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UM0204

双N -CH 100V快速开关MOSFET

概述

该UM0204是最高性能的沟

N沟道MOSFET的极端高密度，

它提供了出色的导通电阻和栅极电荷

对于大多数的同步降压转换器的

应用程序。

该UM0204符合RoHS和绿色产品

要求， 100 ％保证EAS全

功能可靠性批准。

特点

先进的高密度Trench技术

超低栅极电荷

优秀与Cdv / dt的影响下降

100 ％保证EAS

绿色设备可用

产品综述

BVDSS

100V

应用

RDSON

80mΩ

ID

3.3A

高周波同步负载点的

降压转换器为MB / NB / UMPC / VGA

网络式DC -DC电源系统

负荷开关

SOP8引脚配置

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

EAS

I

AS

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

1

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

雪崩电流

总功耗

4

2

1

等级

100

±20

3.3

2.7

17

10

14

2.0

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

mJ

A

W

℃

℃

单脉冲雪崩能量

3

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

R

θJA

R

θJC

参数

热阻结到环境

热阻结案件

1

1

典型值。

---

---

马克斯。

62.5

40

单位

℃/W

℃/W

1

UM0204

双N -CH 100V快速开关MOSFET

电气特性（T

J

=25

℃,

除非另有说明）

符号

BV

DSS

参数

漏源击穿电压

条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

V

GS

= 10V ，我

D

=4A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=3A

V

GS

=V

DS

, I

D

=250uA

V

DS

=48V , V

GS

= 0V ，T

J

=25℃

V

DS

=48V , V

GS

= 0V ，T

J

=55℃

V

GS

=±20V

, V

DS

=0V

V

DS

= 5V ，我

D

=3A

V

DS

=0V , V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

V

DS

=50V , V

GS

= 10V ，我

D

=3A

分钟。

100

---

---

---

1.6

---

---

---

---

---

0.7

13

2.4

2.2

---

V

DD

=50V , V

GS

= 10V ，R

G

=3

Ω

---

---

---

620

V

DS

=15V , V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

38

13

典型值。

---

0.044

63.5

70

2.2

---

---

---

---

20

1.45

16.3

4.1

2.8

6

21

2.4

2.5

778

55

24

马克斯。

---

---

80

91

2.7

---

1

5

±100

---

2.2

20

5.8

3.4

---

---

---

---

974

81

35

pF

ns

nC

单位

V

V/℃

mΩ

V

毫伏/ ℃

uA

nA

S

Ω

ΔBV

DSS

/△T

J

BVDSS温度系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

△V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

R

g

Q

g

Q

gs

Q

gd

T

D（上）

T

r

T

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

2

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

温度COEF网络cient

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

正向跨导

栅极电阻

总栅极电荷（ 10V ）

栅极 - 漏极电荷

栅极 - 源电荷

导通延迟时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

上升时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

保证雪崩特性

符号

EAS

参数

单脉冲雪崩能量

5

条件

V

DD

= 25V ，L = 0.1mH ，我

AS

=15A

分钟。

15.4

典型值。

---

马克斯。

---

单位

mJ

二极管的特性

符号

I

S

参数

连续源电流

1,6

条件

V

G

=V

D

= 0V ，强制电流

分钟。

---

典型值。

---

马克斯。

2.5

单位

A

注意：

2

安装在一个1英寸FR-4板与2OZ铜表面进行测试1.数据。

脉冲，脉冲宽度2.测试数据

≦

300US ，占空比

≦

2%

3， EAS的数据显示最大。投资评级。测试条件为V

DD

=25V,V

GS

=10V,L=0.1mH,I

AS

=21A

4，功耗为150 ℃的结温限制

5.最小。值为100％的EAS检测保证。

6，数据在理论上是相同的，因为我

D

我

DM

在实际应用中，应该由总功耗的限制。

2

UM0204

双N -CH 100V快速开关MOSFET

典型特征

20

60

V

GS

=10V

V

GS

=7V

I

D

=4A

53

I

D

漏电流（ A）

15

V

GS

=5V

V

GS

=4.5V

10

V

GS

=3V

5

0

0

0.5

R

DSON

(m)

45

38

30

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

1

1.5

2

2.5

2

4

V

GS

(V)

6

8

10

图1典型的输出特性

10

图2导通电阻与栅源

8

I

S -

源电流（ A）

6

T

J

=150℃

4

T

J

=25℃

2

0

0

0.3

0.6

0.9

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

反向图3正向特性

1.8

2.2

图4栅极电荷特性

1.4

1

0.6

0.2

-50

归一化导通电阻

1.8

归V

GS （ TH）

1.4

1.0

0.6

0.2

T

J

，结温（ ℃ ）

0

50

100

150

-50

0

50

100

150

T

J

，结温（ ℃ ）

图5归V

GS （ TH）

与T

J

3

图6归

DSON

与T

J

UM0204

双N -CH 100V快速开关MOSFET

10000

F=1.0MHz

电容（pF）

西塞

1000

100

科斯

CRSS

10

1

5

9

13

17

21

25

V

DS

漏极至源极电压（ V）

图7电容

1

图8安全工作区

归热响应（R

θJA

)

DUTY=0.5

0.2

0.1

0.1

0.05

0.01

0.01

P

DM

T

ON

T

单身

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

D =吨

ON

/T

T

jpeak

= T

A

+P

DM

XR

θJA

100

1000

T，脉冲宽度（S ）

图9归最大瞬态热阻抗

图10开关时间波形

图11非钳位感应开关波形

4

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