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ULN2004AI
高压大电流达林顿
晶体管阵列
SLRS055 - 2004年4月
D
500毫安,额定集电极电流
D
D
D
D
(单输出)
高压输出。 。 。 50 V
输出钳位二极管
输入的兼容的各种型号
逻辑
继电器驱动器应用
D,N ,或NS包
( TOP VIEW )
描述/订购信息
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
E
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
COM
该ULN2004AI是一种高电压,大电流
达林顿晶体管阵列。该装置由
七NPN达林顿对这个功能
高电压输出共阴极钳位二极管,用于切换感性负载。集电极电流
一个达林顿对评级为500mA 。达林顿对可以并联以更高的电流能力。
应用范围包括继电器驱动器,锤驱动器,灯驱动器,显示驱动器(LED和气体放电) ,行
驱动器和逻辑缓冲器。
该ULN2004AI对每个达林顿对操作直接与TTL或10.5 kΩ串联电阻基地
5 V CMOS器件。
订购信息
TA
PDIP ( N)
-40C至105C
SOIC ( D)
SOP ( NS )
包装
25管
40管
2500卷
2000年卷
订购
产品型号
ULN2004AIN
ULN2004AID
ULN2004AIDR
ULN2004AINSR
TOP- SIDE
记号
ULN2004AIN
ULN2004AI
ULN2004AI
包装图纸,标准包装数量,热数据,符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年,德州仪器
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1
SLRS055 - 2004年4月
ULN2004AI
高压大电流达林顿
晶体管阵列
逻辑图
9
1B
1
16
COM
1C
2B
2
15
2C
3B
3
14
3C
4B
4
13
4C
5B
5
12
5C
6B
6
11
6C
7B
7
10
7C
原理图(每对达林顿)
COM
10.5 k
产量
C
输入
B
7.2 k
3 k
E
所有显示的电阻值是有名无实。
2
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ULN2004AI
高压大电流达林顿
晶体管阵列
SLRS055 - 2004年4月
25绝对最大额定值
°
自由空气的温度(除非另有说明)
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
钳位二极管的反向电压(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50 V
输入电压V
I
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30 V
集电极电流峰值(见注2和4)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
输出钳位电流,I
OK
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
共发射端的电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.5
工作的自由空气的温度范围内,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至105℃
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2和3) :D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64 ° C / W
经营虚拟结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有电压值都是相对于该发射极/基极端子E ,除非另有说明。
2.最大功耗是TJ (最大)的函数,
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = ( TJ(MAX) - TA ) / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ会影响可靠性。
3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电特性,T
A
= 25°C
参数
TEST
科幻gure
测试条件
IC = 125毫安
IC = 200毫安
IC = 275毫安
IC = 350毫安
IC = 100毫安
IC = 200毫安
IC = 350毫安
II = 0
0.9
1
1.2
1.7
0.35
1
F = 1 MHz的
15
典型值
最大
5
6
7
8
1.1
1.3
1.6
50
2
0.5
1.45
50
25
mA
A
pF
A
V
V
V
单位
第六章(上)
通态输入电压
6
VCE = 2 V
VCE ( SAT )
ICEX
VF
II
IR
Ci
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
输入电流
钳反向电流
输入电容
5
1
8
4
7
II = 250
A,
II = 350
A,
II = 500
A,
VCE = 50 V ,
IF = 350毫安
VI = 5 V
VI = 12 V
VR = 50 V
VI = 0 ,
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3
SLRS055 - 2004年4月
ULN2004AI
高压大电流达林顿
晶体管阵列
电特性,T
A
= -40 ° C至105℃
参数
TEST
科幻gure
测试条件
IC = 125毫安
IC = 200毫安
IC = 275毫安
IC = 350毫安
IC = 100毫安
IC = 200毫安
IC = 350毫安
II = 0
II = 0
VI = 1 V
1.7
IC = 500
A
50
65
0.35
1
F = 1 MHz的
15
0.5
1.45
100
25
mA
A
pF
0.9
1
1.2
典型值
最大
5
6
7
8
1.1
1.3
1.6
50
100
500
2
V
A
A
V
V
单位
第六章(上)
通态输入电压
6
VCE = 2 V
VCE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
5
1
II = 250
A,
II = 350
A,
II = 500
A,
VCE = 50 V ,
VCE = 50 V
IF = 350毫安
VCE = 50 V ,
VI = 5 V
VI = 12 V
VR = 50 V
VI = 0 ,
ICEX
VF
第二(关闭)
II
IR
Ci
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
2
8
3
4
7
开关特性,T
A
= 25°C
参数
TPLH
的TPH1
VOH
传播延迟时间,由低到高层次的输出
传播延迟时间,高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
VS = 50 V ,
参见图9
IO
300毫安,
VS - 20
典型值
0.25
0.25
最大
1
1
单位
s
s
mV
开关特性,T
A
= -40 ° C至105℃
参数
TPLH
的TPH1
VOH
传播延迟时间,由低到高层次的输出
传播延迟时间,高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
VS = 50 V ,
参见图9
IO
300毫安,
VS - 500
典型值
1
1
最大
10
10
单位
s
s
mV
4
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ULN2004AI
高压大电流达林顿
晶体管阵列
SLRS055 - 2004年4月
参数测量信息
开放
VCE
ICEX
开放
VI
开放
VCE
ICEX
图1.我
CEX
测试电路
开放
第二(关闭)
VCE
图2.我
CEX
测试电路
开放
IC
二(上)
VI
开放
图3.我
我(关闭)
测试电路
开放
IC
的hFE =
II
图4.我
I
测试电路
开放
II
VCE
IC
第六章(上)
VCE
IC
注:二是固定的,用于测量VCE (SAT) ,变量
测量的hFE 。
图5.
FE
, V
CE ( SAT )
测试电路
VR
IR
图6. V
我(上)
测试电路
开放
开放
VF
IF
图7.我
R
测试电路
图8. V
F
测试电路
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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20918
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全新原装正品/质量有保证
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地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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12540
SMD
全新原装正品/质量有保证
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