UM3303
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
概述
该UM3303是最高性能的沟
N沟道和P沟道MOSFET的极端高细胞
密度，从而提供优异的导通电阻和栅
充的大部分同步降压转换器的
应用程序。
该UM3303符合RoHS和绿色产品
要求100 ％保证EAS全
功能可靠性批准。
特点
先进的高密度Trench技术
超低栅极电荷
优秀与Cdv / dt的影响下降
100 ％保证EAS
绿色设备可用
D1
产品综述
BVDSS
30V
-30V
应用
RDSON
25m
62m
ID
7.5A
-5A
高周波同步负载点的
降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA
网络式DC -DC电源系统
CCFL背照式逆变器
双SOP8引脚配置
D1 D2
D2
绝对最大额定值
S1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
EAS
I
AS
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
1
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
雪崩电流
总功耗
4
存储温度范围
工作结温范围
2
1
S2
G1
G2
等级
N沟道
30
±20
7.5
5.8
15
26.6
12.7
2.08
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-5
-3.8
-10
37
15
2.08
2.08
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
A
W
℃
℃
单脉冲雪崩能量
3
热数据
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻结到环境
1
热阻结案件
1
典型值。
---
---
马克斯。
85
60
单位
℃/W
℃/W
1
UM3303
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
N沟道电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
=V
DS
, I
D
=250uA
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=20V , V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
分钟。
30
---
---
---
1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=12V , V
GS
= 10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=7A
---
---
---
---
V
DS
=15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
0.023
20
30
1.5
-4.2
---
---
---
12.8
2.3
5
1.11
2.61
7.7
46
11
3.6
416
62
51
马克斯。
---
---
25
38
2.5
---
1
5
±100
---
4.6
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ 4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ，L = 0.1mH ，我
AS
=6A
分钟。
6
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
2
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A ，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
典型值。
---
---
---
马克斯。
7.5
15
1.2
单位
A
A
V
二极管的正向电压
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=25V,V
GS
=10V,L=0.1mH,I
AS
=12.7A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
2
UM3303
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
P沟道电气特性（T
J
=25
℃,
除非另有说明）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-4A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
=V
DS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=25℃
V
DS
=-24V , V
GS
= 0V ，T
J
=55℃
V
GS
=±20V
, V
DS
=0V
V
DS
= -5V ，我
D
=-3A
V
DS
=0V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
=-20V , V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
分钟。
-30
---
---
---
-1.0
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
V
DD
=-15V , V
GS
= -10V ，R
G
=3.3Ω
I
D
=-1A
---
---
---
---
V
DS
=-15V , V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
---
---
典型值。
---
-0.02
50
85
-1.5
4.32
---
---
---
5.5
24
5.22
1.25
2.3
18.4
11.4
39.4
5.2
463
82
68
马克斯。
---
---
62
100
-2.5
---
-1
-5
±100
---
48
---
---
---
---
---
---
---
---
---
---
pF
ns
nC
单位
V
V/℃
mΩ
V
毫伏/ ℃
uA
nA
S
Ω
ΔBV
DSS
/△T
J
BVDSS温度系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
△V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D（上）
T
r
T
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
正向跨导
栅极电阻
总栅极电荷（ -4.5V ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
保证雪崩特性
符号
EAS
参数
单脉冲雪崩能量
5
条件
V
DD
= 25V ，L = 0.1mH ，我
AS
=6A
分钟。
6
典型值。
---
马克斯。
---
单位
mJ
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流
1,6
脉冲源电流
2,6
2
条件
V
G
=V
D
= 0V ，强制电流
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A ，T
J
=25℃
分钟。
---
---
---
典型值。
---
---
---
马克斯。
-5
-10
-1
单位
A
A
V
二极管的正向电压
注意：
2
安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。
脉冲，脉冲宽度2.测试数据
≦
300US ，占空比
≦
2%
3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V
DD
=-25V,V
GS
=-10V,L=0.1mH,I
AS
=-15A
4，功耗为150 ℃的结温限制
5.最小。值为100％的EAS检测保证。
6，数据在理论上是相同的，因为我
D
我
DM
在实际应用中，应该由总功耗的限制。
3
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