UH20FCT& UHB20FCT
新产品
威世通用半导体
双共阴极超快恢复整流器
特点
氧化物平面芯片结
超快恢复时间
K
TO-220AB
TO-263AB
软恢复特性
低开关损耗，效率高
2
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J - STD-020C标准， LF最大峰值
245 ° C（用于TO- 263AB封装）
2
UH20FCT
销1
3脚
销2
例
3
UHB20FCT
销1
销2
1
1
K
散热器
浸焊260 ℃，40秒（对于TO- 220AB
包）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频功率因数校正器的使用，
开关模式电源，续流二极管
和次级直流到直流整流的应用。
机械数据
案例：
TO- 220AB & TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
j
最大
10 A ×2
300 V
180 A
25纳秒
0.83 V
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流网络版
电流（见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
UH20FCT
300
20
10
180
- 55 + 175
UHB20FCT
单位
V
A
A
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
在我
F
= 5.0 A,
I
F
= 5.0 A,
在我
F
= 10 A,
I
F
= 10 A,
在V
R
= 300 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
符号
典型值。
0.96
0.77
V
F
1.0
0.83
0.5
25
马克斯。
-
-
V
1.2
0.90
5
150
A
单位
最大正向电压
每二极管
(1)
最大反向电流每二极管
(1)
I
R
文档编号88964
10-Nov-06
www.vishay.com
1
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向恢复时间
每个二极管的最大反向恢复时间
典型的柔软度因子（ TB / TA ）
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
每个二极管的典型正向恢复时间
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
在我
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
在我
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
在我
F
= 10 A， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 200 V，T
J
= 125 °C
每二极管
在我
F
= 10 A， di / dt的= 80 A / μs的，
V
FR
= 1.1× V
FMAX
符号
t
rr
t
rr
S
I
RM
Q
rr
t
fr
典型值。
20
28
0.36
7.0
160
150
马克斯。
25
35
-
-
-
-
单位
ns
ns
-
A
nC
ns
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
UH20FCT
2.0
UHB20FCT
2.0
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
UH20FCT-E3/4W
UHB20FCT-E3/4W
UHB20FCT-E3/8W
单位重量（g ）
1.88
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/Tube
50/Tube
800/Reel
配送方式
管
管
磁带&卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
24
12
11
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.8
正向平均整流电流（ A）
平均功耗（ W）
20
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
16
12
8
T
4
- TP / T
tp
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
文档编号88964
10-Nov-06
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
200
1000
T
j
= T
j
马克斯。
10毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
1
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
T
j
= 175 °C
T
j
= 125 °C
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0.001
10
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
数
循环的
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
每二极管
100
图5.典型的反向漏电特性每二极管
1000
正向电流（A ）
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 175 °C
结电容（pF ）
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
英镑
= 50 MVP -P
100
T
j
= 25 °C
1
10
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V )
图4.典型正向特性每二极管
图6.典型结电容每二极管
文档编号88964
10-Nov-06
www.vishay.com
3
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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UH20FCT& UHB20FCT
新产品
威世通用半导体
双共阴极超快恢复整流器
特点
氧化物平面芯片结
超快恢复时间
K
TO-220AB
TO-263AB
软恢复特性
低开关损耗，效率高
2
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J - STD-020C标准， LF最大峰值
245 ° C（用于TO- 263AB封装）
2
UH20FCT
销1
3脚
销2
例
3
UHB20FCT
销1
销2
1
1
K
散热器
浸焊260 ℃，40秒（对于TO- 220AB
包）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频功率因数校正器的使用，
开关模式电源，续流二极管
和次级直流到直流整流的应用。
机械数据
案例：
TO- 220AB & TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
j
最大
10 A ×2
300 V
180 A
25纳秒
0.83 V
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流网络版
电流（见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
UH20FCT
300
20
10
180
- 55 + 175
UHB20FCT
单位
V
A
A
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
在我
F
= 5.0 A,
I
F
= 5.0 A,
在我
F
= 10 A,
I
F
= 10 A,
在V
R
= 300 V
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
符号
典型值。
0.96
0.77
V
F
1.0
0.83
0.5
25
马克斯。
-
-
V
1.2
0.90
5
150
A
单位
最大正向电压
每二极管
(1)
最大反向电流每二极管
(1)
I
R
文档编号88964
10-Nov-06
www.vishay.com
1
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向恢复时间
每个二极管的最大反向恢复时间
典型的柔软度因子（ TB / TA ）
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
每个二极管的典型正向恢复时间
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
在我
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
在我
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
在我
F
= 10 A， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 200 V，T
J
= 125 °C
每二极管
在我
F
= 10 A， di / dt的= 80 A / μs的，
V
FR
= 1.1× V
FMAX
符号
t
rr
t
rr
S
I
RM
Q
rr
t
fr
典型值。
20
28
0.36
7.0
160
150
马克斯。
25
35
-
-
-
-
单位
ns
ns
-
A
nC
ns
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
UH20FCT
2.0
UHB20FCT
2.0
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
UH20FCT-E3/4W
UHB20FCT-E3/4W
UHB20FCT-E3/8W
单位重量（g ）
1.88
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/Tube
50/Tube
800/Reel
配送方式
管
管
磁带&卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
24
12
11
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.8
正向平均整流电流（ A）
平均功耗（ W）
20
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
16
12
8
T
4
- TP / T
tp
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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2
文档编号88964
10-Nov-06
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
200
1000
T
j
= T
j
马克斯。
10毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
1
瞬时反向电流（ μA ）
100
10
T
j
= 175 °C
T
j
= 125 °C
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0.001
10
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
数
循环的
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
每二极管
100
图5.典型的反向漏电特性每二极管
1000
正向电流（A ）
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 175 °C
结电容（pF ）
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
英镑
= 50 MVP -P
100
T
j
= 25 °C
1
10
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V )
图4.典型正向特性每二极管
图6.典型结电容每二极管
文档编号88964
10-Nov-06
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日前，Vishay
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这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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1
新产品
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
双共阴极超快恢复整流器
特点
氧化物平面芯片结
TO-220AB
TO-263AB
K
超快恢复时间
软恢复特性
低开关损耗，效率高
2
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
2
UH20FCT
销1
3脚
销2
例
3
UHB20FCT
销1
销2
1
1
K
散热器
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频功率因数校正器的使用，
开关模式电源，续流二极管
和次级直流到直流整流的应用。
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
10 A ×2
300 V
180 A
25纳秒
0.83 V
175 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流网络版
电流（见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
UH20FCT
300
20
10
180
- 55 + 175
UHB20FCT
单位
V
A
A
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 5.0 A
I
F
= 5.0 A
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
典型值。
0.96
0.77
V
F
1.0
0.83
马克斯。
-
-
V
1.2
0.90
单位
最大正向电压
每二极管
(1)
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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新产品
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向电流每二极管
(2)
最大反向恢复时间
每个二极管的最大反向恢复时间
典型的柔软度因子（ TB / TA ）
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
每个二极管的典型正向恢复时间
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
测试条件
V
R
= 300 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
I
R
t
rr
t
rr
S
I
RM
Q
rr
t
fr
典型值。
0.5
25
20
28
0.36
7.0
160
150
马克斯。
5
150
25
35
-
-
-
-
单位
A
ns
ns
-
A
nC
ns
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
I
F
= 10 A， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 200 V，T
J
= 125 °C
每二极管
I
F
= 10 A， di / dt的= 80 A / μs的，
V
FR
= 1.1× V
F最大。
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
UH20FCT
2.0
UHB20FCT
2.0
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
UH20FCT-E3/4W
UHB20FCT-E3/4W
UHB20FCT-E3/8W
单位重量（g ）
1.88
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
24
12
11
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.8
正向平均整流电流（ A）
平均功耗（ W）
20
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
16
12
8
T
4
D =吨
p
/T
0
2
4
6
8
t
p
10
12
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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修订： 13 08年5月
新产品
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
200
1000
T
J
= T
J
马克斯。
10毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
1
瞬时反向电流（ μA ）
100
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
10
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.001
10
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
数
循环的
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
每二极管
图5.典型的反向漏电特性每二极管
100
1000
正向电流（A ）
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 25 °C
1
结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
10
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图4.典型正向特性每二极管
图6.典型结电容每二极管
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新产品
UH20FCT& UHB20FCT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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