UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UM6K31N
初步
功率MOSFET
硅N沟道MOSFET
晶体管
描述
在UTC
UM6K31N
是硅的N沟道MOS场效应
晶体管。它可以在开关应用中使用。
6
5 4
3
SOT-363
1 2
符号
订购信息
订购数量
包
无铅
无卤
UM6K31NL-AL6-R
UM6K31NG-AL6-R
SOT-363
注：引脚分配： G：门D：漏极
S：源
1
S1
引脚分配
2
3
4
5
D2 G1 S2 G2
6
D1
填料
带盘
记号
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2010 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-503.a
UM6K31N
参数
初步
功率MOSFET
单位
V
V
mA
A
mA
A
mW
°C
°C
绝对最大额定值
（ TA = 25℃ ，这是相同的等级为TR1和TR2 ）
符号
评级
漏源电压
V
DSS
60
栅源电压
V
GSS
±20
连续
I
D
±250
漏电流连续
±1
脉冲（注1）
I
DP
连续
I
S
125
源电流连续（体二极管）
脉冲（注1）
I
SP
1
功耗
P
D
150
通道温度
T
CH
150
Strage温度
T
英镑
-55~150
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热阻
参数
渠道环境
符号
θ
JA
评级
833
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25℃ ，这是相同的等级为TR1和TR2 ）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅源漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
切换参数
导通延迟时间
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
(Note1)
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20 V, V
DS
=0 V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=250mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=250mA
V
GS
= 4.0V ，我
D
=250mA
V
GS
= 2.5V ，我
D
=10mA
最小典型最大单位
60
1
±10
1.0
1.7
2.1
2.3
3.0
15
4.5
2.0
3.5
5
18
28
2.5
2.4
3.0
3.2
12.0
V
A
A
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
t
D（上）
(Note1)
t
R
I
D
= 100mA时V
DD
30V, V
GS
=10V,
上升时间
(Note1)
R
L
300, R
G
=10
t
D（关闭）
见图1-1.1-2
打开-O FF延迟时间
(Note1)
t
F
下降时间
(Note1)
源 - 漏二极管额定值和特性
漏源二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 250毫安，V
GS
=0V
(Note1)
|Y
fs
|
V
DS
= 10V ，我
D
=250mA
正向转移导纳
(Note1)
注1 ： PW≤10μs DUTY CYCLE≤1 ％
1.2
0.25
V
S
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UM6K31N
测试电路
初步
功率MOSFET
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超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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