4V驱动P沟道MOSFET
UM6J1N
结构
硅P沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
UMT6
2.0
1.3
0.9
0.65
(5)
(6)
(4)
0.2
0.15
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： J01
应用
开关
包装规格
包
TYPE
UM6J1N
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TN
3000
内部电路
(6)
(5)
(4)
1
2
2
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（ 3 ） Tr2的漏
（4） Tr2的源
（ 5 ） Tr2的门
（ 6 ） Tr1的漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
<It是Tr1和Tr2.>相同评级
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
P
D
总胆固醇
TSTG
2
范围
30
±20
±0.2
±0.4
150
120
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
毫瓦/总
毫瓦/元
°C
°C
热阻
参数
渠道环境
安装在一个推荐的焊盘的每个终端
符号
RTH （ CH -A ）
范围
833
1042
单位
° C / W
/总
° C / W
/元
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0.1Min.
特点
1）在一个单一的UMT包两RSU002P03晶体管。
2）该MOSFET元件是独立的，从而消除
相互干扰。
3 ）安装成本和面积可减少一半。
0.65
0.7
1PIN MARK
(1)
(2)
(3)
1.25
2.1
1/3
2009.04 - Rev.A的
UM6J1N
电气特性
(Ta=25°C)
<It为Tr1和Tr2.>相同特性
参数
符号
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
脉冲
数据表
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
分钟。
30
1.0
0.2
典型值。
0.9
1.4
1.6
30
4
5
8
5
30
40
马克斯。
±10
1
2.5
1.4
2.1
2.4
单位
A
V
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
条件
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
=
1mA,
V
GS
=0V
V
DS
=
30V,
V
GS
=0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
0.2A,
V
GS
=
10V
I
D
=
0.15A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
0.15A,
V
GS
=
4V
V
DS
=
10V,
I
D
=
0.15A
V
DS
=
10V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
15
V
I
D
=
0.15A
V
GS
=
10V
R
L
100
R
G
=10
体二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
=
0.1A,
V
GS
=0V
电气特性曲线
100
栅源电压：
V
GS
(V)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
8
Ta=25°C
V
DD
=
15V
V
GS
=
10V
R
G
=10
脉冲
切换时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
tf
Ta=25°C
V
DD
=
15V
I
D
=200mA
R
G
=10
6
脉冲
7
西塞
100
TD （关闭）
5
4
3
2
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
10
10
TD （上）
CRSS
科斯
tr
1
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
1
Ta=125°C
0.1
75°C
25°C
25°C
15
I
D
=
125mA
I
D
=
200mA
反向漏电流：
I
S
(A)
静态漏源
通态电阻，R
DS
()
V
DS
=
10V
脉冲
20
Ta=25°C
脉冲
1
V
GS
=0V
脉冲
漏电流：
I
D
(A)
Ta=125°C
75°C
10
0.1
25°C
25°C
0.01
5
0.001
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6反向漏电流 -
源 - 漏电压
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UM6J1N
10
数据表
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
V
GS
=
10V
脉冲
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
10
V
GS
=
4.5V
脉冲
10
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
=
4V
脉冲
1
1
1
0.1
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.1
1
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（
Ι
)
10
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（
ΙΙ
)
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（
ΙΙΙ
)
静态漏源
通态电阻，R
DS （ ON）
()
Ta=25°C
脉冲
V
GS
=
4V
V
GS
=
4.5V
V
GS
=
10V
1
0
0.01
0.1
1
漏电流：
I
D
(A)
图10静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（
Ι
)
通告
本产品可能会造成较大的电气化环境下，芯片的老化和损坏。
请考虑设计的ESD保护电路。
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通告
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这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
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设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
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而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
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