数据表
0.9V驱动N沟道+ N沟道MOSFET
UM6K34N
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
(单位:毫米)
UMT6
(SC-88)
<SOT-363>
■特点
1 )安装成本和面积可减少一半。
2)低导通电阻。
3 )低电压驱动( 0.9Vdrive )使该器件非常适用于便携式设备。
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
缩写符号: K34
应用
接口,开关
Inner
电路
(6)
(5)
1
(4)
包装规格
TYPE
UM6K34N
包
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
在TCn
3000
○
2
2
(1) Tr1的源
(2) Tr1的栅极
( 3 ) Tr2的漏
(4) Tr2的源
( 5 ) Tr2的门
( 6 ) Tr1的漏
1
(1)
(2)
(3)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ,职务cycle1 %
* 2每个终端安装在一个推荐的土地。
1
ESD保护二极管
2
体二极管
符号
V
DSS
V
GSS
范围
50
8
200
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
毫瓦/总
毫瓦/元
C
C
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
800
125
800
150
120
150
55
to
150
*1
*2
热阻
参数
渠道环境
*每个终端安装在推荐地。
符号
RTH ( CH -A )
*
范围
833
1042
单位
C
/ W /总
C
/ W /元
www.rohm.com
2011 ROHM有限公司保留所有权利。
1/6
2011.04 - Rev.A的