【UM4953双P沟道30V的快速开关MOSFET概述该UM4953是最高性能的沟P沟道MOSFET的】,IC型号UM4953,UM4953 PDF资料,UM4953经销商,ic,电子元器件-51电子网

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UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

概述

该UM4953是最高性能的沟

P沟道MOSFET的极端高密度，

它提供了出色的导通电阻和栅极电荷

对于大多数的同步降压转换器的

应用程序。

该UM4953符合RoHS和绿色产品

要求， 100 ％保证EAS全

功能可靠性批准。

特点

先进的高密度Trench技术

超低栅极电荷

优秀与Cdv / dt的影响下降

100 ％保证EAS

绿色设备可用

5

/

5

/

!

＆ QUOT ;

＆放大器;

%

$

#

,

,

,

,

,

,

,

,

/

/

5

产品综述

BV

DSS

-30V

应用

R

DS （ ON）

80m

ID

-4.9A

高周波同步负载点的

降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA

网络式DC -DC电源系统

负荷开关

双SOP8引脚配置

5

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

最大功率耗散

最高结温

存储温度范围

T

A

= 25°C

参数

SO

8

等级

-30

±25

-4.9

-30

T

A

= 25°C

T

A

= 100°C

2.5

1.0

150

-55到150

单位

V

A

W

°C

热数据

R

θJA

*

热阻 - 结到环境

50

° C / W

1

UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

电气特性（T

J

=25

℃,

除非另有说明）

UM4953

分钟。

-30

-1

-1

-1.5

53

80

-0.7

22.3

4.65

2

V

DD

= -15V ，我

D

=-2A ,

V

根

= -10V ，R

G

=6

R

L

=7.5

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

10

15

22

15

1260

340

220

18

20

38

25

pF

ns

-2

±100

60

95

-1.3

29

nC

典型值。

=

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

动态

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

=

参数

测试条件

马克斯。

单位

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

＆ GT ;

＆ GT ;

V

GS

= 0V时，我

DS

=-250A

V

DS

=-24V , V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=-250A

V

GS

=±25V , V

DS

=0V

V

GS

= -10V ，我

DS

=-4.9A

V

GS

= -4.5V ，我

DS

=-3.6A

I

SD

= -1.7A ，V

GS

=0V

V

DS

= -15V ，我

GS

=-10V

l

D

=-4.6A

V

A

V

nA

m

V

二极管的正向电压

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容频率= 1.0MHz的

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

2

UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

典型特征

30

25

30

-V

/5

= 5,6,7,8,9,10V

25

-I

D

- 漏电流（A ）

20

15

-I

D-

漏电流（ A）

-V

/5

=4V

20

15

T

J

=125°C

10

5

0

-V

/5

=3V

-V

/5

=2V

0

1

2

3

4

5

6

7

8

10

T

J

=25°C

T

J

=-55°C

5

0

0

1

2

3

4

5

-V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

0.14

-I

DS

=250A

-V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

0

3

6

9

12

15

V

/5

=-4.5V

V

/5

=-10V

-25

0

25

50

75

100 125 150

TJ - 结温（ ° C）

导通电阻与栅极至源极电压

0.250

-I

D

- 漏电流（ A）

导通电阻与结温

2.00

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.200

0.175

0.150

0.125

0.100

0.075

0.050

0.025

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

0.225

-I

,

= 4.9A

1.75

1.50

1.25

-V

GS

=10V

-I

D

=4.9A

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

3

1.00

UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

典型特征

10

-V

D

=10V

-I

D

=4.9A

栅极电荷

2800

2400

电容

Frequency=1MHz

-V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

8

6

电容（pF）

2000

1600

1200

800

400

西塞

4

2

科斯

CRSS

0

0

5

10

15

20

25

0

0

5

10

15

20

25

30

Q

G

- 栅极电荷（ NC）

源极 - 漏极二极管正向电压

30

10

-V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

单脉冲功率

50

-I

S

- 源电流（ Α ）

40

功率（W）的

30

1

T

J

=150°C

T

J

=25°C

20

10

0.1

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

0

0.01

0.1

1

10

100

-V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

2

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

D= 0.2

D= 0.1

0.1

D= 0.05

D= 0.02

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

方波脉冲持续时间（秒）

4

单脉冲

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=50°C/W

3.T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

4.表面安装

UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

概述

该UM4953是最高性能的沟

P沟道MOSFET的极端高密度，

它提供了出色的导通电阻和栅极电荷

对于大多数的同步降压转换器的

应用程序。

该UM4953符合RoHS和绿色产品

要求， 100 ％保证EAS全

功能可靠性批准。

特点

先进的高密度Trench技术

超低栅极电荷

优秀与Cdv / dt的影响下降

100 ％保证EAS

绿色设备可用

5

/

5

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!

＆ QUOT ;

＆放大器;

%

$

#

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5

产品综述

BV

DSS

-30V

应用

R

DS （ ON）

80m

ID

-4.9A

高周波同步负载点的

降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA

网络式DC -DC电源系统

负荷开关

双SOP8引脚配置

5

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

漏源电压

栅源电压

最大漏极电流 - 连续

最大漏极电流 - 脉冲

最大功率耗散

最高结温

存储温度范围

T

A

= 25°C

参数

SO

8

等级

-30

±25

-4.9

-30

T

A

= 25°C

T

A

= 100°C

2.5

1.0

150

-55到150

单位

V

A

W

°C

热数据

R

θJA

*

热阻 - 结到环境

50

° C / W

1

UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

电气特性（T

J

=25

℃,

除非另有说明）

UM4953

分钟。

-30

-1

-1

-1.5

53

80

-0.7

22.3

4.65

2

V

DD

= -15V ，我

D

=-2A ,

V

根

= -10V ，R

G

=6

R

L

=7.5

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

10

15

22

15

1260

340

220

18

20

38

25

pF

ns

-2

±100

60

95

-1.3

29

nC

典型值。

=

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

动态

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

=

参数

测试条件

马克斯。

单位

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

＆ GT ;

＆ GT ;

V

GS

= 0V时，我

DS

=-250A

V

DS

=-24V , V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=-250A

V

GS

=±25V , V

DS

=0V

V

GS

= -10V ，我

DS

=-4.9A

V

GS

= -4.5V ，我

DS

=-3.6A

I

SD

= -1.7A ，V

GS

=0V

V

DS

= -15V ，我

GS

=-10V

l

D

=-4.6A

V

A

V

nA

m

V

二极管的正向电压

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容频率= 1.0MHz的

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

2

UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

典型特征

30

25

30

-V

/5

= 5,6,7,8,9,10V

25

-I

D

- 漏电流（A ）

20

15

-I

D-

漏电流（ A）

-V

/5

=4V

20

15

T

J

=125°C

10

5

0

-V

/5

=3V

-V

/5

=2V

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1

2

3

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5

6

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T

J

=25°C

T

J

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5

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0

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2

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5

-V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.50

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

0.14

-I

DS

=250A

-V

GS （ TH） -

阈值电压（ V）

（归一化）

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

1.25

1.00

0.75

0.50

0.25

0.00

-50

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0.00

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V

/5

=-4.5V

V

/5

=-10V

-25

0

25

50

75

100 125 150

TJ - 结温（ ° C）

导通电阻与栅极至源极电压

0.250

-I

D

- 漏电流（ A）

导通电阻与结温

2.00

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.200

0.175

0.150

0.125

0.100

0.075

0.050

0.025

1

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6

7

8

9

10

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

（归一化）

0.225

-I

,

= 4.9A

1.75

1.50

1.25

-V

GS

=10V

-I

D

=4.9A

0.75

0.50

0.25

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50

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100 125 150

-V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

3

1.00

UM4953

双P沟道30V的快速开关MOSFET

典型特征

10

-V

D

=10V

-I

D

=4.9A

栅极电荷

2800

2400

电容

Frequency=1MHz

-V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

8

6

电容（pF）

2000

1600

1200

800

400

西塞

4

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科斯

CRSS

0

0

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15

20

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0

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Q

G

- 栅极电荷（ NC）

源极 - 漏极二极管正向电压

30

10

-V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

单脉冲功率

50

-I

S

- 源电流（ Α ）

40

功率（W）的

30

1

T

J

=150°C

T

J

=25°C

20

10

0.1

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

0

0.01

0.1

1

10

100

-V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

2

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

D= 0.2

D= 0.1

0.1

D= 0.05

D= 0.02

0.01

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

方波脉冲持续时间（秒）

4

单脉冲

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

=50°C/W

3.T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

4.表面安装

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