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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第138页 > ULN2003AIPWE4
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ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
特点
500毫安，额定集电极电流（单
输出）
高压输出。 。 。 50 V
输出钳位二极管
输入的兼容的各种型号
逻辑
继电器驱动器应用
D，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该ULN2003AI是一种高电压，大电流
达林顿晶体管阵列。此装置由
7 NPN达林顿对，配有高电压
以共阴极钳位二极管，用于输出
切换感性负载。集电极电流额定值
一个达林顿对的为500毫安。达林顿
对可以并联以更高的电流能力。
应用范围包括继电器驱动器，锤驱动器，
灯驱动器，显示驱动器（LED和天然气
放电） ，线路驱动器和逻辑缓冲器。
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
E
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
COM
该ULN2003AI对每个达林顿对操作直接与TTL或5 -V 2.7 kΩ串联电阻基地
CMOS器件。
订购信息
T
A
PDIP （ N）
-40C至105C
SOIC （ D）
TSSOP （ PW ）
包
425管
40管
2500卷
2000年卷
订购型号
ULN2003AIN
ULN2003AID
ULN2003AIDR
ULN2003AIPWR
顶部端标记
ULN2003AIN
ULN2003AI
UN2003AI
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
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逻辑图
9
1B
1
16
COM
1C
2B
2
15
2C
3B
3
14
3C
4B
4
13
4C
5B
5
12
5C
6B
6
11
6C
7B
7
10
7C
原理图（每对达林顿）
COM
2.7 k
产量
C
输入
B
7.2 k
3 k
E
所有显示的电阻值是有名无实。
2
www.ti.com
ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
绝对最大额定值
(1)
在25℃下自由空气的温度（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
I
OK
T
A
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
集电极 - 发射极电压
钳位二极管的反向电压
(2)
输入电压
(2)
峰值集电极
当前
(3) (4)
输出钳位电流
共发射端电流
工作自由空气的温度范围内
包
封装的热阻抗
(3) (4)
工作结温
存储温度范围
–65
N包装
PW包
–40
最大
50
50
30
500
500
–2.5
105
73
67
108
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
A
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该发射极/基极端子E ，除非另有说明。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电气特性
T
A
= 25°C
参数
V
我（上）
通态输入电压
测试图
5
测试条件
I
C
= 200毫安
V
CE
= 2 V
I
I
= 250
A,
V
CE （ SAT ）
I
CEX
V
F
I
我（关闭）
I
I
I
R
C
i
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
4
1
7
2
3
6
I
I
= 350
A,
I
I
= 500
A,
V
CE
= 50 V,
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
I
= 3.85 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
F = 1 MHz的
15
I
C
= 500
A
50
I
C
= 250毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
1.7
65
0.93
1.35
50
25
0.9
1
1.2
民
典型值
最大
2.4
2.7
3
1.1
1.3
1.6
50
2
A
V
A
mA
A
pF
V
V
单位
3
ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
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电气特性
T
A
= -40 ° C至105℃
参数
V
我（上）
通态输入电压
测试图
5
测试条件
I
C
= 200毫安
V
CE
= 2 V
I
I
= 250
A,
V
CE （ SAT ）
I
CEX
V
F
I
我（关闭）
I
I
I
R
C
i
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
4
1
7
2
3
6
I
I
= 350
A,
I
I
= 500
A,
V
CE
= 50 V,
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
I
= 3.85 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
F = 1 MHz的
15
I
C
= 500
A
30
I
C
= 250毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
1.7
65
0.93
1.35
100
25
0.9
1
1.2
民
典型值
最大
2.7
2.9
3
1.2
1.4
1.7
100
2.2
A
V
A
mA
A
pF
V
V
单位
开关特性
T
A
= 25°C
参数
t
PLH
t
PHL
V
OH
传播延迟时间，由低到高层次的输出
传播延迟时间，高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
V
S
= 50 V,
I
O
≈
300毫安，参见图9
V
S
– 20
民
典型值
0.25
0.25
最大
1
1
单位
s
s
mV
开关特性
T
A
= -40 ° C至105℃
参数
t
PLH
t
PHL
V
OH
传播延迟时间，由低到高层次的输出
传播延迟时间，高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
V
S
= 50 V,
I
O
≈
300毫安，参见图9
V
S
– 50
民
典型值
1
1
最大
10
10
单位
s
s
mV
4
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ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
参数测量信息
开放
开放
V
CE
I
CEX
开放
I
我（关闭）
V
CE
I
C
图1.我
CEX
测试电路
图2.我
我（关闭）
测试电路
开放
h
FE
=
I
C
I
I
开放
I
我（上）
V
I
开放
I
I
V
CE
I
C
注：我
I
固定测量V
CE （ SAT ）
，变量
测量H
FE
.
图3.我
I
测试电路
图4.
FE
, V
CE （ SAT ）
测试电路
开放
V
R
I
R
V
我（上）
V
CE
I
C
开放
图5. V
我（上）
测试电路
图6.我
R
测试电路
V
F
开放
I
F
图7. V
F
测试电路
5
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ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
特点
500毫安，额定集电极电流（单
输出）
高压输出。 。 。 50 V
输出钳位二极管
输入的兼容的各种型号
逻辑
继电器驱动器应用
D，N ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
描述/订购信息
该ULN2003AI是一种高电压，大电流
达林顿晶体管阵列。此装置由
7 NPN达林顿对，配有高电压
以共阴极钳位二极管，用于输出
切换感性负载。集电极电流额定值
一个达林顿对的为500毫安。达林顿
对可以并联以更高的电流能力。
应用范围包括继电器驱动器，锤驱动器，
灯驱动器，显示驱动器（LED和天然气
放电） ，线路驱动器和逻辑缓冲器。
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
E
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
COM
该ULN2003AI对每个达林顿对操作直接与TTL或5 -V 2.7 kΩ串联电阻基地
CMOS器件。
订购信息
T
A
PDIP （ N）
-40C至105C
SOIC （ D）
TSSOP （ PW ）
包
425管
40管
2500卷
2000年卷
订购型号
ULN2003AIN
ULN2003AID
ULN2003AIDR
ULN2003AIPWR
顶部端标记
ULN2003AIN
ULN2003AI
UN2003AI
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2005 ，德州仪器
ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
www.ti.com
逻辑图
9
1B
1
16
COM
1C
2B
2
15
2C
3B
3
14
3C
4B
4
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4C
5B
5
12
5C
6B
6
11
6C
7B
7
10
7C
原理图（每对达林顿）
COM
2.7 k
产量
C
输入
B
7.2 k
3 k
E
所有显示的电阻值是有名无实。
2
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ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
绝对最大额定值
(1)
在25℃下自由空气的温度（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
I
OK
T
A
θ
JA
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
集电极 - 发射极电压
钳位二极管的反向电压
(2)
输入电压
(2)
峰值集电极
当前
(3) (4)
输出钳位电流
共发射端电流
工作自由空气的温度范围内
包
封装的热阻抗
(3) (4)
工作结温
存储温度范围
–65
N包装
PW包
–40
最大
50
50
30
500
500
–2.5
105
73
67
108
150
150
°C
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
A
°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该发射极/基极端子E ，除非另有说明。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
θ
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/θ
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
电气特性
T
A
= 25°C
参数
V
我（上）
通态输入电压
测试图
5
测试条件
I
C
= 200毫安
V
CE
= 2 V
I
I
= 250
A,
V
CE （ SAT ）
I
CEX
V
F
I
我（关闭）
I
I
I
R
C
i
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
4
1
7
2
3
6
I
I
= 350
A,
I
I
= 500
A,
V
CE
= 50 V,
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
I
= 3.85 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
F = 1 MHz的
15
I
C
= 500
A
50
I
C
= 250毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
1.7
65
0.93
1.35
50
25
0.9
1
1.2
民
典型值
最大
2.4
2.7
3
1.1
1.3
1.6
50
2
A
V
A
mA
A
pF
V
V
单位
3
ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
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电气特性
T
A
= -40 ° C至105℃
参数
V
我（上）
通态输入电压
测试图
5
测试条件
I
C
= 200毫安
V
CE
= 2 V
I
I
= 250
A,
V
CE （ SAT ）
I
CEX
V
F
I
我（关闭）
I
I
I
R
C
i
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
4
1
7
2
3
6
I
I
= 350
A,
I
I
= 500
A,
V
CE
= 50 V,
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
I
= 3.85 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
F = 1 MHz的
15
I
C
= 500
A
30
I
C
= 250毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
1.7
65
0.93
1.35
100
25
0.9
1
1.2
民
典型值
最大
2.7
2.9
3
1.2
1.4
1.7
100
2.2
A
V
A
mA
A
pF
V
V
单位
开关特性
T
A
= 25°C
参数
t
PLH
t
PHL
V
OH
传播延迟时间，由低到高层次的输出
传播延迟时间，高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
V
S
= 50 V,
I
O
≈
300毫安，参见图9
V
S
– 20
民
典型值
0.25
0.25
最大
1
1
单位
s
s
mV
开关特性
T
A
= -40 ° C至105℃
参数
t
PLH
t
PHL
V
OH
传播延迟时间，由低到高层次的输出
传播延迟时间，高到低级别的输出
切换后的高电平输出电压
测试条件
参见图8
参见图8
V
S
= 50 V,
I
O
≈
300毫安，参见图9
V
S
– 50
民
典型值
1
1
最大
10
10
单位
s
s
mV
4
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ULN2003AI
高电压，大电流
达林顿晶体管阵列
SLRS054B - 2003年7月 - 修订2005年2月
参数测量信息
开放
开放
V
CE
I
CEX
开放
I
我（关闭）
V
CE
I
C
图1.我
CEX
测试电路
图2.我
我（关闭）
测试电路
开放
h
FE
=
I
C
I
I
开放
I
我（上）
V
I
开放
I
I
V
CE
I
C
注：我
I
固定测量V
CE （ SAT ）
，变量
测量H
FE
.
图3.我
I
测试电路
图4.
FE
, V
CE （ SAT ）
测试电路
开放
V
R
I
R
V
我（上）
V
CE
I
C
开放
图5. V
我（上）
测试电路
图6.我
R
测试电路
V
F
开放
I
F
图7. V
F
测试电路
5
ULN2002A ， ULN2003A ， ULN2003AI ， ULN2004A
ULQ2003A ， ULQ2004A
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SLRS027J - 1976年12月 - 修订2010年6月
高电压，大电流达林顿晶体管阵列
检查样品：
ULN2002A ， ULN2003A ， ULN2003AI ， ULN2004A ， ULQ2003A ， ULQ2004A
1
特点
500毫安，额定集电极电流（单
输出）
高压输出： 50 V
输出钳位二极管
输入的兼容的各种型号
逻辑
继电器驱动器应用
ULN2002A 。 。 。 N包装
ULN2003A 。 。 。 D，N ， NS ，或PW包装
ULN2004A 。 。 。 D，N ，或NS包装
ULQ2003A ， ULQ2004A 。 。 。 或N包装
（ TOP VIEW ）
1B
2B
3B
4B
5B
6B
7B
E
1
2
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4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1C
2C
3C
4C
5C
6C
7C
COM
描述
该ULN2002A ， ULN2003A ， ULN2003AI ， ULN2004A ， ULQ2003A和ULQ2004A是高电压大电流
达林顿晶体管阵列。每一个由七个NPN达林顿对，配有高电压输出
共阴极钳位二极管，用于切换感性负载。单个达林顿的集电极电流额定值
对为500毫安。达林顿对可以并联以更高的电流能力。应用范围包括继电器
驱动程序，驱动程序锤子，灯驱动器，显示驱动器（LED和气体放电） ，线路驱动器和逻辑缓冲器。
对于100 -V （否则互换）的ULN2003A和ULN2004A的版本，请参阅
SN75468
和
SN75469,
分别。
该ULN2001A是一个通用的阵列，并且可以与TTL和CMOS技术的使用。该ULN2002A
是专门设计用于14 - V至25 -V的PMOS器件。这个装置的每一个输入有一个齐纳二极管
与电阻串联，以控制输入电流的安全极限。该ULN2003A和ULQ2003A有一个2.7 kΩ的
一系列的基极电阻为每达林顿对操作直接与TTL或5 V CMOS器件。该
ULN2004A和ULQ2004A有10.5 kΩ串联电阻的基础，直接操作允许从CMOS器件
该电源使用的ULN / ULQ2004A 6 V至15 V的要求输入电流电压是低于的
ULN / ULQ2003A ，和所需要的电压是小于由该ULN2002A必需的。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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ULN2002A ， ULN2003A ， ULN2003AI ， ULN2004A
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订购信息
(1)
T
A
PDIP - N
包
(2)
25管
40管
2500卷
-20℃ 70℃
SOIC - D
2500卷
40管
2500卷
SOP - NS
TSSOP - PW
PDIP - N
-40 ° C至85°C
SOIC - D
2000年卷
90管
2000年卷
25管
40管
2500卷
40管
2500卷
PDIP - N
-40C至105C
SOIC - D
TSSOP - PW
(1)
(2)
425管
40管
2500卷
2500卷
订购型号
ULN2002AN
ULN2003AN
ULN2004AN
ULN2003AD
ULN2003ADR
ULN2003ADRG3
ULN2004AD
ULN2004ADR
ULN2003ANSR
ULN2004ANSR
ULN2003APW
ULN2003APWR
ULQ2003AN
ULQ2004AN
ULQ2003AD
ULQ2003ADR
ULQ2004AD
ULQ2004ADR
ULN2003AIN
ULN2003AID
ULN2003AIDR
ULN2003AIPWR
ULN2004A
ULN2003A
ULN2004A
UN2003A
ULQ2003A
ULQ2004AN
ULQ2003A
ULQ2004A
ULN2003AIN
ULN2003AI
UN2003AI
ULN2003A
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逻辑图
9
COM
1
1B
2
2B
3
3B
4
4B
5
5B
6
6B
7
7B
10
7C
11
6C
12
5C
13
4C
14
3C
15
2C
16
1C
2
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原理图（每对达林顿）
10.5千瓦
7.2千瓦
3千瓦
ULN2002A
R
B
ULN / ULQ2003A ，R
B
= 2.7 k
W
ULN2003AI ，R
B
= 2.7 k
W
ULN / ULQ2004A ，R
B
= 10.5 k
W
7.2千瓦
3千瓦
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所有显示的电阻值是有名无实。
集电极 - 发射极二极管是一种寄生结构，而不应被用于传导电流。如果集电极（多个）去
下面地面外部肖特基二极管应该被添加到钳位负下冲。
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绝对最大额定值
(1)
在25℃下自由空气的温度（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
集电极 - 发射极电压
钳位二极管的反向电压
输入电压
(2)
(2)
最大
50
50
30
单位
V
V
V
mA
mA
A
峰值集电极电流
I
OK
输出钳位电流
共发射端电流
SEE
图14
和
图15
500
500
–2.5
ULN200xA
T
A
工作自由空气的温度范围内
ULN200xAI
ULQ200xA
ULQ200xAT
包
q
JA
封装的热阻抗
(3)
(4)
–20
–40
–40
–40
70
105
85
105
73
67
64
108
36
54
150
260
°C
°C
°C
° C / W
°C
N包装
NS封装
PW包
包
N包装
q
JC
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
封装的热阻抗
(5)
(6)
工作结温
铅温度从个案1.6毫米（ 1/16英寸） ，持续10秒
存储温度范围
–65
150
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于该发射极/基极端子E ，除非另有说明。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
q
JA
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/q
JA
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
最大功耗为T的函数
J
（最大） ，
q
JC
和叔
A
。在任何环境允许的最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J
（最大值） - T的
A
)/q
JC
。工作在绝对最大的T
J
150℃会影响可靠性。
封装的热阻抗的计算方法符合MIL - STD-883标准。
电气特性
T
A
= 25°C
参数
V
我（上）
V
CE （ SAT ）
V
F
I
CEX
I
我（关闭）
I
I
I
R
C
i
通态输入电压
集电极 - 发射极饱和电压
钳位正向电压
收藏家Cuto FF电流
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
TEST
科幻gure
图6
图4
图7
图1
图2
图2
科幻gure 3
图6
测试条件
V
CE
= 2 V,
I
I
= 250
毫安，
I
I
= 350
毫安，
I
I
= 500
毫安，
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
CE
= 50 V,
T
A
= 70°C
V
CE
= 50 V,
V
I
= 17 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
T
A
= 70°C
F = 1 MHz的
I
I
= 0
I
I
= 0
V
I
= 6 V
I
C
= 500
mA
50
65
0.82
1.25
100
50
25
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
0.9
1
1.2
1.7
ULN2002A
民
典型值
最大
13
1.1
1.3
1.6
2
50
100
500
mA
mA
mA
pF
mA
V
V
单位
V
4
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电气特性
T
A
= 25°C
参数
TEST
科幻gure
测试条件
I
C
= 125毫安
I
C
= 200毫安
V
我（上）
通态输入电压
图6
V
CE
= 2 V
I
C
= 250毫安
I
C
= 275毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 250
毫安，
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
图5
图1
I
CEX
V
F
I
我（关闭）
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
图2
图8
科幻gure 3
I
I
= 350
毫安，
I
I
= 500
毫安，
V
CE
= 50 V,
V
CE
= 50 V,
T
A
= 70°C
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
T
A
= 70°C,
V
I
= 17 V
I
I
输入电流
图4
50
T
A
= 70°C
F = 1 MHz的
15
100
25
15
I
C
= 500
mA
50
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
I
I
= 0
V
I
= 6 V
1.7
65
0.93
1.35
0.35
1
I
R
C
i
钳反向电流
输入电容
图7
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
0.5
1.45
50
100
25
mA
pF
mA
2
50
1.7
65
0.9
1
1.2
1.1
1.3
1.6
50
100
0.9
1
1.2
3
8
1.1
1.3
1.6
50
100
500
2
V
mA
mA
V
2.4
2.7
7
ULN2003A
民
典型值
最大
ULN2004A
民
典型值
最大
5
6
V
单位
电气特性
T
A
= 25°C
参数
测试图
TEST
条件
I
C
= 200毫安
V
我（上）
通态输入电压
图6
V
CE
= 2 V
I
I
= 250
毫安，
V
CE （ SAT ）
I
CEX
V
F
I
我（关闭）
I
I
I
R
C
i
集电极 - 发射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
钳位正向电压
断态电流输入
输入电流
钳反向电流
输入电容
图5
图1
图8
科幻gure 3
图4
图7
I
I
= 350
毫安，
I
I
= 500
毫安，
V
CE
= 50 V,
I
F
= 350毫安
V
CE
= 50 V,
V
I
= 3.85 V
V
R
= 50 V
V
I
= 0,
F = 1 MHz的
15
I
C
= 500
mA
50
I
C
= 250毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 200毫安
I
C
= 350毫安
I
I
= 0
1.7
65
0.93
1.35
50
25
0.9
1
1.2
ULN2003AI
民
典型值
最大
2.4
2.7
3
1.1
1.3
1.6
50
2
mA
V
mA
mA
mA
pF
V
V
单位
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UPD78213GQ-36
UWX1HR47MCR1GB
URY1J332MRD
UA393TC
UPA1815
UMG3
UPD43257BGU-85L
UHV1A102MED
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