ULQ2003A Q1 ， ULQ2004A Q1 ，

高压大电流达林顿

晶体管阵列

SGLS148B - 2002年12月 - 修订2006年6月

D

资格按照用

D

D

D

D

D

D

D

D

AEC-Q100

通过汽车应用认证

客户的具体配置控制

可以支持除了用

少将变更核准

ESD保护超过200 V使用

机器模型（ C = 200 pF的， R = 0 ）

500 - mA额定集电极电流

（单输出）

高压输出。 。 。 50 V

输出钳位二极管

输入的兼容的各种型号

逻辑

继电器驱动器应用

1B

2B

3B

4B

5B

6B

7B

E

包

（ TOP VIEW ）

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

1C

2C

3C

4C

5C

6C

7C

COM

联系德州仪器的细节。 Q100认证数据

可根据要求提供。

描述

该ULQ2003A和ULQ2004A是高电压大电流达林顿晶体管阵列。每个由

7 NPN达林顿对，配有高电压输出共阴极钳位二极管的开关

感性负载。一个达林顿对的集电极电流额定值为500毫安。达林顿对可

并联更高的电流能力。应用范围包括继电器驱动器，锤驱动器，灯驱动器，显示器

驱动器（ LED和气体放电） ，线路驱动器和逻辑缓冲器。

该ULQ2003A对每个达林顿对一个2.7 kΩ串联电阻的基础，操作直接与TTL或5 -V

CMOS器件。该ULQ2004A有一个10.5 kΩ串联电阻的基础，直接操作允许从CMOS

使用的6 V至15 V的电源电压的ULQ2004A的所需输入电流低于该器件的

该ULQ2003A 。

可选项

d个软件包

{

TA

小尺寸

ULQ2003ATDQ1

ULQ2003ATDRQ1

-40C至105C

ULQ2004ATDQ1

}

ULQ2004ATDRQ1

ULQ2003AQDRQ1

-40_C到125_C

D封装中提供卷带封装。添加后缀R键

设备类型（例如， ULQ2003TDADRQ1 ） 。

ULQ2004ATDQ1仅仅是产品预览。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2006年，德州仪器

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1

SGLS148B - 2002年12月 - 修订2006年6月

ULQ2003A Q1 ， ULQ2004A Q1 ，

高压大电流达林顿

晶体管阵列

逻辑图

9

1B

1

16

COM

1C

2B

2

15

2C

3B

3

14

3C

4B

4

13

4C

5B

5

12

5C

6B

6

11

6C

7B

7

10

7C

原理图（每对达林顿）

COM

RB

产量

C

输入

B

ULQ2003A ： RB = 2.7千欧

ULQ2004A ： RB = 10.5 kΩ的

7.2 k

3 k

E

ULQ2003A ， ULQ2004A

所有显示的电阻值是有名无实。

25绝对最大额定值

°

自由空气的温度（除非另有说明）

集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V

钳位二极管的反向电压（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V

输入电压V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V

集电极电流峰值（参见图14） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安

输出钳位电流，I

OK

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安

共发射端的电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.5

连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注2 ）

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W

工作的自由空气的温度范围内，T

A

， 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有电压值都是相对于该发射极/基极端子E ，除非另有说明。

2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

2

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ULQ2003A Q1 ， ULQ2004A Q1 ，

高压大电流达林顿

晶体管阵列

SGLS148B - 2002年12月 - 修订2006年6月

额定功耗表

包

D

TA = 25°C

25 C

额定功率

950毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

7.6毫瓦/°C的

TA = 85°C

85 C

额定功率

494毫瓦

TA = 105℃

105 C

额定功率

342毫瓦

TA = 125°C

125 C

额定功率

190毫瓦

电气特性在推荐工作条件（除非另有说明）

ULQ2003AT

参数

测试条件

IC = 125毫安

IC = 200毫安

第六章（上）

通态输入电压，

参见图6

VCE = 2 V

IC = 250毫安

IC = 275毫安

IC = 300毫安

IC = 350毫安

集电极 - 发射极

VCE （ sat）的饱和电压，见

图5

II = 250

A,

II = 350

A,

IC = 100毫安

IC = 200毫安

0.9

1

1.2

民

典型值

最大

2.7

2.9

3

1.2

1.4

1.7

100

1

1

1.2

ULQ2003AQ

民

典型值

最大

2.7

2.9

7

3

8

1.3

1.5

1.8

110

0.9

1

1.2

1.1

1.3

1.6

50

100

500

1.7

IC = 500

A

A

30

65

0.93

1.35

2.2

30

1.7

65

0.93

1.35

0.35

1

TA = 25°C

F = 1 MHz的

15

100

100

25

15

100

100

25

15

0.5

1.45

50

100

25

A

A

pF

mA

2.2

50

1.7

65

2.1

V

A

A

A

A

V

V

ULQ2004A

民

典型值

最大

5

6

单位

IC = 350毫安

II = 500

A,

VCE = 50V，第二= 0，

见图1

VCE = 50 V ，

见图2

IF = 350毫安

VCE = 50 V ，

VI = 3.85 V

VI = 5 V

VI = 12 V

VR = 50 V ，

VR = 50 V

VI = 0 ，

II = 0

VI = 1 V

ICEX

收藏家Cuto FF电流

VF

第二（关闭）

钳位正向电压，

参见图8

关断状态下的输入电流，

见图3

输入电流，看

图4

钳反向电流，

参见图7

输入电容

II

IR

Ci

开关特性在推荐工作条件（除非另有说明）

ULQ2003A ， ULQ2004A

参数

TPLH

的TPH1

VOH

传播延迟时间，从低到高的电平输出

传播延迟时间，从高至低电平输出

切换后的高电平输出电压

测试条件

参见图9

参见图9

VS = 50 V ，

见图10

IO

≈

300毫安，

VS - 500

民

典型值

1

1

最大

10

10

单位

s

s

mV

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3

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ULQ2003A Q1 ， ULQ2004A Q1 ，

高压大电流达林顿

晶体管阵列

参数测量信息

开放

VCE

ICEX

开放

VI

开放

VCE

ICEX

图1.我

CEX

测试电路

开放

第二（关闭）

VCE

图2.我

CEX

测试电路

开放

IC

二（上）

VI

开放

图3.我

我（关闭）

测试电路

开放

IC

的hFE =

II

图4.我

I

测试电路

开放

II

VCE

IC

第六章（上）

VCE

IC

注：二是固定的，用于测量VCE （SAT） ，变量

测量的hFE 。

图5.

FE

, V

CE （ SAT ）

测试电路

VR

IR

图6. V

我（上）

测试电路

开放

开放

VF

IF

图7.我

R

测试电路

图8. V

F

测试电路

4

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ULQ2003A Q1 ， ULQ2004A Q1 ，

高压大电流达林顿

晶体管阵列

SGLS148B - 2002年12月 - 修订2006年6月

参数测量信息

输入

50%

50%

的TPH1

50%

TPLH

50%

产量

电压波形

图9.传播延迟时间波形

VS

开放

1N3064

2毫亨

200

脉冲

发电机

（见注一）

产量

ULQ2003A

ULQ2004A

CL = 15 pF的

（见注B）

测试电路

≤5

ns

输入

10%

90%

1.5 V

40

s

90%

1.5 V

10%

≤10

ns

VIH

（见注C）

0V

VOH

产量

VOL

电压波形

注：A脉冲发生器具有以下特点： PRR = 12.5千赫，Z0 = 50

.

B. CL包括探针和夹具电容。

C.为了测试ULQ2003A ， VIH = 3V ;为ULQ2004A ， VIH = 8 V.

图10.闩锁测试电路和电压波形

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