【1.2V驱动N沟道+ N沟道MOSFETUM6K33NStructure硅N沟道MOSFET■特点1】,IC型号UM6K33N,UM6K33N PDF资料,UM6K33N经销商,ic,电子元器件-51电子网

1.2V驱动N沟道+ N沟道MOSFET

UM6K33N

Structure

硅N沟道MOSFET

■特点

1 ）高速switing 。

2 ）小型封装（ UMT6 ）。

3 ）超低电压驱动（ 1.2V驱动器）。

(1)

尺寸

（单位：毫米）

UMT6

(SC-88)

<SOT-363>

(6)

(5)

(4)

(2)

(3)

●应用

开关

缩写符号： K33

Packaging

特定网络阳离子

包

TYPE

CODE

基本订购单位（件）

UM6K33N

Inner

电路

TAPING

3000

(6)

(5)

(4)

“绝对

最大额定值

（大= 25C ）

符号

参数

(1)

(2)

(3)

ESD保护二极管

体二极管

（1） Tr1的源

（2） Tr1的栅极

（ 3 ） Tr2的漏

（4） Tr2的源

（ 5 ） Tr2的门

（ 6 ） Tr1的漏

范围

200

800

125

800

单位

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

功耗

通道温度

储存温度范围

* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％

* 2每个终端安装在一个推荐的土地。

DSS

GSS

连续

脉冲

连续

脉冲

总胆固醇

TSTG

150

毫瓦/总

120

毫瓦/元

150

+150

热

电阻

参数

符号

RTH （ CH -A ）

范围

833

1042

单位

°C

/ W /总

°C

/ W /元

渠道环境

*每个终端安装在推荐地。

www.rohm.com

○

1/5

2010.01 - Rev.A的

UM6K33N

ⅵELECTRICAL

特征

（大= 25C ）

<It是Tr1和Tr2.>相同评级

数据表

参数

栅源漏

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

符号

GSS

DSS

GS （ TH）

分钟。

0.3

典型值。

1.6

1.7

1.9

2.0

2.4

马克斯。

1.0

2.2

2.4

2.7

4.0

7.2

单位

条件

=8V, V

=0V

= 1mA时， V

=0V

=50V, V

=0V

= 10V ，我

=1mA

=的200mA， V

=4.5V

=的200mA， V

=2.5V

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

静态漏源导通状态

阻力

DS （ ON）

= 100mA时V

=1.8V

= 40毫安，V

=1.5V

= 20mA时， V

=1.2V

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

*脉冲

升

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

0.4

=的200mA， V

=10V

=0V

f=1MHz

= 100mA时V

30V

=4.5V

=300

=10

Body

二极管的特性

（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）

<It是Tr1和Tr2.>相同评级

参数

正向电压

*脉冲

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

=的200mA， V

=0V

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○

2/5

2010.01 - Rev.A的

UM6K33N

ⅵELECTRICAL

特性曲线

0.4

漏电流：我

[A]

漏电流：我

[A]

= 4.5V

= 2.5V

=1.8V

=1.5V

数据表

0.4

漏电流：我

[A]

= 4.5V

= 2.5V

=1.8V

=1.5V

Ta=25°C

脉冲

= 10V

脉冲

0.3

Ta=25°C

脉冲

= 1.2V

0.3

0.1

0.2

= 1.0V

0.2

=1.2V

=1.0V

TA = 125℃

TA = 75℃

TA = 25℃

TA = - 25℃

0.01

0.1

= 0.8V

0.1

=0.8V

0.2

0.4

0.6

0.8

0.001

0.5

1.5

漏源电压： V

[V]

图1典型的输出特性（

I )

漏源电压： V

[V]

图2典型的输出特性（

II )

栅源电压： V

[V]

图3典型的传输特性

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

TA = 25℃

脉冲

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

100

= 4.5V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

100

= 2.5V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

=1.2V

= 1.5V

= 1.8V

= 2.5V

= 4.5V

0.1

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

0.1

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

0.1

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

图4静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

I )

图5静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

II )

图6静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

III )

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

静态漏源导通状态

电阻值：R

（开） [

]

静态漏源导通状态

电阻： RDS （ ON） [

]

100

= 1.8V

脉冲

100

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

= 1.5V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

= 1.2V

脉冲

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

TA = -25C

0.1

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

0.1

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

0.1

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

图7静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

IV ）

图8静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

V )

图9静态漏源导通状态

电阻与漏电流（

VI ）

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○

3/5

2010.01 - Rev.A的

UM6K33N

正向转移导纳： | YFS | [S ]

数据表

静态漏源导通状态

]

电阻值：R

（开） [

= 20mA下

=200mA

Ta=25°C

脉冲

TA = -25C

Ta=25°C

Ta=75°C

Ta=125°C

源电流：我

[A]

= 10V

脉冲

=0V

脉冲

0.1

Ta=125°C

Ta=75°C

Ta=25°C

Ta=-25°C

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

0.5

1.5

漏电流：I

[A]

图10正向转移导纳

与漏电流

源极 - 漏极电压： V

[V]

图11反向漏电流

与水稻源极 - 漏极电压

栅源电压： V

[V]

图12静态漏源导通状态

电阻与栅源电压

1000

切换时间： T [ NS ]

电容： C [ pF的]

100

D（关闭）

Ta=25°C

=30V

=4.5V

=10

脉冲

100

Ta=25°C

f=1MHz

=0V

国际空间站

RSS

OSS

D（上）

0.01

0.1

漏电流：I

[A]

图13开关特性

0.1

0.01

0.1

100

漏源电压： V

[V]

图14典型电容

与漏源电压

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4/5

2010.01 - Rev.A的

UM6K33N

Measurement

电路\u003e

数据表

脉冲宽度

D.U.T.

50%

10%

90%

D（上）

90%

50%

10%

90%

D（关闭）

关闭

图1-1开关时间测量电路

图1-2的开关波形

Notice

本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。

请考虑设计的ESD保护电路。

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5/5

2010.01 - Rev.A的

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联系人：唐

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ROHM

2019

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原装正品钻石品质假一赔十

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Rohm(罗姆)

23+

18000

N/A

只做原装正品现货

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电话：13910052844（微信同步）

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地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

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√ 欧美㊣品

▲10/11+

8617

贴◆插

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电话：0755-23996734

联系人：李先生

地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C

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150000

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联系人：销售部1部

地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜

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地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

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