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UM6008
N-CH 60V的快速开关MOSFET
概述
该UM6008是最高性能的沟
N沟道MOSFET的极端高密度，
它提供了出色的导通电阻和栅极电荷
对于大多数的同步降压转换器的
应用程序。
该UM6008符合RoHS和绿色产品
要求， 100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
产品综述
BV
DSS
60V
应用
R
DS （ ON）
90m
ID
3A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
负荷开关
SOP8引脚配置
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
2
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
总功耗
4
存储温度范围
工作结温范围
3
1
等级
60
±20
3
2.4
12
10.73
11.2
1.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
A
W
℃
℃
连续漏电流， V
GS
@ 10V
1
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
1
热阻结案件
1
典型值。
---
---
马克斯。
85
25
单位
℃/W
℃/W
1
UM6008
N-CH 60V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=3A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=60V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=48V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ，我
D
=2A
V
DS
=48V , V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
分钟。
60
---
---
---
1.2
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DS
=30V , V
GS
= 10V ，R
G
=3.3Ω,
I
D
=2A
---
---
---
---
V
DS
=15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
0.054
70
80
---
-4.96
---
---
---
13
5
1.68
1.9
1.6
7.2
25
14.4
511
38
25
马克斯。
---
---
90
100
2.5
---
1
5
±100
---
7.0
2.4
2.7
3.2
13
50
28.8
715
53
35
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
ΔBV
DSS
/△T
J
BV
DSS
温度COEF网络cient
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
总栅极电荷（ 4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ，L = 0.1mH ，我
AS
=5A
分钟。
2.5
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,6
2
1,6
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A ，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
---
---
典型值。
---
---
---
9.7
5.8
马克斯。
3
12
1.2
---
---
单位
A
A
V
nS
nC
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
F
= 2A ，的di / dt = 100A / μs的，T
J
=25℃
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=11.2A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
UM6008
典型特征
12
100
N-CH 60V的快速开关MOSFET
V
GS
=10V
10
I
D
=3A
95
V
GS
=7V
V
GS
=5V
I
D
漏电流（ A）
8
6
4
2
V
GS
=3V
R
DSON
(m)
2.5
3
V
GS
=4.5V
90
85
80
0
0
0.5
75
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
1
1.5
2
2
4
V
GS
(V)
6
8
10
图1典型的输出特性
10
图2导通电阻v.s栅源
8
I
S
源电流（ A）
6
4
T
J
=150℃
T
J
=25℃
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
反向图3正向特性
2.0
图4栅极电荷特性
归一化导通电阻
1.5
1.0
0.5
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（ ℃ ）
图5归V
GS （ TH）
v.s牛逼
J
图6归
DSON
v.s牛逼
J
3
UM6008
N-CH 60V的快速开关MOSFET
1000
F=1.0MHz
西塞
100.00
10.00
100us
1ms
电容（pF）
100
I
D
(A)
1.00
10ms
100ms
科斯
0.10
CRSS
10
1
5
9
13
17
21
25
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
o
DC
V
DS
漏极至源极电压（ V）
V
DS
(V)
100
1000
图7电容
1
图8安全工作区
归热响应（R
θJA
)
DUTY=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.01
P
DM
T
ON
T
单身
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
D =吨
ON
/T
T
jpeak
= T
A
+P
DM
XR
θJA
100
1000
T，脉冲宽度（S ）
图9归最大瞬态热阻抗
图10开关时间波形
图11非钳位感应开关波形
4
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