【VS-UFB280FA40威世半导体绝缘超快整流器模块， 280一特点两个完全独立的二极管完全绝缘包】,IC型号UFB280FA40,UFB280FA40 PDF资料,UFB280FA40经销商,ic,电子元器件-51电子网

VS-UFB280FA40

威世半导体

绝缘超快整流器模块， 280一

特点

两个完全独立的二极管

完全绝缘包装

超快，软反向恢复，高

工作结点温度（T

最大。 = 175 ° C）

低正向压降

SOT-227

优化电源转换：焊接和工业

SMPS应用

易于使用和并行

行业标准大纲

符合RoHS指令2002/95 / EC

设计和工业级合格

描述

产品概述

F（ AV ）

每次在T模块

= 90 °C

TYPE

400 V

280 A

40纳秒

模块 - 二极管FRED铂

在VS- UFB280FA40绝缘模块集成两个国家

在紧凑的技术超快恢复整流器，

工业标准SOT- 227封装。二极管的结构，

其续航时间的控制，提供了超软恢复

当前形状，连同最佳的整体性能，

耐用性和可靠性的特点。

因此，这些器件用于高频

应用，其中所述的开关能量是设计不

要的总能量的主要部分，如在

输出整流级焊接机，开关电源，

直流/直流转换器。他们非常优化的存储

电荷和低恢复电流同时减少了

耗散在所述开关元件（和缓冲器）和

EMI / RFI 。

绝对最大额定值

参数

阴极到阳极电压

每个二极管连续正向电流

单脉冲正向电流每二极管

每个模块的最大功耗

RMS的隔离电压

工作结温和存储温度

符号

F (1)

FSM

ISOL

, T

英镑

= 90 °C

= 25 °C

= 90 °C

任何终端的情况下，T = 1分钟

测试条件

马克斯。

400

170

1300

395

2500

- 55 175

单位

°C

记

(1)

最大连续正向电流必须限制在100到不超过电源端子的最高温度。

文档编号： 93458

修订： 13月11

如有技术问题，请联系：

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VS-UFB280FA40

威世半导体

绝缘超快整流器模块， 280一

每二极管电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

阴阳极击穿电压

正向电压

符号

= 100 μA

= 100 A

= 100 A，T

= 175 °C

= V

评级

= 175 ° C，V

= V

评级

= 400 V

测试条件

分钟。

400

0.85

0.36

典型值。

1.06

1.3

100

马克斯。

1.24

0.95

μA

单位

反向漏电流

结电容

动态恢复特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

测试条件

= 1.0 ，二

/ DT = 200 A / μs的，V

= 30 V

反向恢复时间

= 25 °C

= 125 °C

峰值恢复电流

RRM

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

= 150 A

/ DT = 200 A / μs的

= 200 V

分钟。

典型值。

172

10.5

20.2

490

1740

马克斯。

单位

反向恢复电荷

热 - 机械特性

参数

结到外壳，单腿开展

结到外壳，无论是腿部进行

案件散热器

重量

安装力矩

机箱样式

符号

thJC

乡镇卫生院

平，脂面

测试条件

分钟。

典型值。

0.05

1.3

SOT-227

马克斯。

0.43

0.215

° C / W

单位

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威世半导体

- 正向电流（A ）

1000

100

- 反向电流（ μA ）

100

0.1

0.01

0.001

= 175 °C

= 25 °C

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

100

200

300

400

- 正向压降（ V）

图。 1 - 典型正向压降特性

（每站）

10 000

- 反向电压（ V）

图。 2 - 典型的反向电流与价值观

反向电压

- 结电容（pF ）

1000

= 25 °C

100

1000

- 反向电压（ V）

图。 3 - 典型结电容与反向电压

thJC

- 热阻（ ° C / W）

0.1

单脉冲

（热电阻）

注意事项：

1.负载因数D = T

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJC

+ T

0.1

0.01

0.0001

0.001

0.01

- 矩形脉冲持续时间（ S）

图。 4 - 最大热抗Z

thJC

特性（每腿）

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威世半导体

绝缘超快整流器模块， 280一

175

250

= 200 V

= 125 °C

= 25 °C

200

允许外壳温度（ ℃）

150

125

= 150 A

= 75 A

（纳秒）

240

280

100

120

160

方波（ D = 0.50 ）

80 ％为V

应用的

见注（ 1 ）

150

100

200

100

1000

F（ AV ）

- 平均正向电流（ A）

图。 5 - 最大允许外壳温度对比

平均正向电流（每腿）

250

225

/ DT （ A / μS ）

图。 7 - 典型的反向恢复时间与迪

/ DT

5000

4500

4000

3500

RMS限制

= 200 V

= 125 °C

= 25 °C

= 150 A

= 75 A

平均功耗（ W）

200

175

（ NC ）

150

125

100

3000

2500

2000

1500

1000

500

100

D = 0.20

D = 0.25

D = 0.33

D = 0.50

D = 0.75

100 125 150 175 200 225

1000

F（ AV ）

- 平均正向电流（ A）

图。 6 - 正向功率损耗特性（每腿）

/ DT （ A / μS ）

图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪

/ DT

记

(1)

式中： T = - （ PD +钯

转

）个R

thJC

;

PD =正向功率损耗= I

F（ AV ）

X V

在（我

F（ AV ）

/ D ）（参见图6）。

转

=逆功率损耗= V

X我

（ 1 - D） ;我

在V

= 80 ％额定V

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威世半导体

= 200 V

0.01

L = 70 μH

D.U.T.

/ DT

调整

IRFP250

图。 9 - 反向恢复参数测试电路

(3)

(2)

(4)

RRM

0.5 I

RRM

（ REC ）M

/ DT

(5)

0.75 I

RRM

(1)

/ DT

（1）的dI

/ DT - 额定电流的变化

通过过零

(2) I

RRM

- 峰值反向恢复电流

(3) t

- 测量的反向恢复时间

从负零交叉点

我要去

以点线通过

通过0.75我

RRM

0.50我

RRM

外推到零电流。

(4)

- 曲线下面积由T定义

我

RRM

X我

RRM

（5）的dI

（ REC ）M

/ DT - 峰值的变化率

吨时电流

吨的部分

图。 10 - 反向恢复波形和定义

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