新产品
UH1B ， UH1C & UH1D
威世通用半导体
表面贴装超快整流器
特点
薄型封装
适合自动放置
氧化物平面芯片结
超快恢复时间为高频
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
DO- 214AC （ SMA）的
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
在我
F
= 1.0 A
T
J
马克斯。
1.0 A
100 V, 150 V, 200 V
30 A
25纳秒
0.76 V
175 °C
典型应用
对于次级整流及续流的使用
超快切换速度交流到交流和直流 - 直流
在高温条件下进行两个转换器
消费和汽车应用。
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
UH1B
HB
100
UH1C
HC
150
1.0
30
- 55 + 175
UH1D
HD
200
V
A
A
°C
单位
文档编号： 89111
修订： 12军08
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
新产品
UH1B ， UH1C & UH1D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1.0 A
反向电流
(2)
最大反向恢复时间
典型的反向恢复时间
典型的软化系数（T
b
/t
a
)
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
典型结电容
4.0 V， 1 MHz的
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 200 V
T
A
= 125 °C
为V
R
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
测试条件
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R
符号
典型值。
0.90
0.96
0.70
0.76
-
7.5
13
T
A
= 25 °C
t
rr
21
S
I
RM
Q
rr
C
J
0.8
2.7
35
17
30
-
4.0
-
-
-
A
nC
pF
马克斯。
-
1.05
V
-
0.90
1.0
25
25
ns
A
单位
正向电压
(1)
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
符号
R
θJA
R
θJM
UH1B
UH1C
120
20
UH1D
单位
° C / W
注意：
（ 1 ）自由的空气，安装在推荐的铜焊盘面积。热阻R
θJA
- 结到环境，R
θJM
- 结安装
订购信息
（例）
首选的P / N
UH1D-E3/61T
UH1D-E3/5AT
UH1DHE3/61T
(1)
UH1DHE3/5AT
(1)
单位重量（g ）
0.064
0.064
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
61T
5AT
基地数量
1800
7500
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
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UH1B ， UH1C & UH1D
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
1000
正向平均整流电流（ A）
1.0
瞬时反向电流（ μA ）
100
T
A
= 175 °C
T
A
= 150 °C
0.8
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
0.6
T
L
测
在阴极频带终端
1
0.4
0.2
0.1
T
A
= 25 °C
0
95
105
115
125
135
145
155
165
175
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
铅温度（ ℃）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的反向特性
1.0
0.9
D = 0.3
D = 0.2
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
D =吨
p
/T
t
p
T
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.5
D = 0.8
100
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
平均功耗（ W）
0.8
结电容（pF ）
10
1
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向
电压
(V)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型结电容
100
1000
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到环境
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 150 °C
100
1
T
A
= 175 °C
T
A
= 100 °C
0.1
10
T
A
= 25 °C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
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3
新产品
UH1B ， UH1C & UH1D
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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文档编号： 91000
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