UHBS60-1
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI UHBS60-1
是专为
包装样式0.230 6L FLG
产品特点：
Omnigold
金属化系统
.115
.430 D
E
.125
G
F
H
I
与信
L
A
.040x45°
4X 0.025
C
B
2X.130
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
9.0 A
50 V
26 V
50 V
4.0 V
190 W @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 150℃
0.9
O
C / W
O
O
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.355 / 9.02
.115 / 2.92
.075 / 1.91
.225 / 5.72
.090 / 2.29
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.355 / 9.02
.004 / 0.10
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.230 / 5.84
.365 / 9.27
.125 / 3.18
.085 / 2.16
.235 / 5.97
.110 / 2.79
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.365 / 9.27
.006 / 0.15
.130 / 3.30
.180 / 4.57
.260 / 6.60
订货编号： ASI10672
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 20 V
V
CB
= 30 V
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
最小典型最大
50
50
26
3.0
10
5
单位
V
V
V
V
mA
mA
---
pF
dB
%
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 24 V
V
CE
= 24 V
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 60 W
F = 900千兆赫
20
100
75
7.5
55
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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UHBS60-1
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI UHBS60-1
是专为
C类， FM基站应用
高达900兆赫。
产品特点：
内部输入匹配网络
P
G
= 7.5分贝60W / 900兆赫
Omnigold
金属化系统
包装样式0.230 6L FLG
A
.040x45°
4X 0.025
.115
.430 D
E
.125
F
G
H
I
与信
L
C
B
2X.130
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
9.0 A
50 V
暗淡
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
26 V
50 V
4.0 V
190 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
0.9 ° C / W
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.355 / 9.02
.115 / 2.92
.075 / 1.91
.225 / 5.72
.090 / 2.29
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.355 / 9.02
.004 / 0.10
.120 / 3.05
.160 / 4.06
.230 / 5.84
.365 / 9.27
.125 / 3.18
.085 / 2.16
.235 / 5.97
.110 / 2.79
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.365 / 9.27
.006 / 0.15
.130 / 3.30
.180 / 4.57
.260 / 6.60
订货编号： ASI10672
特征
符号
BV
CBO
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
I
CBO
h
FE
C
ob
P
G
η
C
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 10毫安
V
CE
= 20 V
V
CB
= 30 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 24 V
V
CE
= 24 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
50
50
26
3.0
10
5.0
单位
V
V
V
V
mA
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 60 W
F = 900千兆赫
20
100
75
7.5
55
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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