOSFET
I
D
，排水光凭目前 （A ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
9
8
6
T J = 125℃
3
0
0.0
25 C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-55 C
4
V
的s
=1.5V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
F igure 1输出C haracteris抽动
60
1.5
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
50
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0
V
的s
=2.5V
I
D
=5A
V
的s
=4V
I
D
=6.5A
R
DS （ ON）
(m
W
)
40
V
的s
=2.5V
30
20
10
1
V
的s
=4V
1
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125
150
T J （ C）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前
和G吃了V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
1.20
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
60
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=6.5A
是，S环境允许的漏电流（ A）
50
10.0
5.0
125 C
R
DS （ ON）
(m
W
)
40
30
20
75 C
10
0
25 C
25 C
75 C
125 C
0
1
2
4
6
8
1.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
的s
，G吃-S环境允许的电压（V ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
3
UM9926
N-CH 20V的快速开关MOSFET
典型特征
C为S
500
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
600
5
4
3
2
1
0
V
DS
=10V
I
D
=6.5A
C，C apacitance （PF ）
400
300
OS s
200
RS s
100
0
0
2
4
6
8
10
12
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
F igure 9 apacitance
600
S魔力牛逼IME （ NS ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
Tr
TD （关闭）
Tf
TD （上）
F igure 10摹吃哈耶
50
30
10
R
DS
100
60
10
(O
L
N)
im
it
10
1s
10
ms
0m
s
1
DC
1
1
V DS = 10V ， ID = 1A
V G S = 4.5V
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
60
6 10
60 100 300 600
R G ，G吃 ES是tance （
W
)
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 11.s魔力characteris抽动
F igure 12和最大S AFE
操作摄像区
9
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
on
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
4
QQ：2880707522 复制
