新产品
UH6PJ
威世通用半导体
高电流密度表面贴装
超快高电压整流器
特点
ESMP
TM
系列
K
非常低调 - 1.1 mm典型的高度
适合自动放置
氧化物平面芯片结
超快恢复时间
1
软恢复特性
低开关损耗，效率高
2
TO- 277A （ SMPC ）
K
阴极
阳极1
阳极2
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
6.0 A
600 V
80 A
25纳秒
1.59 V
175 °C
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
在我
F
= 6.0 A
T
J
马克斯。
无卤
机械数据
案例：
TO- 277A （ SMPC ）
塑封料符合UL 94V- 0可燃性
投资评级。
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，
商业级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3和M3后缀符合JESD 201级1A晶须
TEST
典型应用
对于在高电压用途，高频功率因数
校正，开关式电源，
续流二极管和次级直流 - 直流
整改的应用。
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J,
T
英镑
符号
UH6PJ
H6PJ
600
6.0
80
- 55 + 175
V
A
A
°C
单位
文档编号： 89069
修订： 29 -JUL- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
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UH6PJ
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 3.0 A
I
F
= 6.0 A
I
F
= 3.0 A
I
F
= 6.0 A
反向电流
(2)
V
R
= 600 V
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
符号
典型值。
1.98
2.45
1.23
1.59
-
28
20
t
rr
30
S
I
F
= 6 A， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 400 V ，T
J
= 125 °C
I
F
= 6 A， di / dt的= 48 A / μs的，
V
F
= 1.1× V
F最大。
4.0 V， 1 MHz的
I
RM
Q
rr
t
fr
C
J
0.88
6.1
150
155
30
45
-
-
-
-
-
-
A
nC
ns
pF
马克斯。
-
3.0
V
-
1.8
10
200
25
ns
A
单位
正向电压
(1)
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
典型的软化系数（T
b
/t
a
)
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
典型正向恢复时间
典型结电容
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
注意事项：
（ 1 ）单位安装在推荐P.C.B. 1盎司焊盘布局
（ 2 ）脉冲测量
符号
R
θJA
(1)
R
θJL
UH6PJ
90
5
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
UH6PJ-E3/86A
UH6PJ-E3/87A
UH6PJ-M3/86A
UH6PJ-M3/87A
单位重量（g ）
0.10
0.10
0.10
0.10
首选包装代码
86A
87A
86A
87A
基地数量
1500
6500
1500
6500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
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2
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UH6PJ
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
7
1000
正向平均整流电流（ A）
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
L
测
在阴极频带终端
瞬时反向电流（ μA ）
负载电阻或电感
T
A
= 175 °C
100
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 25 °C
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
铅温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向特性
14
D = 0.5
12
D = 0.3
D = 0.2
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
D = 1.0
T
D = 0.1
D = 0.8
100
D =吨
p
/T
t
p
10
0.1
1
10
100
结电容（pF ）
平均功耗（ W）
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
平均正向电流（ A）
反向
电压
(V)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型结电容
100
正向电流（A ）
T
A
= 175 °C
10
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 25 °C
0.1
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
正向
电压
(V)
图3.典型正向特性
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3
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UH6PJ
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO- 277A （ SMPC ）
0.187 (4.75)
0.175 (4.45)
K
0.016 (0.40)
0.006 (0.15)
0.262 (6.65)
0.250 (6.35)
0.242 (6.15)
0.238 (6.05)
0.026 (0.65)
喃。
2
1
0.171 (4.35)
0.167 (4.25)
0.146 (3.70)
0.134 (3.40)
0.087 (2.20)
0.075 (1.90)
0.047 (1.20)
0.039 (1.00)
贴装焊盘布局
0.189
分钟。
(4.80)
0.189 (4.80)
0.173 (4.40)
0.155 (3.94)
喃。
0.030 (0.75)
喃。
0.268
(6.80)
0.186
分钟。
(4.72)
0.049 (1.24)
0.037 (0.94)
0.084 (2.13)
喃。
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.041
(1.04)
0.050
分钟。
(1.27)
0.055
分钟。
(1.40)
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日前，Vishay
放弃
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或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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