UM4300 / UM7300
开关/衰减器PIN二极管
描述
该UM4300和UM7300系列结合了极厚的内在二极管芯片
区域具有低热阻建设。这导致二极管唯一
适用于非常低的失真的线性衰减器和专用功能。该
UM4300系列,具有大截的芯片面积提供最高的功率
这两个系列的能力, 。该UM7300系列提供更低的电容。两
二极管系列设计用于运行在高频线性衰减器的使用
超过1 GHz 。低失真是低于5MHz的传输时间频率的结果。
经营作为射频开关,无论是二极管系列可在低直流反向操作
偏置电压,来推迟更高的RF电平。
主要特点
极低的失真性能
有用的频率范围扩展下方
500千赫
功耗为20 W( UM4300 )
电容低至0.7 pF的
(UM7300)
额定电压为1000V
非腔设计
热匹配
孤立的螺栓封装
WWW
.
Microsemi的
.
C 0 M
绝对最大额定值在25°
(除非另有规定编)
UM4300
PKG
A
B&E
C
D
SM
所有
UM7300
条件
25 ° C引脚温度
½ in. total length to 25 °C
联系方式自由空气
25 ℃的温度梭哈
25 ℃的温度梭哈
25℃端盖温度
1美国脉冲(单人)
P
D
(W)
θ
( ° C / W)
P
D
(W)
θ
( ° C / W)
20
10
2.5
20
15
15
7.5
15
7.5
10
20
500千瓦
7.5
4
7.5
6
5.5
20
37.5
20
25
18
100千瓦
应用/优势
RF开关
RF衰减器
取放兼容
表面贴装版本
符合RoHS标准封装可供选择:
使用UMX4301SM等
1
电压额定值
反向电压@为10uA
100
200
600
1000
产品型号
UM4301
UM4302
UM4306
UM4310
UM7301
UM7302
UM7306
UM7310
UM4300 / UM7300
UM4300 / UM7300
重要提示:
对于最新的数据咨询
Microsemi的
网址:
www.Microsemi.com
1 - UM4300的符合RoHS标准版本和
UM7300是可用的。指定UMX4300或UMX7300
符合RoHS版本。有关详细信息,请咨询厂家。
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微波产品
75技术驱动,洛厄尔,MA 01851电话: ( 978 ) 442-5600
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UM4300 / UM7300
开关/衰减器PIN二极管
电气特性( 25°C ,除非另有规定)
参数
反向电流(最大值)
串联电阻(最大值)
串联电阻(最小值)
电容(最大)
并联电阻(最小值)
载流子寿命(分)
I-区宽度(最小值)
符号
I
R
R
S
R
S
C
T
R
P
条件
在额定电压
如果= 100 mA时, F = 100 MHz的
如果= 10微安, F = 100 MHz的
V
R
= 100 V,F = 1 MH
Z
V
R
= 100 V, F = 100 MHz的
I
F
= 10毫安
--
UM4300
10
1.5
1000
2.2
200k
6.0
250
UM7300
10
3.0
3000
0.7
150k
4.0
250
单位
u
A
欧
欧
pF
欧
us
um
WWW
.
Microsemi的
.
C 0 M
τ
W
典型的RS VS IF
100
典型IF VS VF
典型
10-1
10-2
如果( A)
UM4300
10-3
UM7300
10-4
10-5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VF ( V)
RP VS VR ( UM4300 )
102
RP VS VR ( UM4300 )
100兆赫
500兆赫
1 GHz的
RP (千欧)
3 GHz的
101
图的
图的
100
100
101
102
103
VR ( V)
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UM4300 / UM7300
开关/衰减器PIN二极管
热IMP 。与脉冲宽度
脉冲热阻抗( C / W )
102
归一化的RS VS TEMP 。
1.3
o
101
归一化二极管电阻
1.2
100
UM4300
1.1
UM7300
-1
10
1.0
0.9
WWW
.
Microsemi的
.
C 0 M
10-2
0.8
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
0.7
-60
-40
-20
0
20
40
o
60
80
100
120
脉冲宽度(秒)
温度(℃)
电源DISS 。 VS的铅温度。 ( UM4300 )
电源DISS 。 VS的铅温度。 ( UM7300 )
额定功率(螺柱PKG )
20
18 W
最大功耗( W)
15
15 W
UM4300C
UM4300D
10
7.5 W
6W
5
UM7300D
UM7300C
图的
图的
0
0
25
50
75
100
125
150
175
螺柱温度(
o
C)
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UM4300 / UM7300
开关/衰减器PIN二极管
封装形式
风格“A”
风格'B'
WWW
.
Microsemi的
.
C 0 M
风格'C'
风格'CR'
风格'D'
式“ DR ”
风格'E'
风格' SM '
机械
机械
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UM4300 / UM7300
开关/衰减器PIN二极管
UM7300风格' SM '足迹
UM4300风格' SM '足迹
WWW
.
Microsemi的
.
C 0 M
UM7300 SM风格,大小足迹
UM4300型SM ,B尺寸足迹
1.这些方面将匹配的终端,并提供额外的焊锡圆角的外端
至少一样宽的终端本身,假定放置的精确度范围内0.005 “
2.如果所选择的安装方法需要使用粘合剂分开的焊料化合物,一
圆
(或方形),如应位于市中心的水泥点。
机械
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UM4302
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
概述
该UM4302是最高性能的沟
N沟道和P沟道MOSFET的极端高细胞
密度,从而提供优异的导通电阻和栅
充的大部分同步降压转换器的
应用程序。
该UM4302符合RoHS和绿色产品
要求100 %保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 %保证EAS
绿色设备可用
D1
产品综述
BVDSS
40V
-40V
应用
RDSON
15m
32m
ID
11.6A
-8.6A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
CCFL背照式逆变器
SOP8引脚配置
D1 D2
D2
绝对最大额定值
S1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
1
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
雪崩电流
总功耗
4
存储温度范围
工作结温范围
2
1
S2
G1
G2
等级
N沟道
40
±20
11.6
9
23
69
25
3.5
-55到150
-55到150
P沟道
-40
±20
-8.6
-6.7
-17
76
-28.6
3.5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
A
W
℃
℃
单脉冲雪崩能量
3
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
1
热阻结案件
1
典型值。
---
---
马克斯。
85
36
单位
℃/W
℃/W
1
UM4302
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
N沟道电气特性(T
J
=25
℃,
除非另有说明)
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
V
GS
= 10V ,我
D
=8A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=32V , V
GS
= 0V ,T
J
=25℃
V
DS
=32V , V
GS
= 0V ,T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ,我
D
=8A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
DS
=20V , V
GS
= 4.5V ,我
D
=8A
分钟。
40
---
---
---
1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=12V , V
GS
= 10V ,R
G
=3.3Ω
I
D
=6A
---
---
---
---
V
DS
=15V , V
GS
= 0V , F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
0.034
12
16
1.5
-5.64
---
---
---
20
2.1
10.7
3.3
4.2
8.6
3.4
24.8
2.2
1314
120
88
马克斯。
---
---
15
20
2.5
---
1
5
±100
---
4.2
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
△V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷( 4.5V )
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ,L = 0.1mH ,我
AS
=20A
分钟。
45
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
2
条件
V
G
=V
D
= 0V ,强制电流
V
GS
= 0V时,我
S
= 1A ,T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
典型值。
---
---
---
马克斯。
11.6
23
1.2
单位
A
A
V
二极管的正向电压
注意:
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲,脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ,占空比
≦
2%
3, EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=25A
4,功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100%的EAS检测保证。
6,数据在理论上是相同的,因为我
D
我
DM
在实际应用中,应该由总功耗的限制。
2
UM4302
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
P沟道电气特性(T
J
=25
℃,
除非另有说明)
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
参考25 ℃ ,我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ,我
D
=-6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-3A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-32V , V
GS
= 0V ,T
J
=25℃
V
DS
=-32V , V
GS
= 0V ,T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= -5V ,我
D
=-8A
V
DS
=-15V , V
GS
= -4.5V ,我
D
=-1A
分钟。
-40
---
---
---
-1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=-15V , V
GS
= -10V ,R
G
=3.3Ω,
I
D
=-1A
---
---
---
---
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V , F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
-0.02
26
38
-1.6
3.72
---
---
---
13
11.5
3.5
3.3
22
15.7
59
5.5
1415
134
102
马克斯。
---
---
32
46
-2.5
---
1
5
±100
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
ΔBV
DSS
/△T
J
BV
DSS
温度COEF网络cient
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
△V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
总栅极电荷( -4.5V )
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= -25V , L = 0.1mH ,我
AS
=-20A
分钟。
37
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流
脉冲源电流
2,6
1,6
条件
V
G
=V
D
= 0V ,强制电流
V
GS
= 0V时,我
S
= -1A ,T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
典型值。
---
---
---
马克斯。
-8.6
-17
-1.2
单位
A
A
V
二极管的正向电压
2
注意:
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲,脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ,占空比
≦
2%
3, EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=-25V,V
GS
=-10V,L=0.1mH,I
AS
=-28.6A
4,功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100%的EAS检测保证。
6,数据在理论上是相同的,因为我
D
我
DM
在实际应用中,应该由总功耗的限制。
3