UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UF640
18 A， 200 V， 0.18欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些种类的n-沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管的有
低导通功率损耗，高输入阻抗和高
开关速度快，线性传输特性，因此可以在使用
各种功率转换应用。
该UF640适用于谐振和PWM变换器的拓扑结构。
1
TO-220
MOSFET
1
特点
* R
DS （ ON）
=0.18@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值43nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型100 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
TO-220F
*无铅电镀产品编号： UF640L
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
UF640-TA3-T
UF640L-TA3-T
UF640-TF3-T
UF640L-TF3-T
包
TO-220
TO-220F
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
UF640L-TA3-T
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ） T：管
（ 2 ） TA3 ： TO- 220 ， TF3 ： TO- 220F
（ 3）L ：无铅电镀空白：铅/锡
,
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1 5
VER.A
UF640
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
MOSFET
评级
单位
漏源电压
200
V
漏，栅极电压（R
GS
= 20k)
200
V
栅源电压
±20
V
T
C
= 25℃
18
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100℃
11
A
漏电流脉冲（注
2)
I
DM
72
A
单脉冲雪崩能量额定值（注
3)
E
AS
580
mJ
最大功率耗散
125
W
P
D
W/℃
耗散降额因子
1.0
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
耐热性，信道至环境
耐热性，信道到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
最大
62
1
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25
℃
除非另有规定编）
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
通态漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
（门源+栅漏）
栅极 - 源电荷
栅漏“米勒”充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
测试条件
BV
DSS
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
GS （ THR ）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
I
DSS
V
DS
= 0.8×额定BV
DSS
, V
GS
= 0V,
T
J
= 125℃
I
D（上）
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
= 10V
I
GSS
V
GS
= ±20V
R
DS （ ON）
I
D
= 10A ，V
GS
= 10V
g
FS
V
DS
≥
10V ，我
D
= 11A
C
国际空间站
C
OSS
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
≈
18A ，V
DS
= 0.8 x
Q
G（ TOT ）
额定BV
DSS
栅极电荷
基本上是独立的
Q
GS
工作温度我
G（ REF ）
=
Q
GD
1.5mA
t
D（上）
V
DD
= 100V ，我
D
≈
18A ，R
GS
= 9.1,
R
L
= 5.4,
t
R
t
D（关闭）
MOSFET开关时间
基本上是独立的
t
F
工作温度
民
200
2
典型值
最大单位
V
4
V
25
A
250
18
0.14
10
1275
400
100
43
8
22
13
50
46
35
21
77
68
54
±100
0.18
A
A
nA
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
6.7
64
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
VER.A
UF640
电气特性（续）
测试条件
民
测
从
联系螺丝
在Tab键切换到
的模具中心
修改MOSFET符号
内部排水电感
L
D
显示内部
测
从漏极
设备电感
铅的6mm
D
（ 0.25英寸）从
包
L
D
的模具中心
G
测
L
S
从
S
来源铅，
6毫米（ 0.25英寸）
内部源极电感
L
S
从包头到
来源
焊盘
源极到漏极二极管特定网络阳离子
二极管的正向电压（注1 ）
V
SD
T
J
= 25℃, I
S
= 18A ，V
GS
= 0V,
连续源电流（体
积分反向的P- N结
I
S
二极管）
二极管在MOSFET
漏
参数
符号
典型值
MOSFET
最大单位
3.5
nH
4.5
nH
7.5
nH
2.0
18
V
A
脉冲源电流（体二极管）
（注1 ）
I
SM
门
SOURSE
72
A
T
J
= 25℃, I
S
= 18A,
120
240
530
ns
dI
S
/ DT = 100A / μs的
T
J
= 25℃, I
S
= 18A,
1.3
2.8
5.6
C
反向恢复电荷
Q
RR
dI
S
/ DT = 100A / μs的
注1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
2.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗
曲线。
3， L = 3.37mH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 18A ，起始物为
J
= 25℃.
反向恢复时间
t
RR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
VER.A
UF640
测试电路
V
DS
L
BV
DSS
MOSFET
R
G
D.U.T.
V
DD
I
AS
V
DS
V
DD
0.01Ω
I
AS
图1A 。松开能源测试电路
0
t
p
t
AV
图1B 。松开能源波形
V
DS
R
L
90%
10%
90%
R
G
V
DD
V
GS
D.U.T.
0
V
GS
10%
0
50%
脉冲宽度
50%
t
D（上）
t
ON
图2A 。开关时间测试电路
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
图2B中。电阻的开关波形
当前
调节器
12V
电池
50kΩ
0.2F
0.3F
D
V
DS
（隔离
SUPPLY ）
同一类型
作为DUT
V
DD
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
V
DS
G
0
I
G（ REF ）
I
G
当前
采样
电阻器
S
I
D
当前
采样
电阻器
DUT
0
I
G（ REF ）
0
图3A 。栅极电荷测试电路
图3B 。栅极电荷波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
VER.A
UF640
典型特征
饱和特性
30
24
漏电流，我
D
(A)
MOSFET
18
12
6
0
0
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
()
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
漏极至源极导通电阻与栅极
电压和漏极电流
1.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.2
0.8
0.6
V
GS
=10V
0.3
0
V
GS
=6V
1.0
2.0
5.0
3.0
4.0
漏源极电压，V
DS
(V)
0
45
60
15
30
漏电流，我
D
(A)
75
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
VER.A
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
UF640
18 A， 200 V， 0.18欧姆，
N沟道功率MOSFET
描述
这些种类的n沟道功率MOSFET场效应晶体管的
具有低传导功率损耗，高输入阻抗和高
开关速度快，线性传输特性，因此可以在使用
各种功率转换应用。
该
UF640
适用于谐振和PWM变换器的拓扑结构。
1
TO-220
1
TO-252
功率MOSFET
1
TO-263
特点
* R
DS （ ON）
=0.18@V
GS
= 10V.
*超低栅极电荷（典型值43nC ）
*低反向传输电容（C
RSS
=典型100 pF的）
*快速开关能力
*较高的雪崩能量
*改进dv / dt能力，高耐用性
1
TO-220F
1
TO-220F2
符号
2.Drain
1.Gate
3.Source
订购信息
订购数量
无铅
无卤
UF640L-TA3-T
UF640G-TA3-T
UF640L-TF2-T
UF640G-TF2-T
UF640L-TF3-T
UF640G-TF3-T
UF640L-TN3-R
UF640G-TN3-R
UF640L-TN3-T
UF640G-TN3-T
UF640L-TQ2-R
UF640G-TQ2-R
UF640L-TQ2-T
UF640G-TQ2-T
包
TO-220
TO-220F2
TO-220F
TO-252
TO-252
TO-263
TO-263
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
填料
管
管
管
带盘
管
带盘
管
www.unisonic.com.tw
2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R502-066.E
UF640
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
功率MOSFET
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
200
V
漏，栅极电压（R
GS
=20k)
V
DGR
200
V
栅源电压
V
GSS
±20
V
连续漏电流
I
D
18
A
漏电流脉冲（注2 ）
I
DM
72
A
单脉冲雪崩能量额定值（注2 ）
E
AS
580
mJ
TO-220
123
TO-220F
40
最大功率耗散
TO-220F2
P
D
42
W
TO-252
83
TO-263
139
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注： 1。绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2， L = 3.37mH ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，峰值I
AS
= 18A ，起始物为
J
=25℃.
3.脉冲宽度限制T
J（下最大）
热数据
参数
的TO-220 / TO -220F
结到环境
TO- 220F2 / TO-263
TO-252
TO-220
TO-220F
结到外壳
TO-220F2
TO-252
TO-263
符号
θ
JA
评级
62.5
62.5
110
1.01
3.1
2.9
1.5
0.9
单位
° C / W
θ
JC
° C / W
电气特性
(T
C
= 25
℃
除非另有规定编）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
通态漏电流
漏源导通电阻
动力参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ THR ）
I
D（上）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=额定BV
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V
V
GS
=V
DS
, I
D
=250μA
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）
马克斯，V
GS
=10V
I
D
= 10A ，V
GS
=10V
民
200
25
±100
2
18
0.14
1275
400
100
4
0.18
典型值
最大
单位
V
μA
nA
V
A
pF
pF
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 5
QW-R502-066.E
UF640
参数
切换参数
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
符号
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
测试条件
V
DD
=100V,I
D
≈18A,
R
G
=9.1,R
L
=5.4,
MOSFET开关时间
基本上是独立运行的
温度
V
GS
= 10V ，我
D
≈18A,
V
DS
= 0.8×额定
BV
DSS
栅极电荷本质
独立
of
操作
温度I
G（ REF ）
= 1.5毫安
民
功率MOSFET
电气特性（续）
(T
C
= 25
℃
除非另有规定编）
典型值
13
50
46
35
43
8
22
最大
21
77
68
54
64
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电气特性（续）
测试条件
修改MOSFET
从实测
联系人螺丝符号显示
内部
在Tab键切换到
器件
的模具中心
电感
内部排水电感
L
D
从实测
在漏极引线，
6毫米（ 0.25英寸）
从包装到
的模具中心
从实测
源铅，
6毫米（ 0.25英寸） ，从
内部源极电感
L
S
头源
焊盘
源极到漏极二极管特定网络阳离子
二极管的正向电压（注）
V
SD
T
J
= 25℃, I
S
= 18A ，V
GS
= 0V,
连续源电流
积分反向的P- N结
I
S
（体二极管）
二极管在MOSFET
漏
参数
符号
民
典型值
3.5
最大
单位
nH
4.5
nH
7.5
nH
2.0
18
V
A
脉冲源电流（体二极管）
（注）
I
SM
门
SOURSE
72
A
反向恢复时间
t
rr
T
J
=25℃, I
S
= 18A ，二
S
/dt=100A/μs
反向恢复电荷
Q
RR
T
J
=25℃, I
S
= 18A ，二
S
/dt=100A/μs
注：脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
120
1.3
240
2.8
530
5.6
ns
μC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 5
QW-R502-066.E
UF640
测试电路
功率MOSFET
V
DS
R
L
0
V
DD
V
GS
D.U.T.
90%
10%
90%
R
G
V
GS
10%
0
50%
脉冲宽度
50%
t
D（上）
t
ON
图3开关时间测试电路
t
R
t
D（关闭）
t
F
t
关闭
图4电阻的开关波形
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 5
QW-R502-066.E
UF640
典型特征
饱和特性
30
24
18
12
6
0
0
V
GS
=6V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
功率MOSFET
漏极至源极导通电阻与栅极
电压和漏极电流
1.5
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.2
0.8
0.6
V
GS
=10V
0.3
0
0
3.0
4.0
1.0
2.0
5.0
漏源极电压，V
DS
(V)
45
60
15
30
漏电流，我
D
(A)
75
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
5
QW-R502-066.E
QQ：2880707522 复制
