UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UK1398
N沟道MOSFET FOR
高速开关
1
功率MOSFET
描述
在UTC
UK1398
采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作低
栅极电压。这个装置是适合于用作负载开关或在
PWM应用。
TO-92
3
特点
* R
DS （ ON）
<22
@V
GS
=2.5V
* R
DS （ ON）
<14
@V
GS
=4V
*低电容
*低栅极电荷
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
2
1
SOT-23
符号
2.Drain
3.Gate
1.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UK1398L-AE3-R
UK1398G-AE3-R
UK1398L-T92-B
UK1398G-T92-B
UK1398L-T92-K
UK1398G-T92-K
UK1398L-T92-R
UK1398G-T92-R
包
SOT-23
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
填料
带盘
磁带盒
体积
带盘
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2011 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R502-256.F
UK1398
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
50
V
±7.0
V
DC
±100
mA
连续漏电流
I
D
脉冲（注2 ）
±200
mA
SOT-23
200
功耗
P
D
mW
TO-92
625
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2.脉冲width≤10ms ，职务cycle≤50 ％
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=50V, V
GS
=0V
V
GS
=±7.0V, V
DS
=0 V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
DS
= 3.0V ，我
D
=1.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=10mA
V
GS
= 4.0V ，我
D
=10mA
V
DS
= 3.0V ，我
D
=10mA
民
50
10
±5.0
1.0
0.6
3.0
1.5
40
20
典型值
最大单位
V
A
A
V
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
1.3
V
正向跨导
g
FS
动力参数
输入电容
C
国际空间站
V
DS
=3.0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
切换参数
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 3.0V ，我
D
=20mA,
开启上升时间
t
R
V
GS （ ON）
= 3.0V ，R
G
=10,
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
R
L
=150
关断下降时间
t
F
源 - 漏二极管额定值和特性
二极管的正向电压
V
SD
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
20
1.2
22
14
38
8
7
3
15
100
30
35
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QW-R502-256.F
UK1398
典型特征
功率MOSFET
漏电流，我
D
（MA ）
漏电流，我
D
(A)
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QW-R502-256.F
UK1398
功率MOSFET
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QW-R502-256.F
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