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UGF10ACT THRU UGF10DCT
超快软恢复整流
反向电压 -
50至200伏特
ITO-220AB
0.405 (10.27)
0.383 (9.72)
0.188 (4.77)
0.172 (4.36)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
0.140 (3.56)
DIA 。
0.130 (3.30)
0.131 (3.39)
迪亚
0.122 (3.08)
正向电流 -
10.0安培
特点
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
非常适合续流二极管的功率因数
校正的应用
软恢复特性
优异的温度开关
优化,以减少开关损耗
高温焊接保证:
250℃ / 10秒的终端
玻璃钝化结
0.600 (15.5)
0.580 (14.5)
针
1
2
3
0.670 (17.2)
0.646 (16.4)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.060 (1.52)
0.110 (2.80)
0.100 (2.54)
机械数据
案例:
JEDEC ITO - 220AB模压塑体
终端:
镀信息,每MIL -STD- 750 ,
方法2026
极性:
由于标
安装位置:
任何
安装扭矩:
5 - 磅。最大。
重量:
0.08盎司, 2.24克
0.037 (0.94)
0.027 (0.69)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.022 (0.55)
0.014 (0.36)
销1
3脚
销2
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
UGF10ACT UGF10BCT UGF10CCT UGF10DCT
单位
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
=100°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
每腿额定负荷( JEDEC的方法)
每站最大瞬时正向电压在I
F
=10A,
I
F
=5A,
I
F
=5A,
每站最大反向漏电流
在工作峰值反向电压
每站最大反向恢复时间
I
F
= 1.0A ,的di / dt = 100A / μs的,V
R
= 30V ,我
rr
=0.1 I
RM
每站最大反向恢复时间
I
F
= 0.5A ,我
R
= 1.0A ,我
rr
=0.25A
每站最大反向恢复电流
I
F
= 5A ,的di / dt = 50A / μs的,V
R
=30V
每站最大存储电荷
I
F
= 2A ,的di / dt = 20A / μs的,V
R
= 30V我
rr
=0.1 I
RM
从结每腿到外壳的典型热阻
工作结存储温度范围
注意:
先进的产品信息,如有变更,恕不另行通知
V
RRM
V
RWM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
T
J
=25°C
T
J
=25°C
T
J
=150°C
T
J
=25°C
T
J
=100°C
50
50
35
100
100
100
70
100
10
60
1.25
1.10
0.895
10
200
25
25
15
0.7
5.5
4.5
6.0
150
150
105
200
200
200
140
200
伏
伏
伏
伏
安培
安培
V
F
伏
A
ns
ns
安培
nC
° C / W
°C
I
R
t
rr
最大
典型
t
rr
I
RM
最大
典型
Q
rr
R
θJC
T
J
, T
英镑
-40到+150
4/98
额定值和特性曲线UGF10ACT THRU UGF10DCT
图。 1 -forward电流降额曲线
平均正向电流,安培
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流每支架
15
负载电阻或电感
100
峰值正向浪涌电流,
安培
8.3ms单半正弦波
( JEDEC的方法)
T
C
=105°C
10
10
5
0
1
0
25
50
75
100
125
150
外壳温度
1
10
周期数的AT 60 H
Z
100
图。 3 - 典型正向
特性每支架
100
T
J
=25°C
脉冲宽度= 300μS
1 %占空比
图。 4 - 典型的反向特性
每腿
1,000
瞬时反向漏电流,
微安
T
J
=125°C
瞬时正向电流,
安培
10
T
J
=125°C
T
J
=100°C
T
J
=100°C
100
1
10
T
J
=25°C
1
T
J
=25°C
0.1
0.1
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压%
正向电压,
伏
图。 5 - 反向开关特性
每腿
图。 6 - 典型结电容每支架
存储电荷/反向恢复时间,
NC / NS
50
@ 2A , 20A / μs的
100
T
J
=125°C
F = 1.0 MHz的
Vsig=50MVp-p
40
电容,PF
@ 5A , 50A / μs的
30
@ 1A , 100A / μs的
10
20
@ 5A , 50A / μs的
@ 1A , 100A / μs的
10
@ 2A , 20A / μs的
t
rr
Q
rr
0
25
100
75
50
结温, ℃,
125
1
0.1
1
10
反向电压,伏
100