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新产品
UH2B ， UH2C & UH2D
威世通用半导体
表面贴装超快整流器
特点
薄型封装
适合自动放置
氧化物平面芯片结
超快恢复时间为高频
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
DO- 214AA （ SMB ）
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
典型应用
对于次级整流及续流的使用
超快开关速度的交流到交流和直流 - 直流
在高温条件下进行两个转换器
消费和汽车应用。
2.0 A
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
在我
F
= 2.0 A
T
J
马克斯。
100 V, 150 V, 200 V
50 A
25纳秒
0.69 V
175 °C
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC - Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
(1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
注意：
（ 1 ）自由的空气，安装在推荐的铜焊盘面积
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
UH2B
HB
100
UH2C
HC
150
2.0
50
- 55 + 175
UH2D
HD
200
V
A
A
°C
单位
文档编号： 89108
修订： 03军-09
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
UH2B ， UH2C & UH2D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
反向电流
(2)
最大反向恢复时间
典型的反向恢复时间
典型的软化系数（T
b
/t
a
)
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
典型结电容
4.0 V， 1 MHz的
I
F
= 2.0 A ， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 200 V
T
A
= 125 °C
为V
R
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
l
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，L
rr
= 0.1 I
RM
测试条件
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
符号
典型值。
0.79
0.87
0.62
0.69
-
10
15
T
A
= 25 °C
t
rr
20
S
I
RM
Q
rr
C
J
0.3
5.0
55
42
35
-
6.0
-
-
A
nC
pF
马克斯。
-
1.05
V
-
0.90
2.0
50
25
ns
A
单位
正向电压
(1)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
符号
R
θJA
R
θJM
UH2B
UH2C
105
15
UH2D
单位
° C / W
注意：
（ 1 ）自由的空气，安装在推荐的铜焊盘面积。热阻R
θJA
- 结到环境，R
θJM
- 结安装
订购信息
（例）
首选的P / N
UH2D-E3/52T
UH2D-E3/5BT
UH2DHE3/52T
(1)
UH2DHE3/5BT
(1)
注意：
（ 1 ）符合AEC - Q101标准
单位重量（g ）
0.100
0.100
0.100
0.100
首选包装代码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
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2
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修订： 03军-09
新产品
UH2B ， UH2C & UH2D
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
2.4
1000
负载电阻或电感
2.0
正向平均整流电流（ A）
瞬时反向电流（ μA ）
T
A
= 175 °C
100
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
10
T
A
= 100 °C
1
1.6
1.2
0.8
T
M
测
在码头登上
0.4
0.1
T
A
= 25 °C
0
95
105
115
125
135
145
155
165
175
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
T
M
- 安装温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向特性
2.0
1.8
D = 0.3
D = 0.5
D = 0.2
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
D =吨
p
/T
t
p
T
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.8
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
平均功耗（ W）
1.6
结电容（pF ）
10
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向
电压
(V)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型结电容
100
1000
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
A
= 175 °C
10
T
A
= 150 °C
结到环境
100
1
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
10
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 89108
修订： 03军-09
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3
新产品
UH2B ， UH2C & UH2D
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
阴极带
贴装焊盘布局
0.085 （ 2.159 ）最大。
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 （ 2.18 ）最低。
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.060 （ 1.52 ）最低。
0.220 REF 。
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4
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文档编号： 89108
修订： 03军-09
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
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继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
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引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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UPD121W00AT1F-E2-AT
UU9LFHNP-HB471
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