新产品
UH10FT & UHB10FT
威世通用半导体
超快恢复整流器
特点
氧化物平面芯片结
TO-220AC
TO-263AB
K
超快恢复时间
软恢复特性
低开关损耗，效率高
A
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
2
UH10FT
销1
销2
例
NC
UHB10FT
NC
A
K
散热器
1
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AC封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
在开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器的消费者。
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
10 A
300 V
180 A
25纳秒
0.83 V
175 °C
机械数据
案例：
TO- 220AC和TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
UH10FT
300
10
180
- 55 + 175
UHB10FT
单位
V
A
A
°C
文档编号： 88963
修订： 13 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
UH10FT & UHB10FT
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 5.0 A
I
F
= 5.0 A
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
V
R
= 300 V
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
典型值。
0.96
0.77
V
F
1.0
0.83
0.5
25
20
28
0.36
7.0
160
150
马克斯。
-
-
V
1.2
0.90
5
150
25
35
-
-
-
-
A
ns
ns
-
ns
A
ns
单位
最大正向电压
(1)
最大反向电流
(2)
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
典型的柔软度因子（ TB / TA ）
典型的反向恢复电流
典型的存储电荷
典型正向恢复时间
I
R
t
rr
t
rr
S
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
I
F
= 10 A， di / dt的= 200 A / μs的，
V
R
= 200 V，T
J
= 125 °C
I
F
= 10 A， di / dt的= 80 A / μs的，
V
FR
= 1.1× V
F最大。
I
RM
Q
rr
t
fr
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJC
UH10FT
2.0
UHB10FT
2.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AC
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
UH10FT-E3/4W
UHB10FT-E3/4W
UHB10FT-E3/8W
单位重量（g ）
1.82
1.32
1.32
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
磁带和卷轴
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新产品
UH10FT & UHB10FT
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
15
负载电阻或电感
100
12
正向电流（A ）
平均正向电流（ A）
T
J
= 125 °C
10
T
J
= 175 °C
T
J
= 25 °C
1
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
T
C
- 外壳温度（ ° C）
正向
电压
(V)
图1.最大正向电流降额曲线
图4.典型的正向特性
12
11
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
1000
平均功耗（ W）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
瞬时反向电流（ μA ）
D = 0.8
100
T
J
= 175 °C
T
J
= 125 °C
10
1
T
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
D =吨
p
/T
6
8
t
p
10
12
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
平均正向电流（ A）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图2.正向功率损耗特性
图5.典型的反向漏Charactersitics
200
1000
峰值正向浪涌电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
1
T
J
= T
J
马克斯。
10毫秒单一正弦半波
结电容（pF ）
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
100
10
10
100
1
0.1
1
10
100
数
循环的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
图6.典型结电容
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3
新产品
UH10FT & UHB10FT
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AC
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 （ 3.91 ） DIA 。
0.148 （ 3.74 ） DIA 。
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
销1
销2
例
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
针
2
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
NC
K
A
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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